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유기발포제에 따른 적층형 PTC(Positive Temperature Coefficient of Resistance) 써미스터의 전기적 특성
Electric Properties of the Laminate Type PTC(Positive Temperature Coefficient of Resistance) Thermistor According to Polymer Blowing Agent 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.22 no.12, 2012년, pp.658 - 663  

이미재 (한국세라믹기술원) ,  황종희 (한국세라믹기술원) ,  김진호 (한국세라믹기술원) ,  임태영 (한국세라믹기술원)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The electrical properties of a laminated SMD type PTC thermistor for microcircuit protection were investigated as a function of polymer blowing agent addition. Green ceramics for multilayered $BaTiO_3$-based PTCRs were formed by doctor blade method of barium titanate powders; we successfu...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 따라서, 본 연구에서는 기존 기공전구체인 카본대신 발포촉진제 없이 저온 가공이 가능하고, 독립기포를 생성하기 쉽고, 분해 온도가 155~165℃ 정도로 낮으며, 잔량이 거의 없는 diphenyl oxide 4,4'-di-sulphohydrazide(OBSH)를 이용하여 적층 SMD형 PTC 써미스터를 제조하였다. 이렇게 제조한 시편은 출발원료의 하소유무와 발포제 첨가량과 소결조건에 따른 PTCR 특성에 대해 규명하고자 하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
PTC 써미스터의 특징은? 일반적으로 PTC 써미스터는 강유전체이며 상온에서 1010Ω·cm 이상의 높은 비저항으로 절연체 특성을 갖는 BaTiO3를 주성분으로 하고, 여기에 도판트로서 Nb, Sb, Y 등의 희토류 원소를 미량 첨가하여 N-type 반도체로 제조하여 사용한다. 이때 PTC 써미스터는 BaTiO3에 의해 생성된 상전이온도 부근에서 저항이 급격히 증가하는 PTCR(Positive Temperature Coefficient Resistivity) 현상을 나타낸다.
PTC 특성의 발현과 관련하여 Heywang 은 어떤 모델을 이용하여 설명하였는가? 이때 PTC 써미스터는 BaTiO3에 의해 생성된 상전이온도 부근에서 저항이 급격히 증가하는 PTCR(Positive Temperature Coefficient Resistivity) 현상을 나타낸다. PTC 특성의 발현과 관련하여 Heywang 은 입계의 이중 쇼트키 장벽 모델을 이용하여 설명하였으며, 전체 비저항은 전위장벽의 높이에 의해 결정되어 진다. 따라서 비저항은 입계 전위 장벽과 온도 함수에 의해 주어지게 되며, 이러한 특성들은 입계의 산소 흡착에 의한 억셉터 상태로 설명할 수 있다.
적층 SMD(surface mounted device)형 PTC 써미스터의 장점은? 최근 전자기기의 소형화, 고 신뢰성화, 소비전력 억제 추세에 따라 과전류 보호용 소자로 적층 SMD(surface mounted device)형 PTC(positive temperature coefficient of resistance) 써미스터가 주목받고 있다. 다른 과전류 보호 소자보다 안정성, auto-reset, 간단한 회로 구성에 대한 장점이 있는 적층 SMD형 PTC 써미스터에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.1-6)
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참고문헌 (14)

  1. M. Valant, D. Suvorov, R. C. Pullar, K. Sarma and N. M. Alford, J. Eur. Ceram. Soc., 26, 2777 (2006). 

  2. J. M. Haussonne, G. Desgardin, P. Bajolet and B. Raveau, J. Am. Ceram. Soc., 66(11), 801 (1983). 

  3. J. Qi, W. Chen, H. Wang, Y. Wang, L. Li, H. L. W. Chan, Sens. Actuators, A, 116, 215 (2004). 

  4. D. A. Tolino and J. B. Blum, J. Am. Ceram. Soc., 68(11), C-292 (1985). 

  5. M. J. Lee, B. N. Kim, J. H. Hwang, J. H. Kim, S. C. Park and J. B. Song, J. Kor. Ceram. Soc., 48(6), 525 (2011) (in Korean). 

  6. Y. K. Chung and S. C. Choi, J. Kor. Ceram. Soc., 46(3), 330 (2009) (in Korean). 

  7. J. -G. Kim, J. -G. Ha, T. -W. Lim and K. Park, Mater. Lett., 60, 1505 (2006). 

  8. H. J. Kwon, J. S. Lee, Y. S. Lee, D. K. Lee and Y. H. Lee, J. Kor. Sensor. Soc., 1(1), 67 (1992) (in Korean). 

  9. I. C. Ho and S. L. Fu, J. Am. Ceram. Soc., 75(3), 728 (1992). 

  10. S. K. Jo and Y. H. Han, Jpn. J. Appl. Phys., 46(3A), 1076 (2007). 

  11. H. M. Al-Allak, G. J. Russell and J. Woods, J. Phys. D: Appl. Phys., 20(12), 1645 (1987). 

  12. V. Shut, S. Kostomarov and A. Gavrilov, J. Mater. Sci., 43(12), 5251 (2008). 

  13. M. Kuwabara, J. Am. Ceram. Soc., 64, C-170 (1981). 

  14. J. G. Kim, W. S. Cho and K. Park, Mater. Sci. Eng., B, 77, 255 (2000). 

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