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문제 정의
- 과제에서 추구하는 X-선 센서 관련 기술은 복합적인 첨단기술의 총아로 전자공학의 전 분야 기술 (신호처리 기술, 반도체 공정 기술, ASIC 설계기술, 전자회로 설계기술)이 모두 요구되고 있으므로 이들 기술이 공동으로 첨단성을 이룰 때 제품의 기능도 첨단성을 이룰 수 있을 것이다. X-선 센서를 제품화하기 위해서는, X-선 발생 장치 제작기술, 영상처리 기술, 화소 감지기 어레이 기술, 센서 제작기술 등이 요구되나, 이 과제에서는 센서 제작기술에 중점을 두고 기술을 개발함으로서 장래 제품화를 위한 기반을 다지고자 한다.
- 이 중 최근 경향을 보면 bulky한 구조보다는 평면 패널을 사용하는 기술이 주종을 이루고 있으며 X-ray 변환 방식에 대해서는 각 방식이 갖고 있는 장단점에 관해 아직 논란이 있는 실정이다. 따라서 본 절에서는 평면 패널 방식의 DR에서 사용되는 센서 어레이 구조를 기준으로 서술하고자 한다.
- 본 과제에서는 실리콘 반도체를 기본 물질로 하는 X-선 센서를 개발하고 광범위한 영역에서 응용이 가능한 비파괴 시험용으로 제품화하기 위해 센서 어레이와 주변회로, 그리고 구동회로 시스템과의 연관 기술도 알아보고자 한다. 과제에서 추구하는 X-선 센서 관련 기술은 복합적인 첨단기술의 총아로 전자공학의 전 분야 기술 (신호처리 기술, 반도체 공정 기술, ASIC 설계기술, 전자회로 설계기술)이 모두 요구되고 있으므로 이들 기술이 공동으로 첨단성을 이룰 때 제품의 기능도 첨단성을 이룰 수 있을 것이다.
가설 설정
- 따라서 본 연구에서는 게이트 산화막 두께를 100nm로 설정한 다음 channel implantation에 의한 threshold 전압 변화를 SILVACO의 ATHENA 및 ATLAS 프로그램을 사용하여 모사하였다. 모사과정에서 기판 농도는 1e15cm-3, oxide charge는 1e11cm-2 을 사용하였으며 게이트 전극은 알루미늄을 가정하였다.
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