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NTIS 바로가기韓國ITS學會 論文誌 = The journal of the Korea Institute of Intelligent Transportation Systems, v.10 no.1, 2011년, pp.42 - 48
신석우 (광운대학교 전파공학과) , 김형종 (광운대학교 전파공학과) , 최길웅 (광운대학교 전파공학과) , 최진주 (광운대학교 전자융합공학과) , 임병옥 ((주) 삼성탈레스(레이더연구소)) , 이복형 ((주) 삼성탈레스(레이더연구소))
In this paper, a passive load-pull using a GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) bare-chip in X-band is presented. To obtain operation conditions that characteristic change by self-heating was minimized, pulsed drain bias voltage and pulsed-RF signal is employed. An accuracy i...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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전력 증폭기의 출력 전력과 효율 특성은 무엇에 의해 결정되는가? | 출력 전력의 경우 최대 통신 거리를 결정하며, 효율 특성은 시스템 운용비용 및 송신기의 수명과 관련이 있다. 전력 증폭기의 출력 전력과 효율 특성은 소스와 부하 임피던스에 의해 결정된다. 따라서 설계 사양에 따라 최적의 임피던스를 찾는 것이 중요 하다. | |
본 연구에서 열로 인한 특성 변화가 최소화된 동작 조건을 얻기 위해 무엇을 펄스로 인가하였나? | 본 논문에서는 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) bare-chip을 이용하여 X-대역에서 수동로드 풀(Passive load-pull)을 수행하였다. 열로 인한 특성 변화가 최소화 된 동작 조건을 얻기 위해 드레인 바이어스 전압과 입력 RF 신호를 펄스로 인가하였다. 전자기장 시뮬레이션과 회로 시뮬레이션을 병행하여, 와이어 본딩 효과를 고려하여 드레인 경계면에서의 정확한 임피던스 정합 회로를 구현하였다. | |
GaN HEMT의 단점은? | 또한 높은 전력 밀도 특성을 갖기 때문에 시스템의 크기를 크게 줄일 수 있는 장점을 갖고 있다. 하지만 트랜지스터의 온도 상승과 게이트 주변에서의 전자의 갇힘(Trapping)에 의한 드레인 전류가 감소하는 단점이 있다. |
J. Hoversten, M. Roberg and Z. Popovic, "Harmonic load pull of high-power microwave devices using fundamental-only load pull tuners," 75th ARFTG, pp.1-4, 28 May 2010.
G. Simpson, "A comparison of harmonic tuning methods for load pull systems," Maury Microwave Corporation, Ontario, California, Available at: http: //www.maurymw.com, Jul. 2009.
Z. Aboush, J. Lees, J. Benedikt and P. Tasker, "Active harmonic load-pull system for characterizing highly mismatched high power transistors," IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., pp.1311-1314, Jun. 2005.
U. K. Mishra, P. Parikh and Y. Wu, "AlGaN/GaN HEMTs-An overview of device operation and applications," Proc. of the IEEE, vol.90, no.6, pp.1022-1031, Jun. 2002.
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