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반도체/디스플레이 공정 플라즈마 기초와 응용 원문보기
인포메이션 디스플레이 = Information display, v.12 no.5, 2011년, pp.2 - 15
장홍영 (한국과학기술원 물리학과)
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질의응답
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 진정한 의미의 플라즈마란 무엇인가? | 이때의 플라즈마는 저온에 있는 고체물질에 열을 가하면 녹아 액체로 변하고, 증발하여 가스로 변화되며, 열을 더 증가하면 각 원자들은 전자들과 양이온들로 깨져 물질의 제 4상태가 된다고 보았다. 그러나 진정한 의미의 플라즈마란 자유 하전입자인 전자, 이온 및 중성입자로 구성되어 있으며, 전기적으로는 중성인 성질을 가지고 있는 상태라는 개념이 1928년 Langmuir에 의해 처음 도입되었다.[1] 이와 같이 가스 플라즈마는 백년 넘게 하나의 연구주제가 되어 왔으며, 플라즈마 물리의 기초는 19세기 말 원자물리의 발전에 크게 힘을 입었다고 Raizer[2]는 지적하고 있다. | |
| 반도체/디스플레이 제조공정에 응용되는 플라즈마의 세 부류는? | 반도체/디스플레이 제조공정에 응용되는 플라즈마는 크게 세 가지 부류로 나눌 수 있다. 이 세가지 부류에는 플라즈마 에싱(ashing), 플라즈마 CVD, 플라즈마 식각이 있다. | |
| 환경적인 측면에서 플라즈마 식각이나 증착들이 요구되는 이유는? | 플라즈마 식각이나 플라즈마 증착들이 요구되어지는 또 다른 이유는 플라즈마는 가스 상태이고 효율성이 뛰어나므로 습식 식각에 비하여 공정 중 발생되는 폐기물량이 매우 적어 환경오염을 상당히 억제시킬 수 있는 장점과 웨이퍼를 진공 속에 두고 반송 자동화를 시킬 수 있어 외부로부터의 오염을 억제할 수 있는 장점을 가지고 있기 때문이다. 현재 공정용 플라즈마는 여러 가지 박막 증착기술(Sputtering, PECVD, Anodization과 Planarization)과 플라즈마 식각에 활발히 응용되고 있다. |
참고문헌 (56)
-
J. R. Roth, IndustrialPlasmaEngineering (IOP.,Bristol, 1995), Vol.1.
-
Y. P. Razier, Gas Discharge Physics(Springer-Verlag, Berlin,1991).
-
J. W. Coburn and H. F. Winters, Ann. Rev. Mater. Sci. 13,91(1983).
-
D. L. Tolliver, The History of Plasma Processing in VLSI Electronics Microstructure Science (Academic Press, Florida,1984), Vol.8.
-
S. M. Irving, Kodak Photoresist Sem. Proc., Vol.2, May, (1968)
-
S. Fang, S. Murakawa and J. P. Mcvittie, IEEE Trans. Electron Devices 41,1848(1994).
-
S. Ma, J. P. Mcvittie, and K. C. Sarawat, IEEE Trans. Electron Device Lett. 16,534(1995).
-
C. H. Chien, C. Y. Chang, H. C. Lin and T. Y. Huang, IEEE Trans. Electron Device Lett. 18,33(1997).
-
W. Kern and V. S. Ban, Thin Film Processes (Academic, NewYork,1978).
-
W. Kern and G. L. Schnable, IEEE Trans. Electron Devices ED-26,647(1979).
-
E. C. Douglas, Solid State Technol. 24,65(1981).
-
H. F. Sterling and R. C. G. Swann, Solid State Electron 8,653(1965)
-
A. R. Reinberg, Electrochemical Soc. 91 (1976).
-
H. Dun, P. Pan, F. R. White and R. W. Douse, J. Electrochem. Soc. 128,1556(1981).
-
V. S. Nguyen, Electrochem. Soc. Ext. Abs. 83-1, 216(1983).
-
W. Kern and R. S. Rosier, J. Vac. Sci. Technol. 14,1082 (1977).
-
G. M. Samuelson and K. M. Mar, J. Electrochem. Soc. 129,1773(1982).
-
K. Koyama, K. Takasaki, M. Maeda and M. Takagi 3rd. Symp. Plasma Processing, Vol. 82-6, Electrochem. Soc. 479 (1982).
-
W. A. Bryant, J. Electrochem. Soc. 125,1534(1978).
-
J. K. Chu, M. S. Thesis, University of California, Berkeley (1982).
-
K. Akimoto and K. Watanabe, Appl. Phys, Lett. 39,445(1981).
-
M. Sugawara, Practical Dry Etching Process, Realize, Tokyo, (1992).
-
J. Proud and R. A. Gottscho, Plasma Processing of Materials, Scientific Opportunities and Technological Challenges(NationalAcademy,Washington,1991).
