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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.22 no.9, 2012년, pp.459 - 464
이연승 (한밭대학교 정보통신공학과) , 노상수 (한밭대학교 정보통신공학과) , 나사균 (한밭대학교 재료공학과)
We investigated cleaning effects using
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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NH4OH는 어떻게 사용되는가? | 일반적으로 반도체 소자 공정 중 시료 표면 위에 형성된 파티클, 유기오염물, 금속 불순물 그리고 자연 산화막을 제거하기 위하여 다양한 계면활성제들과 금속산화막 제거제가 사용되고 있다. 그 중 Metex TS-40A는 강력한 계면 활성 능력을 가진 약 알카리 금속 탈지제로서 많이 사용되고 있으며, NH4OH는 알카리 구리 부식제로 구리표면을 부식시켜 구리 박막 표면의 오염물 및 산화막을 제거 하는데 널리 사용되고 있다.8,9) | |
균일하고 깨끗한 구리 박막을 만드는 세정공정이 반도체 공정에서 중요한 이유는? | 표면에 형성된 구리 산화막과 대기노출에 의한 오염은 금속의 물리적 성질을 변화시킬 수 있기 때문에 세정 공정을 통하여 표면의 유기물과 산화막을 제거하여야 한다.5,6) 균일하고 깨끗한 구리 박막은 그레인(grain) 성장 메커니즘과 결정성(crystalline structure), 표면거칠기(roughness), 그레인 크기 같은 미세구조 등을 변화 시킬 수 있기 때문에 반도체 공정 중 세정 공정은 매우 중요한 역할을 한다.7) | |
우수한 특성을 갖는 구리박막을 얻기 위해 세정 공정을 통하여 표면의 유기물과 산화막을 제거해야하는 이유는? | 1-4) 따라서 우수한 특성을 갖는 구리박막을 얻기 위해서 표면 위에 형성되어 있는 유기오염물, 금속 불순물, 자연 산화막을 제거하기 위한 표면 세정에 관한 연구 또한 활발히 진행되고 있다. 표면에 형성된 구리 산화막과 대기노출에 의한 오염은 금속의 물리적 성질을 변화시킬 수 있기 때문에 세정 공정을 통하여 표면의 유기물과 산화막을 제거하여야 한다.5,6) 균일하고 깨끗한 구리 박막은 그레인(grain) 성장 메커니즘과 결정성(crystalline structure), 표면거칠기(roughness), 그레인 크기 같은 미세구조 등을 변화 시킬 수 있기 때문에 반도체 공정 중 세정 공정은 매우 중요한 역할을 한다. |
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