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NTIS 바로가기韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.20 no.1, 2011년, pp.42 - 49
이경수 (서울시립대학교 나노과학기술학과) , 김은겸 (서울시립대학교 나노공학과) , 손대호 (서울시립대학교 나노과학기술학과) , 김정호 (서울시립대학교 나노과학기술학과) , 임태경 (서울시립대학교 나노과학기술학과) , 안승만 (서울시립대학교 나노과학기술학과) , 박경완 (서울시립대학교 나노과학기술학과)
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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기존 실리콘 벌크는 어떤 한계가 있었는가? | 광전 소자의 응용으로 자체 발광의 디스플레이와 광통신용 소스가 거론되고 있으며, Si 광전 집적회로는 Si 의 발광 특성과 전계 전류 특성을 혼합하여 나타나는 다기능성을 이용하고자 하는 특징이 있다. 기존의 Si 벌크는 간접천이 형 반도체 특성을 가지고 있기 때문에 임의의 에너지 준위 역이(excitation) 기법으로도 가시광선 및 적외선을 방출하는데 어려움이 있었으나, 근래에 이르러는 나노 미터 크기의 여러 가지 Si 구조에서 효율적으로 빛을 방출 하는 것이 여러 차례 보고되고 있다 [3-5]. 이는 물질의 나노미터 크기에서 나타나는 양자역학적 구속효과와 이러한 크기 구속에 따른 전자 및 홀의 위치 불확실도(uncertainty)의 감소에 의한 것으로, 전자/홀의 웨이브 벡터 (wavevector)의 불확실도의 증가로 이어져 전자-홀 쌍의 직접천이 형 발광 재결합(radiative recombination) 효율이 높아지며, 이에 의하여 가시광선 및 적외선의 방출효율을 증가시키는 효과에 기인한 것으로 보고되고 있다. | |
유전체의 형성 방법은 어떤 것이 있는가? | Si계 유전체 박막 물질에서 박막 물질의 선택과 다양한 형성 기법에 따라 발광 효과를 규명하고 있으며, Si 나노점을 포함하는 SiO2 [3-7] 및 Si3N4 박막 [8,9], Si/SiO2 다층 박막 [10,11]에서 가시광선 방출의 연구 결과가 보고되고 있다. 이러한 유전체의 형성 방법으로, Si 산화물에 Si 이온 주입 방법 [6,7], Si 과포화 유전체 박막을 위한 플라즈마 증착법 [8,9,12,13], 이온 빔 또는 화학 기상 증착법[14-17], 레이저 기화 증착법 [18], 그리고 다층 Si/Si 산화물 형성의 스퍼터링 기법 [10,11]이 사용되고 있다. 이러한 방법으로 생성된 Si 계 유전체 박막에서 빛의 방출은 Si 나노구조의 양자역학적 효과가 주된 원인으로 생각하고 있다. | |
PECVD기법으로 증착한 SiNx 박막의 경우, 무엇이 밴드갭 내에 결함 상태로 존재하고 있는가? | 그러나 일부 플라즈마 화학기상 증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)에 의해 증착된 SiNx 박막의 경우 가시광선 발광의 원인이 박막 내의 결함이라는 연구 결과도 보고되었다 [19,20]. 특히 PECVD기법으로 증착한 SiNx 박막의 경우 다량의 Si와 N 원자의 비결합 본드(dangling bond) 및 ≡Si-Si≡ 결합 등이 밴드갭 내에 결함 상태로 존재한고 있다는 것이 잘 알려져 있다 [21-23]. 이와 같은 결함의 에너지 준위들은 전자의 에너지 천이를 통하여 가시광선 발광 효과를 나타낼 가능성이 매우 크다 [24,25]. |
Light Emission in Silicon: From physics to Device, edited by D. J. Lockwook (Academic Press, SanDiego, 1998), Chapter 1.
L. T. Canham, Nature 408, 411 (2000).
L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, and F. Priolo, Nature 408, 440 (2000).