-
E. S. G. Shaqfeh and C. W. Jurgensen, J. Appl. Phys. 66,4664(1989).
-
S. M. Rosnagel, J. J. Cuomo and W. D. Westwood, Handbook of Plasma Processing Technology (NoyesPublication, NewJersey,1990).
-
Y. Hikosaka, M. Nakamura and H. Sugai, Jpn. J. Appl. Phys. 33,2157(1994).
-
I. Alexeff and W. D. Jones, Appl. Phys. Lett. 9,77(1966)
-
K.R.Mackenzie, R. J. Taylor, D. Cohn, E. Ault and H. Ikezi, Appl. Phys. Lett. 18,529(1971)
-
N. Herschkowitz, M. H. Cho and J. Pruski, Plasma Source Sci. Technol. 1,87(1992)
-
N. Sato, S. Lizuka, T. Kozumi and T. Takada, Appl. Phys. Lett. 62,567(1993)
-
K. Kato, S. Lizuka and N. Sato, Appl. Phys. Lett. 65,816 (1994).
-
S. Ashida, C. Lee and M. A. Liberman, J. Vac. Sci. Technol. A13,2498(1995).
-
A. J. T. Holmes, Rev. Sci. Instrum. 53(10),1523(1982).
-
T. H. Ahn, Ph.D. -Thesis, University of Nagoya, Nagoya, Japan, March (1997).
-
T. Tajima, Computational Plasma Physics: Applications to Fusion and Astrophysics (Addison-Wesley,CA,1989).
-
C. K. Birdsall and A. B. Langdon, Plasma physicsvia Computer Simulation (McGraw-Hill, NewYork, 1985).
-
R. W. Hockney and J. W. Eastwood, Computer Simulation Using Particles(IOP., Bristol,1988).
-
A. D. Richards, B. E. Thompson and H. H. Sawin, Appl. Phys. Lett. 50,492(1987)
-
C. K. Birdsall, IEEE Trans. Plasma Sci. 19,65(1991).
-
R. K. Porteous, H. M. Wu and D. B. Graves, Plasma Sources Sci. and Technol. 3,25(1994).
-
M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (JohnWiley and Sons, NewYork,1994).
-
C. T. Gabriel and J. P. MoVittie, Solid State Technol. 81 (1992).
-
J. E. Stevens, Y. C. Huang, R. L. Jarecki and J. L. Cecchi, J. Vac. Sci. Technol. A10,1270(1992).
-
R. W. Boswell, Phys. Lett. A33,457(1970).
-
F. F. Chen, Plasma Phys. and Control. Fusion 33,339(1991).
-
K. P. Shamrai, V. P. Pavlenko and V. B. Taranov, Plasma Phys. Control. Fusion 39,505(1997).
-
J. Hopwood, Plasma Sources Sci. Techmol. 1,109 (1992)
-
V. A. Godyak, R. B. Piejak and B. M. Alexandrovich, Plasma Sources Sci. Technol. 1, 36 (1992).
-
G. R. Branner, E. M. Friar and G. Medicus, Rev. Sci. Instrument 34,231(1962).
-
F. M. Ma and S. Taylor, IEE Proc.-Sci. Meas. Technol. 143,71(1996).
-
G. Bruno, P. Capezzuto and G. Cicala, J. Appl. Phys. 69,7256(1991).
-
R. A. Gottscho and T. A. Miller, Pure Appl. Chem. 56,189(1984).
-
A. A. Howling, J. L. Dorier and C. Hollenstein, Appl. Phys. Lett. 62,1341(1993).
-
J. S. Logan and J. J. McGill, J. Vac. Sci. Technol. A10,1875(1992).
-
G. H. Bai, S. H. Seo and H. Y. Chang, J. Korean Vac. Soc. 7,273(1998).
-
S. Samukawa and T. Nakano, J. Vac. Sci. Technol. A14,1002(1996).
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