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전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.25 no.1, 2012년, pp.1 - 5
장재형 (충남대학교 전자공학과) , 권혁민 (충남대학교 전자공학과) , 정의정 (충남대학교 전자공학과) , 곽호영 (충남대학교 전자공학과) , 권성규 (충남대학교 전자공학과) , 이환희 (충남대학교 전자공학과) , 고성용 , 이원묵 , 이성재 (충남대학교 전자공학과) , 이희덕 (충남대학교 전자공학과)
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In this paper, matching characteristic of MIM (metal-insulator-metal) capacitor with
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| MIM 캐패시터에는 어떠한 물질들이 많이 사용되는가? | 최근 scale down으로 인한 추세에 맞게 더욱 더 작은 소자들의 면적이 요구되고 있으며 아날로그/RF 집적회로에 상당부분을 차지하고 있는 MIM 캐패시터의 면적 또한 축소의 필요성이 요구되고 있다. 따라서 Ta2O5 (tantalum oxide), Al2O3 (alumina) 또는 HfO2 (hafnium oxide)등의 High-k 물질들이 MIM 캐패시터에 많이 사용되어 지고 있다 [1-5]. 또한 여러 High-k 물질이 적용된 MIM 캐패시터의 일반적인 특징이나 신뢰성에 대한 연구가 활발히 진행되어지고 있으며, SHS (SiO2/HfO2/SiO2)나 AHA (Al2O3/HfO2/Al2O3)의 적층 구조들이 역시 최근 보고되었다 [6]. | |
| AHA 구조의 장점은? | 또한 여러 High-k 물질이 적용된 MIM 캐패시터의 일반적인 특징이나 신뢰성에 대한 연구가 활발히 진행되어지고 있으며, SHS (SiO2/HfO2/SiO2)나 AHA (Al2O3/HfO2/Al2O3)의 적층 구조들이 역시 최근 보고되었다 [6]. 특히 AHA 구조는 높은 정전용량 밀도의 특성을 갖는 장점이 있다. 하지만 AHA 구조를 갖는 캐패시터의 정합 (matching) 특성과 관련한 연구 결과는 아직 미흡한 상태이다. | |
| 캐패시터의 면적이 줄어듬에 따라 정전용량 값 유지를 위해 high-k 물질을 사용하는 것이 요구되지만, 인접 소자 간의 정합 특성 또한 확인해야하는 이유는? | 캐패시터의 면적이 줄어들면서 같이 줄어들 수 밖에 없는 정전용량 값을 유지하기 위해 유전율이 높은 High-k 물질을 사용하는 것이 필요하지만, 적정 정전용량 값을 유지하는 만큼, 쌍으로 설계될 시 인접 소자 간의 정합 특성 또한 어떻게 변하는지 확인이 필요하다. 왜냐하면 일반적인 아날로그 회로에서 여러 소자들이 인접하게 설계되어 쌍으로 구동하는 경우가 많기 때문이다. 즉, 집적회로를 설계할 때 인접 소자의 특성은 동일하다고 가정하여 설계되어지지만 만일 인접 소자 간의 특성 차이가 발생하게 되면, 예상 결과와 달라지거나 심한 경우 회로가 동작하지 않는 문제점이 발생하게 된다. |
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