최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.24 no.11, 2011년, pp.900 - 904
김유미 (충남대학교 전자공학과) , 정광석 (충남대학교 전자공학과) , 윤호진 (충남대학교 전자공학과) , 양승동 (충남대학교 전자공학과) , 이상율 (충남대학교 전자공학과) , 이희덕 (충남대학교 전자공학과) , 이가원 (충남대학교 전자공학과)
In this paper, we investigated an anomalous hump phenomenon under the positive bias stress in p-type LTPS TFTs. The devices with inferior electrical performance also show larger hump phenomenon. which can be explained by the sub-channel induced from trapped electrons under thinner gate oxide region....
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
LTPS TFT에서 기생채널이 나타나는 이유는? | 특히 비정상적인 hump가 나타난 경우, off 조건에서도 드레인 전류가 흐르기 때문에 power 소비 및 디스플레이의 휘도 열화 등 매우 심각한 문제를 야기할 수 있다[6]. 이러한 hump는 주 채널 이외에 기생채널이 형성됨으로써 나타나게 되는데 기생채널이 발생하는 원인으로 게이트 절연체가 채널 폭 방향의 가장자리에서 얇게 형성됨으로써 바이어스 스트레스 인가 시에 열화가 크게 일어나고 이로 인해 더 많은 캐리어가 트랩되어 제 2의 채널이 형성된다는 선행 연구 결과가 보고된 바 있다 [7]. 이 경우 hump는 소자의 폭 크기에 의존하지 않고 동일한 게이트 전압에서 동일한 전류를 가지게 된다. | |
저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터가 평판디스플레이 적용을 위해 많이 연구되고 있는 이유는? | 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 (low temperature poly-si thin film transistor, LTPS TFT)는 높은 이동도 특성을 가지기 때문에 AMLCD와 같은 평판디스플레이 적용을 위해 많이 연구되고 있다 [1-3]. 그러나 디스플레이 구동회로에서 LTPS TFT는 CMOS (complementary metal–oxide–semiconductor) 인버터 구조로 설계가 되고있기 때문에, n-type의 소자가 on 상태일 때, p-type 소자에서는 PBS (positive bias stress)를 받는 상황이 된다. | |
저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에서 비정상적인 hump가 나타난 경우 어떤 문제점을 야기할 수 있는가? | 이러한 구동소자의 열화 현상은 장기적 신뢰성 문제에 있어서 매우 심각한 문제점으로 대두되고 있으며, p-type의 LTPS TFT에서 누설전류와 PBS 신뢰성 분석이 중요한 관심사가 되고 있다 [4,5]. 특히 비정상적인 hump가 나타난 경우, off 조건에서도 드레인 전류가 흐르기 때문에 power 소비 및 디스플레이의 휘도 열화 등 매우 심각한 문제를 야기할 수 있다[6]. 이러한 hump는 주 채널 이외에 기생채널이 형성됨으로써 나타나게 되는데 기생채널이 발생하는 원인으로 게이트 절연체가 채널 폭 방향의 가장자리에서 얇게 형성됨으로써 바이어스 스트레스 인가 시에 열화가 크게 일어나고 이로 인해 더 많은 캐리어가 트랩되어 제 2의 채널이 형성된다는 선행 연구 결과가 보고된 바 있다 [7]. |
T. Serikawa, S. Shirai, A. Okamoto, and S. Suyama, IEEE Trans. Elec. Dev., 36, 1929 (1989).
K. Chung, M. P. Hong, C. W. Kim, and I. Kang, IEDM Tech. Dig., 385 (2002).
Y. C. Wu, T. C. Chang, P. T. Liu, C. S. Chen, C. H. Tu, H. W. Zan, Y. H. Tai, and C. Y. Chang, IEEE Trans. Elec. Dev., 52, 2343 (2005).
M. W. Ma, C. Y. Chen, W. C. Wu, C. J. Su, K. H. Kao, T. S. Chao, and T. F. Lei, IEEE Trans. Elec. Dev., 55, 1153 (2008).
J. G. Fossum, A. Oritz-Vonde, H. Shichijo, and S. K. Banerjee, IEEE Trans. Elec. Dev., 32, 1878 (1985).
C. F. Huang, C. Y. Peng, Y. J. Yang, H. C. Sun, H. C. Chang, P. S. Kuo, H. L. Chang, C. Z. Liu, and C. W. Liu, IEEE Electron Device Lett., 29, 1332 (2008).
W. K. Park, J. H. Lee, and G. Lim, IEEE Electron Device Lett., 25, 532 (2004).
C. T. Tsai, T. C. Chang, S. C. Chen, I. Lo, S. W. Tsao, M. C. Hung, J. J. Chang, C. Y. Wu, and C. Y. Huang, Appl. Phys. Lett., 96, 242105 (2010).
M. Mativenga, M. H. Choi, J. Jang, R. Mruthyunjaya, T. J. Tredwell, E. Mozdy, and C. K. Williams, IEEE Trans. Elec. Dev., 58, 2440 (2011).
H. R. Park, D. Kwon, and J. D. Cohen, J. Appl. Phys., 83, 8051 (1998).
C. S. Lin, Y. C. Chen, T. C. Chang, H. W. Li, S. C. Chen, F. Y. Jian, Y. S. Chuang, T. C. Chen, Y. C. Chen, and Y. H. Tai, J. Electrochem. Soc., 157, H1003 (2010).
Sigurd Wagner and C. N. Berglund, Rev. Sci. Instrum., 43, 1775 (1972).
J. Levinson, F. R. Shepherd, P. J. Scanlon, W. D. Westwood, G. Este, and M. Rider, J. Appl. Phys., 53, 1193 (1982).
R. E. Proano, R. S. Misage, D. G. Ast, IEEE Trans. Elec. Dev., 36, 1915 (1989).
R. L. Weisfield and D. A. Anderson, Phil. Mag. B 44, 83 (1981).
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
Free Access. 출판사/학술단체 등이 허락한 무료 공개 사이트를 통해 자유로운 이용이 가능한 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.