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Intra Oral CMOS X-ray Image Sensor용 DC-DC 변환기 설계
Design of a DC-DC converter for intra-oral CMOS X-ray image sensors 원문보기

한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering, v.16 no.10, 2012년, pp.2237 - 2246  

장지혜 (창원대학교) ,  김려연 (창원대학교) ,  허성근 ((주)레이언스) ,  ((주)레이언스) ,  김태우 ((주)레이언스) ,  하판봉 (창원대학교) ,  김영희 (창원대학교)

초록
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본 논문에서는 구강센서를 소형화하고 제조 원가를 낮추기 위해 구강센서에서 필요로 하는 바이어스 회로를 구강센서 칩 내부에서 만들어주었다. 제안된 DC-DC 변환기 회로는 기준전류 발생기(reference current generator) 회로의 IREF를 이용하여 전압 레귤레이터(voltage regulator)에 필요한 기준전류와 바이어스 전류를 각각 공급해준다. 이들 전류가 각각의 전압 레귤레이 회로에서 해당되는 기준전압을 생성하여 부궤환(negative feedback)에 의해 목표전압을 regulation하게 된다. 그리고 기준전류가 전류 복사비(current mirror ratio)에 의해 mirroring되어 정전류인 IB0/IB1을 공급해주고, VREF 전압을 공급해주도록 설계하였다. $0.18{\mu}m$ X-ray CMOS 이미지 센서 공정을 이용하여 설계된 구강센서의 DC-DC 변환기의 출력 전압의 평균 전압, ${\sigma}$$4{\sigma}$는 양호한 측정 결과를 얻었다. 그리고 line-pair pattern 영상은 blurring 없이 높은 해상도 특성을 보였으며, 좋은 구강 영상을 획득하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

A bias circuit required for an oral sensor is manufactured inside the oral sensor chip to reduce its size and cost. The proposed DC-DC converter supplies the required reference and bias currents for their corresponding regulators by using IREF of the reference current generator. Their target voltage...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 구강센서를 소형화하고 제조 원가를 낮추기 위해 구강센서에서 필요로 하는 바이어스 회로를 구강센서 칩 내부에서 만들어주었다. DC-DC 변환기회로는 기준전류 발생기(reference current generator) 회로의 IREF를 이용하여 전압 레귤레이터에 필요한 기준 전류와 바이어스 전류를 각각 공급해준다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
X-ray 이미지 센서는 어떤 장치인가? X-ray 이미지 센서는 X-ray를 통해 피사체 정보를 검지하여 전기적인 영상신호로 변환하는 장치이다. X-ray 는 의료영상 분야뿐만 아니라 비파괴 검사 등 일반산업과 보안 분야까지 다양하게 활용되고 있다.
의료영상분야에 이용되는 디지털 X-ray 센서는 무엇이 있는가? 그리고 최근 의료영상 저장전송 시스템 (PACS : Picture Archiving Communication System) 구축이 요구되면서 이미지 센서로부터 획득한 영상을 필름으로 현상하지 않고 컴퓨터에 저장, 전송하기 위해서는 의료 영상을 디지털화 하는 디지털 X-ray 센서가 필수적이다[2][3]. 의료영상분야에 이용되는 디지털 X-ray 센서는 치과용 X-ray 촬영장치, 유방암진단기(Mammography), CT(Computed Tomography)용 촬영장치, 개인 방사선량 측정기 등이 있다.
intra oral CMOS X-ray 이미지 센서의 Csl는 무엇이고 장점은 무엇인가? 그림 3은 간접 검출방식의 intra oral CMOS X-ray 이미지 센서의 구조를 보여주고 있다. CsI(Cesium iodide):TI는 CMOS APS 패널(panel)에 조사된 X-ray를 300~400nm 파장대의 빛으로 변환시켜 주는 형광체로 주상구도(needle like structure)로 결정화되어 해상도 특성이 우수하다. CsI:TI는 그림 3에서 보는바와 같이 FOP(Fiber Optic Plate) 위에 증착되어 있다.
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참고문헌 (6)

  1. 허영, 전성채, 진승오, "디지털 X-ray용 센서 기술 및 동향," 물리학과 첨단기술, 제 16권, 7/8호, pp.24-28, 2007. 

  2. 지은미, 김근섭, 이제호 et al., "의료영상 정보시스템," 전자공학회지, vol.20, no.6, pp.701-716. 

  3. 백승면, 김태호, 강형근, 전성채, 진승오, 허영, 박무훈, 하판봉, 김영희, "X-ray 이미지 센서용 싱글 픽셀 포톤 카운터 설계," 한국해양정보통신학회눈문 지, vol.11, no.2, pp.322-329, 2007. 

  4. Robert J. Milliken et al., "Fully On-Chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator", IEEE Transactions on Circuits and Systems, vol.54, issue 9, pp.1879- 1890, Sep. 2007. 

  5. Horiguchi et al., "A tunable CMOS-DRAM voltage limiter with stabilized feedback amplifier", IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.25, issue 5, pp.1129-1135, Oct. 1990. 

  6. 김영희, "저전압 DRAM 회로 설계에 관한 연구," 박사학위 논문, 포항공과대학교 전자전기공학과, 2000년 8월. 

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