J. Ruan, P. M. Fauchet, L. Dal Negro, M. Cazzanelli, and L. Pavesi, Appl. Phys. Lett. 83, 5479 (2003).
M. J. Chen, J. L. Yen, J. Y. Li, J. F. Chang, S. C. Tsai, and C. S. Tsai, Appl. Phys. Lett. 84, 2163 (2004).
K. S. Min, K. V. Shcheglov, C. M. Yang, and H. A. Atwater, Appl. Phys. Lett. 69, 2033 (1996).
H. Z. Song and X. M. Bau, Phys. Rev. B 55, 6988 (1977).
N. -M. Park, C. -J. Choi, T. -Y. Seong, and S. -J. Park, Phys. Rev. Lett. 86, 1355 (2001).
B. -H. Kim, C. -H. Cho, T. -W. Kim, N. -M. Park, G. Y. Sung, and S. -J. Park, Appl. Phys. Lett. 86, 091908 (2005).
G. F. Grom, D. J. Lockwood, J. P. McCaffrey, P. M. Fauchet, B. White, J. Diener, D. Kovalev, F. Koch, and L. Tsybeskov, Nature 407, 358 (2000).
M. Zacharias, J. Heitmann, R. Scholz, and U. Kahler, Appl. Phys. Lett. 80, 661 (2002).
M. V. Wolkin, J. Jorne, and P. M. Fauchet, Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).
Y. J. Park, T. K. Lee, C. H. Lee, and E. K. Kim, J. Korean Phys. Soc. 44, 700 (2004).
J. -S. Bae, S. -H. Choi, J. K. Han, and D. W Moon, J. Korean Phys. Soc. 43, 557 (2003).
K. H. Park, Y. Kim, T. H. Chung, H. J. Bark, J. Y. Yi, W. C. Choi, and E. K. Kim, J. Korean Phys. Soc. 39, S283 (2001).
M. -G. Kim, Z. Yun, J. Lyon, S. Cho, Y. J. Park, and E. K. Kim, J. Korean Phys. Soc. 38, 750 (2001).
J. H. Kang, Y. D. Kim, K. M. Cha, H. J. Cheong, and Y. Kim, J. Korean Phys. Soc. 45, 1065 (2004).
S. Lee, B. Y. Park, K. W. Park, C. H. Bae, S. M. Park, C. J. Choi, and S. J. Lee, J. Korean Phys. Soc. 51, S308 (2007).
C. Ko, J. Joo, M. Han, B. Y. Park, J. H. Sok, and K. Park, J. Korean Phys. Soc. 48, 1277 (2006).
M. Wang, D. Li, Z. Yuan, D. Yang, and D. Que, Appl. Phys. Lett. 90, 131903 (2007).
S. Fujita, J. Electronchem. Soc. 132, 398 (1985).
W. L. Warren, P. M. Lenahan. and S. E. Carry, Phys. Rev. Lett. 65, 207 (1991).
T. Shimizu, J. Non-Cryst. Solids 59, 117 (1985).
C. -F. Lin, W. -T. Tseng, and M. S. Feng, J. Appl. Phys. 87, 2808 (2000).
E. Holzenkampfer, F. -W. Richter, J. Stuke, and U. Voget-Grote, J. Non-Cryst. Solids 32, 327 (1979).
K. -M. Lee, T. -H. Kim, J. -D. Hwang, S. H. Jang, K. Y. Jeong, M. S. Han, S. H. Won, J. H. Sok, K. W. Park, and W. -S. Hong, Scripta. Mater. 60, 703 (2009).
A. Iqbal, W. B. Jackson, C. C. Tsai, and J. W. Allen, J. Appl. Phys. 61, 2947 (1987).
P. A. Pundur, J. G. Shavalgin, and V. A. Gritsenko, Phys. Status Solidi. A 94, K107 (1986).
J. Robertson, J. Appl. Phys. 54, 4490 (1983).
J. Robertson and M. J. Powell, Appl. Phys. Lett. 44, 415 (1984).
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