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電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.48 no.5 = no.407, 2011년, pp.1 - 5
손성훈 (고려대학교 전기전자전파공학과) , 김태근 (고려대학교 전기전자전파공학과)
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In this paper, we optimize the gate field plate structure to improve breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMT by two-dimensional device simulator. We have simulated using three parameters such as field-plate length, types of insulator, and insulator thickness and thereby we checked change of the ...
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 갈륨나이트라이드의 어떤 특징으로 인해 고출력 고주파 소자에 매우 적합한가? | 그에 따라 고도의 정보처리 기술이 가능한 고출력/고주파 소자의 필요성이 증가하고 있다.[1～2] 이러한 전력증폭기에 사용되는 갈륨나이트라이드 (GaN) 물질은 기존의 Si 및 GaAs 물질 보다큰 에너지 밴드갭과 높은 열전도도 등의 특징을 가져 고출력/고주파 소자에 매우 적합하여 전 세계적으로 활발히 연구가 진행되고 있다.[3] | |
| 고전자 이동도 트랜지스터의 특성은? | AlGaN/GaN 이종접합을 이용한 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)는 두 물질간의 계면에서 전도대의 불연속성으로 인해 생성되는 이차원 전자가스 채널(2 dimensional electron gas, 2DEG)을 이용하기 때문에 높은 전자이동도, 높은 항복전압 특성을 가지게 된다. | |
| 필드플레이트 구조 최적화 실험 결과 AlGaN/GaN HEMT 소자의 최적값은? | 3 um에 이르게 되면 더 이상 향상되지 않는다. 따라서 본 소자에서는 1.3 um가 최적값으로 사료된다. 또한 유전상수가 7. |
김재무, 김수진, 김동호, 정강민, 최홍구, 한철구, 김태근, "사다리꼴 게이트 구조를 갖는 고내압 AlGaN/GaN HEMT", 전자공학회논문지-SD, 제46권, 제 4호, pp. 10-14, April 2009.
정강민, 김수진, 김재무, 김희동, 김태근, "AlGaN/GaN HEMT의 분극현상에 대한 3D 시뮬레이션", 전자공학회논문지-SD, 제 47권, 제 10호, pp. 23-28, Oct. 2010.
Wu Y F, Saxler A, Moore M, Smith R P, Sheppard S, Chavarkar P M, Wisleder T, Mishra U K and Parikh P, "30-W/mm GaN HEMTs by field plate optimization", IEEE Electron Device Lett. 25, pp. 117-119, March 2004.
S.K. Davidsson, M. Gurusinghe, T.G. Andersson and H. Zirath, "The influence of composition and unintentional doping on the two-dimensional electron gas density in AlGaN/GaN heterostructure", Journal of Electronic Materials. 33, pp. 440-444, 2004.
Shreepad Karmalkar and Umesh K.Mishra, "Enhancement of breakdown voltage in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using a Field Plate", IEEE transactions on electron devices, Vol. 48, No. 8, pp. 1515-1521, 2001.
Device simulation software Atlas, Atlas User's Manual, Silvaco international (2007).
S. Selberherr, "Analysis and Simulation of Semiconductor Devices", Springer-Verlag, Wien-New York. 1984.
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