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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.48 no.10 = no.412, 2011년, pp.62 - 66
최민권 (한국외국어대학교 전자공학과) , 김주영 (한국외국어대학교 전자공학과) , 이성현 (한국외국어대학교 전자공학과)
In this study, a new RF method to extract the drain-source voltage Vds-dependent gate-bulk capacitance of deep-submicron MOSFETs is developed by determining Vds-independent gate-source overlap capacitance using measured S-parameters. The accuracy of extraction method is verified by observing good ag...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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MOSFET의 캐패시턴스-전압 (C-V) 특성 곡선은 어디에 사용되는가? | 일반적으로 MOSFET의 캐패시턴스-전압 (C-V) 특성 곡선은 소자의 채널 도핑 분포 추출과 같은 공정특성화와 MOSFET의 AC 모델링을 위해서 중요하게 사용되어 왔다[1]. | |
MHz의 저주파 영역에서 short-channel MOSFET과의 불일치에 의해 모델링 오차가 발생하는 문제점을 극복하기 위해 사용하는 것은? | MHz의 저주파 영역에서 Cgb를 측정하기 위해서는 일반적으로 큰 테스트 소자가 필요하지만, 실제 short-channel MOSFET과의 불일치에 의해 모델링 오차가 발생해왔다. 이를 극복하기 위해 최근에는 GHz 영역에서 측정된 S-파라미터를 사용한 RF 측정방법이 short-channel MOSFET의 적은 Cgb를 추출하는데 사용되고 있다. | |
MOSFET의 saturation 영역에서 RF성능은 어떤 것에 따라 크게 달라지게 되는가? | 또한 MOSFET의 saturation 영역에서 드레인-소스 전압 Vds의 변화에 따라 RF성능이 크게 달라지게 되므로 캐패시턴스의 Vds 종속성을 추출하는 것이 매우 중요하다. MOSFET 모델링 파라미터인 유효 channel 길이 Leff의 Vds 종속성을 알기 위해서는 L ef 추출에 필요한 게이트-벌크 캐패시턴스 Cgb의 Vds 종속성 추출이 중요하다[2~3]. |
고봉혁, 이성현, "고온 종속 RF MOSFET 캐패시턴스-전압 곡선 추출 및 모델링," 전자공학회 논문지 제 47권c 10호, 1-6쪽, 2010년.
J.-Y. Kim, B.-H. Ko, M.-K. Choi,. and S. Lee, "RF extraction method for source/drain overlap and depletion length of deep-submicron RF MOSFETs using intrinsic gate-bulk capacitance", Electronics Letters, Vol. 46, No. 23, pp.1566-1568, 2010.
T.S. Hsieh, Y.W. Chang, W.J. Tsai, and T.C. Lu, "A new Leff extraction approach for devices with pocket implants". Proc. IEEE Int. Conf. on Microelectronic Test Structure, Kobe, Japan, pp. 15-18, March 2001.
A. Ferrero and U. Pisani, "QSOLT: A new fast calibration algorithm for two port S parameter measurements," 38th ARFTG Conference Digest, pp. 15-24, Winter 1991.
J. Cha, J. Cha, and S. Lee, "Uncertainty analysis of two-step and three-step methods for deembedding on-wafer RF transistor measurements," IEEE Trans. Electron Device, Vol. 55, No. 8, pp. 2195-2201, 2008.
S. Lee, "A direct method to extract RF MOSFET model parameters using common source-gate and source drain configurations", Microwave and Optical Technology Letters, Vol.50, No. 4, pp. 915-917, April 2008.
S. Lee, "Direct extraction of substrate parameters for the small-signal model of a RF MOSFET", Asia-Pacific Microwave Conference, pp. 346-349, 2003.
S. Lee, "Accurate RF extraction method for resistances and inductances of sub-0.1 ${\mu}m$ CMOS transistors", Electronics Letters, Vol. 41, No. 24, pp. 1325-1327, 2005.
김종혁, 이용택, 최문성, 구자남, 이성현, "Nano-Scale MOSFET의 게이트길이 종속 차단주파수 추출," 전자공학회 논문지, 제 42권 SD편 12호, 1-8쪽, 2005년.
S.M. Sze "SEMICONDUCTOR DEVICES Physics and Technology", 2nd Edition, John Wiley & Sons, p.103, 2001.
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