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NTIS 바로가기韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.21 no.4, 2012년, pp.199 - 204
전성찬 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) , 공대영 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) , 표대승 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) , 최호윤 (원익머트리얼즈(주)) , 조찬섭 (경북대학교 산업전자전기공학부) , 김봉환 (대구가톨릭대학교 전자공학과) , 이종현 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부)
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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플라즈마가 이용되는 건식식각 공정은 주로 어느 공정에 사용되는가? | 특히 TFT-LCD 제조 공정에서는 PECVD, 건식식각과 같은 공정에서 플라즈마를 이용하고 있다 [1]. 그 중 건식 식각 공정은 Si 계열의 박막을 식각하는 데 사용된다. 이러한 Si 계열의 박막을 식각하기 위해서 F (fluorine), Cl (Chlorine) 등의 가스가 사용되며, F 계열의 가스로는 SF6를 주로 사용한다 [2,3]. | |
SF6 가스는 CO2 대비 GWP가 몇 배인가? | 국내에서 배출되는 온실 가스의 종류를 Table 1에 나타내었다. SF6 가스는 GWP가 CO2 대비 23,900배로서 다른 온실가스보다 매우 크다는 것을 확인할 수 있다. 반면에 C3F6 가스는 GWP가 100 이하이므로 [4,5], SF6 가스를 대체할 만한 후보군으로 주목받고 있다. | |
Si 계열의 박막을 식각하기 위해 사용되는 가스는 무엇인가? | 그 중 건식 식각 공정은 Si 계열의 박막을 식각하는 데 사용된다. 이러한 Si 계열의 박막을 식각하기 위해서 F (fluorine), Cl (Chlorine) 등의 가스가 사용되며, F 계열의 가스로는 SF6를 주로 사용한다 [2,3]. 하지만 SF6 가스는 대표적인 온실가스로서 GWP (Global Warming Potential)가 매우 높아서 지구 온난화에 큰 영향을 끼친다. |
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