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NTIS 바로가기인포메이션 디스플레이 = Information display, v.12 no.4, 2011년, pp.15 - 23
박기찬 (건국대학교 전자공학부)
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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a-Si(amorphous silicon) TFT의 장단점은? | 현재 가장 빠르게 성장하고 있는 디스플레이 기술인 AMOLED(active-matrix organic light-emitting diode) 디스플레이는 LTPS(low-temperature polycrystalline silicon) TFT(thin film transistor) 기판(backplane)을 사용하여 생산하고 있다[1-3]. 기존의 LCD(liquid crystal display)에 널리 사용되는 a-Si(amorphous silicon) TFT는 낮은 공정비용과 높은 수율, 우수한 균일도 등의 장점이 있음에도 불구하고, 지속적으로 켜두면 문턱전압이 심각하게 변하는 문제점이 있어서 AMOED의 화소 구동에는 적합하지 않다[4-6]. | |
AMOLED 디스플레이는 어떤 기판을 사용하여 생산하는가? | 현재 가장 빠르게 성장하고 있는 디스플레이 기술인 AMOLED(active-matrix organic light-emitting diode) 디스플레이는 LTPS(low-temperature polycrystalline silicon) TFT(thin film transistor) 기판(backplane)을 사용하여 생산하고 있다[1-3]. 기존의 LCD(liquid crystal display)에 널리 사용되는 a-Si(amorphous silicon) TFT는 낮은 공정비용과 높은 수율, 우수한 균일도 등의 장점이 있음에도 불구하고, 지속적으로 켜두면 문턱전압이 심각하게 변하는 문제점이 있어서 AMOED의 화소 구동에는 적합하지 않다[4-6]. | |
TFT의 구동시간의 경과에 따라서 문턱전압이 변하면 잔상 및 휘도 변화가 심각하게 발생하는 이유는? | LCD의 화소 스위치로 사용하는 TFT에는 양의 게이트 전압과 음의 게이트 전압이 주기적으로 반복해서 인가되므로 a-Si TFT를 사용해도 문턱전압 변동이 심하지 않고, 문턱전압이 다소 변하더라도 TFT는 단순한 스위치 역할만 하므로 액정에 인가되는 전압은 영향을 받지 않는다. 반면에 AMOLED에서 TFT는 단순한 스위치가 아니라 신호전압에 따라서 OLED에 흐르는 전류를 미세하게 결정하는 전류원의 역할을 하므로 TFT 문턱전압의 작은 변화는 각 화소의 휘도에 결정적인 영향을 미친다. 따라서 TFT의 구동시간 경과에 따라서 문턱전압이 변하면 잔상 및 휘도 변화가 심각하게 발생한다. |
D.Y. Choi, Y.S. Park, B.Y. Chung, B.H. Kim, S.S. Kim, SID '10 Digest, 802 (2010).
S.M. Choi, C.K. Kang, S.W. Chung, M.J. Kim, M.H. Kim, K.N. Kim, B.H. Kim, SID '10 Digest, 798 (2010)
K.Y. Lee, SID '11 Digest, 175 (2011).
T. Hasumi, S. Takasugi, K. Kanoh, and Y. Kobayashi, SID '06 Digest, 1547 (2006).
J.H. Lee, S.G. Park, J.H. Jeon, J.C. Goh, J.M. Huh, J. Choi, K. Chung, and M.K. Han, AMFPD 2006, 300 (2006).
C.W. Kim, J.G. Jung, J.B. Choi, D.H. Kim, C. Yi, H.D. Kim, Y.H. Choi, J. Im, SID '11 Digest, 862 (2011).
Y.J. Chang, J.H. Oh, S.H. Jin, S.H. Park, M.H. Choi, W.K. Lee, J.B. Choi, H.D. Kim, S.S. Kim, SID '11 Digest, 874 (2011).
H.D. Kim, J.K. Jeong, H.J. Chung, Y.G. Mo, SID '08 Digest, 291 (2008).
J.H. Choi, C. You, J. Choi, K. Cho, D. Kwon, H.D. Kim, S.S. Kim, SID '10 Digest, 1352 (2010).
T. Kamins, Polycrystalline Silicon for Integrated Circuits and Displays (1998).
K.C. Park, J.H. Jeon, Y.I. Kim, J.B. Choi, Y.J. Chang, Z.F. Zhan, C.W. Kim, Solid State Elect. 52, 1691 (2008).
M.H. Lee, S.M. Seop, J.S. Kim, J.H. Hwang, H.J. Shin, S.K. Cho, K.W. Min, W.K. Kwak, S.I. Jung, C.S. Kim, W.S. Choi, S.C. Kim, E.J. Yoo, SID '09 Digest, 802 (2009).
H.K. Chung, K.Y. Lee, SID '05 Digest, 956 (2005).
I. Lee, C. Im, Y. Kim, D. Kwon, J. Kim, M. Ko, J. Yun, J. Yeo, J. Im, S. Kim, SID '11 Digest, 101 (2011).
이호년, 한국정보디스플레이학회지 7 (2), 10 (2006).
Coherent Product Catalog, Excimer Lasers.UV Optical Systems (2011).
J.B. Choi, Y.J. Chang, C.H. Park, Y.I. Kim, J.H. Eom, H.D. Na, I.D. Chung, S.H. Jin, Y.R. Song, B. Choi, H.S. Kim. K. Park, C.W. Kim, J.H. Souk, Y. Kim, B. Jung, K.C. Park, SID '08 Digest, 97 (2008).
J.B. Choi, C.H. Park, I.D. Chung, K.H. Lee, H.K. Min, C.W. Kim, S.S. Kim, SID '09 Digest, 88 (2009).
S.H. Jung, H.K. Lee, C.Y. Kim, S.Y. Yoon, C.D. Kim, I.B. Kang, SID '08 Digest, 101 (2008).
H.S. Seo, C.D. Kim, I.B. Kang, I.J. Chung, M.C. Jeong, J.M. Myoung, D.H. Shin, J. of Cryst. Growth, 310, 5317 (2008).
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