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NH4OH용액이 반도체 소자용 구리 박막 표면에 미치는 영향
Cleaning Effects by NH4OH Solution on Surface of Cu Film for Semiconductor Devices 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.22 no.9, 2012년, pp.459 - 464  

이연승 (한밭대학교 정보통신공학과) ,  노상수 (한밭대학교 정보통신공학과) ,  나사균 (한밭대학교 재료공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We investigated cleaning effects using $NH_4OH$ solution on the surface of Cu film. A 20 nm Cu film was deposited on Ti / p-Si (100) by sputter deposition and was exposed to air for growth of the native Cu oxide. In order to remove the Cu native oxide, an $NH_4OH$ cleaning proc...

주제어

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문제 정의

  • 따라서 본 연구에서는 구리 박막 표면 층을 알칼리 계면활성제인 Metex TS-40A와 암모니아수(NH4OH) 용액을 사용하여, 세정시간 변화에 따른 박막의 전기적 특성과 물리적 특성의 변화에 대한 다양한 분석을 통해 이들 세정제가 구리박막 표면에 미치는 영향에 대하여 조사하였다.
  • 일반적으로 표면층에 변화가 발생하면 표면저항(sheet resistance : Rs)값이 변한다. 따라서, 세정용액을 이용한 전처리 시간 변화에 따른 구리박막의 표면저항의 변화를 관측하여 보았다. Fig.
  • 6 eV)를 사용하였다. 본 실험에서는 세정효과에 의한 구리박막의 변화된 표면을 다른 손상없이 직접적으로 관찰하기 위하여, Ar+ 이온에 의한 표면처리 없이 XPS 측정을 수행하였다. 시료의 표면저항은 4-point probe를 사용하여 측정하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
NH4OH는 어떻게 사용되는가? 일반적으로 반도체 소자 공정 중 시료 표면 위에 형성된 파티클, 유기오염물, 금속 불순물 그리고 자연 산화막을 제거하기 위하여 다양한 계면활성제들과 금속산화막 제거제가 사용되고 있다. 그 중 Metex TS-40A는 강력한 계면 활성 능력을 가진 약 알카리 금속 탈지제로서 많이 사용되고 있으며, NH4OH는 알카리 구리 부식제로 구리표면을 부식시켜 구리 박막 표면의 오염물 및 산화막을 제거 하는데 널리 사용되고 있다.8,9)
균일하고 깨끗한 구리 박막을 만드는 세정공정이 반도체 공정에서 중요한 이유는? 표면에 형성된 구리 산화막과 대기노출에 의한 오염은 금속의 물리적 성질을 변화시킬 수 있기 때문에 세정 공정을 통하여 표면의 유기물과 산화막을 제거하여야 한다.5,6) 균일하고 깨끗한 구리 박막은 그레인(grain) 성장 메커니즘과 결정성(crystalline structure), 표면거칠기(roughness), 그레인 크기 같은 미세구조 등을 변화 시킬 수 있기 때문에 반도체 공정 중 세정 공정은 매우 중요한 역할을 한다.7)
우수한 특성을 갖는 구리박막을 얻기 위해 세정 공정을 통하여 표면의 유기물과 산화막을 제거해야하는 이유는? 1-4) 따라서 우수한 특성을 갖는 구리박막을 얻기 위해서 표면 위에 형성되어 있는 유기오염물, 금속 불순물, 자연 산화막을 제거하기 위한 표면 세정에 관한 연구 또한 활발히 진행되고 있다. 표면에 형성된 구리 산화막과 대기노출에 의한 오염은 금속의 물리적 성질을 변화시킬 수 있기 때문에 세정 공정을 통하여 표면의 유기물과 산화막을 제거하여야 한다.5,6) 균일하고 깨끗한 구리 박막은 그레인(grain) 성장 메커니즘과 결정성(crystalline structure), 표면거칠기(roughness), 그레인 크기 같은 미세구조 등을 변화 시킬 수 있기 때문에 반도체 공정 중 세정 공정은 매우 중요한 역할을 한다.
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참고문헌 (13)

  1. H. H. Law, R. Roy, D. Korssives, T. C. Wu, and D. D. Bacon, in Proceedings of the Electronic Manufacturing Technology Symposium, 6th IEEE/CPMT Int'l EMTS (La Jolla, CA, Sep. 1994) p. 363-365. 

  2. T. G. Woo, I. S. Park and K. W. Seol, Kor. J. Mater. Res., 17(1), 56 (2007) (in Korean). 

  3. Y. Song, J. H. Seo, Y. S. Lee and S. K. Rha, Kor. J. Mater. Res., 19(6), 344 (2009) (in Korean). 

  4. Y. Song, J. H. Seo, Y. S. Lee, Y. H. Ryu, K. Hong and S. K. Rha, J. Korean Phys. Soc., 54, 1141 (2009). 

  5. J. Gao, A. Hu, M. Li and D. Mao, Appl. Surf. Sci., 255, 5943 (2009). 

  6. J. J. Kim, S. K. Kim, Appl. Surf. Sci., 183, 311 (2001). 

  7. K. E. Heusler and K. S. Yun, Electrochim. Acta, 22, 977 (1977). 

  8. A. R. Martin, M. Baeyens, W. Hub, P. W. Mertens and B. O. Kolbesen, Microelec. Eng., 45, 197 (1999). 

  9. J. W. Park, J. G. Park, K. S. Kim and H. S. Song, Kor. J. Mater. Res., 9(9), 872 (1999) (in Korean). 

  10. S. A. Mir, Int. J. ChemTech Res., 3(2), 646 (2011). 

  11. Y. S. Lee, S. S Kim and S. K. Rha, J. Kor. Vacuum Soc., 21(1), 6 (2012) (in Korean). 

  12. "Material safety data sheet" MacDermid Incorporated 203, 575-5700 (1999). 

  13. H. -U. Finzel, E. Schmiedl and P. Wibmann, Appl. Phys. Solid. Surface., 42, 87 (1987). 

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