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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.25 no.3, 2012년, pp.176 - 181
민철홍 (가톨릭대학교 컴퓨터공학과) , 강경우 (가톨릭대학교 정보통신전자공학부) , 김태선 (가톨릭대학교 정보통신전자공학부)
Due to the high etch rate and low fabrication cost, the wet etching of silicon using KOH etchant is widely used in MEMS fabrication area. However, anisotropic etch characteristic obstruct intuitional mask design and compensation structures are required for mask design level. Therefore, the accurate ...
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