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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.24 no.9, 2011년, pp.718 - 722
우종창 (중앙대학교 전자전기공학부) , 주영희 (중앙대학교 전자전기공학부) , 박정수 (중앙대학교 전자전기공학부) , 김창일 (중앙대학교 전자전기공학부)
In this work, we investigated to the etching characteristics of the TiN thin film in He/
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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High-k 물질의 장점은? | 이런 물질로는 HfO2, Al2O3, ZrO2 등과 같이 유전상수가 크고, 밴드 캡 에너지가 높은 High-k 물질들이 있다. High-k 물질들은 터널링 문제를 해결하고 얇은 게이트 두께에도 정전용량을 보이는 것으로 알려졌다. 하지만, 실리콘과 결합할 경우 경계층에 산화막이 형성되는 문제점을 가지고 있다. | |
High-k 물질 사용시 발생하는 문제는? | High-k 물질들은 터널링 문제를 해결하고 얇은 게이트 두께에도 정전용량을 보이는 것으로 알려졌다. 하지만, 실리콘과 결합할 경우 경계층에 산화막이 형성되는 문제점을 가지고 있다. 따라서 High-k 물질을 사용하기 위해 호환성이 좋은 물질을 전극으로 사용하여야 한다 [1-3]. | |
TiN의 특성은? | 이 중에 TiN 은 High-k 물질들의 전극으로 사용되기에 매우 적당한 물질이다. TiN 은 호환성이 우수하고, 낮은 비저항, 우수한 강도, 열역학 및 화학적 안정성과 낮은 확산 계수 등을 가지고 있다. 이런 이유로 인하여, 지금까지의 전극이나 Cu, Al의 확산 방지막 그리고 식각공정 시 하드 마스크로 사용되기도 한다 [4-6]. |
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