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산화막CMP의 연마균일도 향상을 위한 웨이퍼의 에지형상제어
Wafer Edge Profile Control for Improvement of Removal Uniformity in Oxide CMP 원문보기

한국정밀공학회지 = Journal of the Korean Society for Precision Engineering, v.29 no.3, 2012년, pp.289 - 294  

최성하 (부산대학교 기계공학부) ,  정호빈 (부산대학교 기계공학부) ,  박영봉 (부산대학교 기계공학부) ,  이호준 (부산대학교 기계공학부) ,  김형재 (한국생산기술연구원) ,  정해도 (부산대학교 기계공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

There are several indicators to represent characteristics of chemical mechanical planarization (CMP) such as material removal rate (MRR), surface quality and removal uniformity on a wafer surface. Especially, the removal uniformity on the wafer edge is one of the most important issues since it gives...

주제어

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문제 정의

  • 본 논문에서는 반도체 제조 공정에서 화학 기계적 평탄화 공정 중 발생하는 반도체 소자의 생산성 저하의 원인이 되는 에지제외영역의 발생을 확인하였고, EPC 링을 사용하여 이를 개선하기 위한 연구를 진행하였다. 최적의 EPC 링 설계를 위해 링의 폭, 웨이퍼와의 간격, 그리고 링의 두께를 변수로 설정하였고 실험을 진행하였다.
  • 본 논문에서는 패드의 영향을 컨트롤 하기 위하여 EPC 링을 개발하였으며, EPC 링의 폭, 웨이퍼와의 간격 및 두께를 변수로 설정하여 실험을 진행하였다. 연구에 적용된 실험절차는 먼저 리테이닝 링의 압력을 변동시켜 연마한 결과를 통하여 패드가 영향을 미치는 범위를 확인한 후 EPC링의 폭을 설정하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
화학 기계적 평탄화 공정이란? 화학 기계적 평탄화 공정(chemical mechanical planarization, CMP)은 반도체 생산공정 중 웨이퍼의 광역 평탄화를 위한 필수적인 기술로서 연마패드와 웨이퍼 사이에 발생하는 기계적 작용과 슬러리와 웨이퍼 사이에 발생하는 화학적 작용을 통하여 웨이퍼의 표면을 연마하는 기술이다.1 이러한 화학 기계적 평탄화 공정의 질을 평가하는 인자 중에서 웨이퍼의 재료제거율과 표면의 결함 정도, 그리고 웨이퍼 에지 부근에서 급격한 연마율의 변화를 지칭하는 에지효과(edge effects)가 중요하게 고려되고 있다.
화학 기계적 평탄화 기술은 연마 기구를 가지는데 여기서 슬러리의 역할은? 2와 같은 연마 기구를 가진다. 여기에서 슬러리는 웨이퍼와의 화학적인 반응을, 연마패드는 웨이퍼와의 접촉에 의한 기계적 작용을 하게 되며 이 두 가지 반응이 융합되어 웨이퍼 표면을 평탄하게 제거한다.
리테이닝 링의 조건을 바꾸는 방법의 단점은? 하지만 리테이닝 링의 조건을 바꾸는 방법은 실제로 리테이닝 링과 웨이퍼의 간격을 늘릴 수 없는 제약이 있으며, 또한 간격이 커질수록 공정 중 웨이퍼의 이탈 및 다른 변수가 발생할 위험이 따르며 가늘고 얇은 섬유층과 단단한 폴리머 층으로 이루어진 새로운 연마패드를 사용하는 방식은 연마패드의 선택에 매우 제한적이라는 단점이 있다. 그리고 multiple zone system은 패드의 거동에 따라 압력을 조절함으로써 웨이퍼의 에지효과를 줄이기에 탁월하지만, 연구 및 생산 공정에서 사용되고 있는 기존의 연마장비에 적용할 수 없으므로 새로운 장비를 도입시켜야 하는 단점이 있다.
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참고문헌 (10)

  1. Bae, J. H., Lee, S. J., Park, J. H., Nishizawa, H., Kinoshita, M. and Jeong, H. D., "Effect of Pad Thickness on Removal Rate and Within Wafer Non- Uniformity in Oxide CMP," J. of the KIEEME, Vol. 23, No. 5, pp. 358-363, 2010. 

  2. Eamkajornsiri, S., Narayanaswami, R. and Chandra, A., "Yield Improvement in Wafer Planarization: Modeling and Simulation," Journal of Manufacturing Systems, Vol. 22, No. 3, pp. 239-247, 2002. 

  3. Wang, D., Lee, J., Holland, K., Bibby, T., Beaudoin, S. and Cale, T., "Von Mises Stress in Chemical- Mechanical Polishing Process," J. Electrochem. Soc., Vol. 144, No. 3, pp. 1121-1127, 1997. 

  4. Fu, G. and Chandra, A., "The relationship between wafer surface pressure and wafer backside loading in Chemical Mechanical Polishing," Thin Solid Films, Vol. 474, No. 1-2, pp. 217-221, 2005. 

  5. Lo, S. P., Lin, Y. Y. and Huang, J. C., "Analysis of retaining ring using finite element simulation in chemical mechanical polishing process," Int. J. Adv. Manuf. Technol., Vol. 34, No. 5-6, pp. 547-555, 2007. 

  6. Chen, K. S., Yeh, H. M., Yan, J. L. and Chen, Y. T., "Finite-element analysis on wafer-level CMP contact stress: reinvestigated issues and the effects of selected process parameters," Int. J. Adv. Manuf. Technol., Vol. 42, No. 11-12, pp. 1118-1130, 2009. 

  7. Enomoto, E., Satake, U., Miyake, T. and Tabata, N., "A newly developed polishing pad for achieving high surface flatness without edge roll off," Manufacturing Technology, Vol. 60, No. 1, pp. 371-374, 2011. 

  8. Kim, H. J., Kim, H. Y. and Jeong, H. D., "Study on Pad Properties as Polishing Result Affecting Factors in Chemical Mechanical Polishing," J. of the KSPE, Vol. 17, No. 3, pp. 184-191, 2000. 

  9. Lin, Y. Y., Chen, D. Y. and Ma, C., "Simulation of a stress and contact model in a chemical mechanical polishing process," Thin Solid Films, Vol. 517, No. 21, pp. 6027-6033, 2009. 

  10. Bae, J. H., Lee, H. S., Lee, S. J., Guo, Y. C., Park, J. H., Kinoshita, M. and Jeong, H. D., "Effect of Retainer Pressure on Removal Profile and Stress Distribution in Oxide CMP," International Conference on Planarization/CMP Technology, pp. 345-349, 2009. 

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