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NTIS 바로가기한국정밀공학회지 = Journal of the Korean Society for Precision Engineering, v.29 no.3, 2012년, pp.289 - 294
최성하 (부산대학교 기계공학부) , 정호빈 (부산대학교 기계공학부) , 박영봉 (부산대학교 기계공학부) , 이호준 (부산대학교 기계공학부) , 김형재 (한국생산기술연구원) , 정해도 (부산대학교 기계공학부)
There are several indicators to represent characteristics of chemical mechanical planarization (CMP) such as material removal rate (MRR), surface quality and removal uniformity on a wafer surface. Especially, the removal uniformity on the wafer edge is one of the most important issues since it gives...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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화학 기계적 평탄화 공정이란? | 화학 기계적 평탄화 공정(chemical mechanical planarization, CMP)은 반도체 생산공정 중 웨이퍼의 광역 평탄화를 위한 필수적인 기술로서 연마패드와 웨이퍼 사이에 발생하는 기계적 작용과 슬러리와 웨이퍼 사이에 발생하는 화학적 작용을 통하여 웨이퍼의 표면을 연마하는 기술이다.1 이러한 화학 기계적 평탄화 공정의 질을 평가하는 인자 중에서 웨이퍼의 재료제거율과 표면의 결함 정도, 그리고 웨이퍼 에지 부근에서 급격한 연마율의 변화를 지칭하는 에지효과(edge effects)가 중요하게 고려되고 있다. | |
화학 기계적 평탄화 기술은 연마 기구를 가지는데 여기서 슬러리의 역할은? | 2와 같은 연마 기구를 가진다. 여기에서 슬러리는 웨이퍼와의 화학적인 반응을, 연마패드는 웨이퍼와의 접촉에 의한 기계적 작용을 하게 되며 이 두 가지 반응이 융합되어 웨이퍼 표면을 평탄하게 제거한다. | |
리테이닝 링의 조건을 바꾸는 방법의 단점은? | 하지만 리테이닝 링의 조건을 바꾸는 방법은 실제로 리테이닝 링과 웨이퍼의 간격을 늘릴 수 없는 제약이 있으며, 또한 간격이 커질수록 공정 중 웨이퍼의 이탈 및 다른 변수가 발생할 위험이 따르며 가늘고 얇은 섬유층과 단단한 폴리머 층으로 이루어진 새로운 연마패드를 사용하는 방식은 연마패드의 선택에 매우 제한적이라는 단점이 있다. 그리고 multiple zone system은 패드의 거동에 따라 압력을 조절함으로써 웨이퍼의 에지효과를 줄이기에 탁월하지만, 연구 및 생산 공정에서 사용되고 있는 기존의 연마장비에 적용할 수 없으므로 새로운 장비를 도입시켜야 하는 단점이 있다. |
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