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초록
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전기도금법으로 제작한 CoPt 자성막의 두께가 자기상호작용과 자기적 성질에 미치는 영향을 잔류자기화 곡선과 자기이력 곡선을 측정 분석하여 규명하였다. CoPt 자성막의 두께가 증가함에 따라 수직 보자력과 포화자화가 증가하였으나 각형비는 급격히 감소하였다. 잔류자화 곡선의 분석결과로부터 모든 시료의 주된 자기상호작용 기구는 쌍극자 상호작용이며, 시료의 두께가 증가함에 따라 상호작용의 세기가 증가함을 알 수 있었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The influence of thickness on magnetic interaction and magnetic properties in electrodeposited CoPt magnetic films was investigated from the analysis of the magnetic remanence curves and the magnetic hysteresis loops. As the thickness of the CoPt film is increased, the perpendicular coercivity and t...

주제어

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문제 정의

  • 따라서 본 연구에서는 수직 자기기록 매체로 응용 가능성이 큰 CoPt 자성막을 전기도금법으로 제작하여 두께에 따른 자기상호작용 기구와 세기 등을 규명하도록 한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
전기도금법으로 성장시킨 합금 자성막 중 수직 자기기록 매체로서의 가능성이 높은 합금은 무엇이 있는가? 전기도금법으로 성장시킨 합금 자성막 중 수직 자기기록 매체로서의 가능성이 큰 합금으로는 CoPt(P)[2, 3]와 FePt[4, 5]등이 있는데, 이들 중 성장조건에 따라 면심 정방구조(fct: face centered tetragonal)를 갖는 CoPt의 경우는 기존의 Co계 합금에 비해 수직 자기이방성이 월등히 커 고밀도 수직 자기기록 매체로 이용 가능성이 높아 이에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다.
고밀도 자기기록 매체가 되기 위한 조건은? 고밀도 자기기록(High Density Magnetic Recording: HDMR) 매체가 되기 위해서는 보자력이 크고 자성입자 크기가 가능한 작아야 하지만, 기록된 정보의 열적 안정성이 확보되기 위해서는 KuV/kBT ≥ 60 조건을 만족해야 하므로 자기이방성 상수(Ku)와 자성입자의 물리적 부피(V)가 가능한 커야 한다[1]. 고밀도 자기기록 매체로 알려진 수직 자기이방성(Perpendicular Magnetic Anisotropy: PMA)을 갖는 다층박 막이나 광자기기록 매체는 주로 고진공 하에서 제작하므로 두께가 일정하고 균질성은 좋으나 제작단가가 높고 대량 생산이 어려운 단점이 있다.
magnetic switching volume에 영향을 미치는 요인은? 일반적으로 결맞음(coherent) 회전을 하는 단자구 입자로 이루어진 자기기록 매체의 경우는 물리적 부피가 저장된 정보의 수명과 관련된 열적 안정성 및 기록밀도를 평가하는데 있어 중요한 물리량으로 작용하지만, 다자구(multidomain)로 형성된 다양한 크기의 낟알(grain)로 구성된 자기기록 매체는 물리적 부피가 아닌 자기역전부피(magnetic switching volume: V*)가 이들에 영향을 끼치는 중요한 물리량으로 취급되고 있다. 이 자기역전부피는 시료의 물리적 부피와는 달리 자화역전 기구, 자기상호작용 세기 및 기구 등에 영향을 받는 것으로 알려져 있다. 특히 자기기록 매체의 여러 가지 성질 중 자기상호작용은 자기역전부피와 관련될 뿐만 아니라 정보의 신호 대 잡음비(S/N)를 평가하는 중요한 척도가 되는 것으로 알려져 있다.
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참고문헌 (25)

  1. S. H. Charap, P.-L. Lu, and Y. He, IEEE Trans. Magn. 31, 2737(1995). 

  2. K. H. Lee, S. W. Kang, G. H. Kim, and W. Y. Jeung, J. Magn. Magn. Mater. 272-276, e925 (2004). 

  3. M. Corts, S. Matencio, E. Gmez, and E. Valls, J. Magn. Magn. Mater. 627, 69 (2009). 

  4. F. M. F. Rhen, G. Hinds, C. O'Reilly, and J. M. D. Coey, IEEE Trans. Magn. 39, 2699 (2003). 

  5. F. M. F. Rhen and J. M. D. Coey, J. Magn. Magn. Mater. 322, 1572 (2010). 

  6. S. Franz, M. Bestetti, and P. L. Cavallotti, J. Magn. Magn. Mater. 316, e173 (2007). 

  7. M. Ghidini, G. Zangari, I. L. Prejbeanu, G. Pattanaik, L. D. Buda-Prejbeanu, G. Asti, C. Pernechele, and M. Solzi, J. Appl. Phys. 100, 103911 (2006). 

  8. W. M. Liao, S. K. Chen, F. T. Yuan, C. W. Hsu, and H. Y. Lee, J. Magn. Magn. Mater. 303, e243 (2006). 

  9. F. M. F. Rhen and J. M. D. Coey, J. Magn. Magn. Mater. 272-276, e883 (2004). 

  10. G. Zangari, P. Bucher, N. Lecis, P. L. Cavallotti, L. Callegaro, and E. Puppin, J. Magn. Magn. Mater. 157/158, 256 (1996). 

  11. M. L. Yan, Y. Liu, S. H. Liou, and D. J. Sellmyer, IEEE Trans. Magn. 37, 1671 (2001). 

  12. M. Yu, Y. Liu, and D. J. Sellmyer, J. Appl. Phys. 87, 6959 (2000). 

  13. L. Callegaro, E. Puppin, P. L. Cavallotti, and G. Zangari, J. Magn. Magn., Mater. 155, 190 (1996). 

  14. I. Zana, G. Zangari, and M. Shamsuzzoha, J. Electrochem. Soc. 151, C637 (2004). 

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  19. H. Kronmller, K. D. Durst, and M. Sagawa, J. Magn. Magn. Mater. 74, 291 (1988). 

  20. A. R. Corradi and E. P. Wohlfarth, IEEE Trans. Magn. 14, 861 (1978). 

  21. O. Henkel, Phys. Status Solid. 7, 919 (1964). 

  22. P. E. Kelly, K. O'Grady, P. I. Mayo, and R. W. Chantrell, IEEE Trans. Magn. 25, 3881 (1989). 

  23. P. I. Mayo, K. O'Grady, R. W. Chantrell, J. A. Cambridge, I. L. Sanders, T. Yogi, and J. K. Howard, J. Magn. Magn. Mater. 95, 109 (1991). 

  24. E. M. T. Velu and D. N. Lambeth, IEEE Trans. Magn. 28, 3249 (1992). 

  25. E. W. Singleton, Z. S. Shan, S. Y. Jeong, and D. J. Sellmyer, IEEE Trans. Magn. 31, 2743 (1995). 

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