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NTIS 바로가기한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering, v.16 no.6, 2012년, pp.1266 - 1272
이재기 (가천대학교 전자공학과) , 박종태 (인천대학교 전자공학과)
An InGaZnO thin film transistor with different gate lengths and widths have been fabricated and their device degradations with device sizes have been also performed after negative gate bias stress. The threshold voltage and subthreshold swing have been decreased with decrease of gate length. However...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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InGaZnO 박막트랜지스터의 특징은? | InGaZnO 박막트랜지스터는 비교적 큰 이동도와 큰 ON/OFF 전류비가의 등의 전지적 특성이 우수하고 투명한 특성을 갖고 있으므로 AMOLED등의 디스플레이 소자의 구동 트랜지스터로 유망하여 최근에 많은 연구가 진행되고 있다. 박막 트랜지스터의 성능을 개선하기 위한 InGaZnO 박막의 증착 공정 방법과 게이트 유전체의 종류와 공정 기술에 관한 연구 등이 활발하게 진행되고 있다[1]. | |
산화물 트랜지스터를 디스플레이 소자에 적용하기 위해서 중요한 연구과제는 무엇인가? | 특히 유전상수가 큰 게이트 유전체를 사용하므로 소자의 전기적 특성을 개선하기 위한 연구가 활발하다[2-3]. 산화물 트랜지스터를 실제로 디스플레이 소자에 적용하기 위해서는 소자의 성능 개선과 더불어 소자의 신뢰도를 개선하는 것이 중요한 연구과제 이다. 게이트에 양과 음의 스트레스 전압을 인가하므로 소자 특성 저하 되는 현상과 이를 개선하기 위한 연구가 많이 되고 있다. | |
문턱전압 아래 특성이 게이트 폭이 큰 소자가 더 좋음을 알 수 있는 근거는? | 0V, 상온에서 게이트 길이는 10 ㎛ 로 동일하면서 게이트 폭이 4 ㎛및 104 ㎛인 소자의 전달특성 곡선을 나타낸 것이다. 게이트 폭이 104 ㎛소자의 드레인 전류가 8um 소자보다 큰 것을 알 수 있다. 누설전류는 두 소자가 비슷하고 ON/OFF 전류비는 게이폭 8um소자는 약 106 정도이고 104 ㎛소자는 약 107 정도로 비교적 큰 것을 알 수 있다. 그림으로부터 문턱전압 아래의 기울기 역수인 SS는 8um 소자가 0.38 V/dec로 게이트 길이 104 ㎛의 0.28 V/dec 보다 큰 것을 알 수 있다. 문턱전압 아래 특성은 게이트 폭이 큰 소자가 더 좋음을 알 수 있다. |
K.S. Son, J.S. Jung, K.H. Lee, T.S. Kim, J.S. Park, K.C. Park, J.Y. Kwon, B. Koo, and S.Y. Lee, "Highly stable double gate Ga-In-Zn-O thin film transistor," IEEE Electron Device Lett. vol. 31, no. 8, pp. 812-814, 2010
J.S. Park, T.S. Kim, K.S. Son, J.S. Jung, K.H. Lee, J.Y. Kwon, B. Koo, and S. Lee, "Influence of illumination on the nega-tive-bias stability of transparent hafnium-indium-zinc oxide thin-film transistors," IEEE Electron Device Lett. vol. 31, no. 5, pp. 440-442, 2010
K.H. Ji, J.I. Kim, Y.G. Mo, J.H. Jeong, S. Yang, C.S. Hwang, S.H. Park, M.K. Ryu, S.Y. Lee, and J.K. Jeong, "Comparative study on light-induced bias stress instability of IGZO transistors with SiNx and SiO2 gate dielectrics," IEEE Electron Device Lett. vol.31, no.12, pp.1404-1406, 2010
J.M. Lee, I.T. Cho, J.H. Lee, and H.I. Kwon, "Bias stress induced stretched exponential time dependence of threshold voltage shit in InGaZnO thin film transistors," Appl. Phys. Lett. vol. 93, p.093504, 2008
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K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, "Origin of threshold voltage shifts in room temperature deposited and annealed a-In-Ga-Zn-O thin film transi-stors," Appl. Phys. Lett. vol. 95, p. 013502, 2009
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T.C. Fung, C.S. Chung, C. Chen, K. Abe, R. Cottle, M. Townsend, H. Kumomi, and J. Kanicki, "Two-dimensional numerical simulation of radio frequency sputter amorphous In-Ga-Zn-O thin film transistors," J. of Applied Physics, vol. 106, p. 084511, 2009
S.M.Lee, C.G. Yu, W.J. Cho, and J.T. Park," Hot carrier degradation of InGa- ZnO thin film transistor under light illumination at elevated temperature," Solid-state Electronics, 예정
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S.H. Choi, and M.K. Han, "Effects of channel width on negative shift of threshold voltage, including stress-indu- ced hump phenomenon in InGaZnO thin film transistor under high-gate and drain bias stress," Appl. Phys. Lett. vol. 100, p. 043503, 2012
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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