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에너지 반환회로를 갖는 비대칭 펄스형 DC 플라즈마 전원장치에 관한 연구
A Study on Asymmetric Pulsed DC Plasma Power Supply with Energy Recovery Circuit 원문보기

전력전자학회 논문지 = The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics, v.18 no.6, 2013년, pp.593 - 600  

추대혁 (Dept. of Electrical Eng., Incheon National University) ,  유성환 (Dept. of Electrical Eng., Incheon National University) ,  김준석 (Dept. of Electrical Eng., Incheon National University) ,  한기준 (Power-Soft Inc.)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The asymmetric pulsed DC reactive magnetron sputtering system is widely used for the high quality plasma sputtering process such as a thin film deposition. In asymmetric pulsed DC power supply a reverse voltage is applied to the target periodically to minimize arc discharging effect. When sputtering...

주제어

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문제 정의

  • 본 연구에서는 간단한 구조로 역전압을 부하에 인가할 수 있는 플라즈마 스퍼터용 트랜스포머형 비대칭 DC전원장치에 관한 연구를 진행하였다. 기존의 트랜스포머형 비대칭 전원장치는 트랜스포머에 축적된 자기 에너지의 순환으로 인하여 역전압이 인가되는 비율에 따라 출력 전압이 승압되는 문제가 있으며 본 연구에서는 이러한 문제를 해결하기 위하여 자기 에너지 반환회로를 도입한 새로운 형태의 비대칭 DC전원 장치를 구성하였다. 새롭게 구성된 DC전원장치는 구조가 간단하고 출력전압의 제어가 용이한 장점이 있으며 특히 트랜스포머의 크기를 크게 줄일 수 있기 때문에 전원장치의 소형화가 가능하다.
  • 본 연구에서는 간단한 구조로 역전압을 부하에 인가할 수 있는 플라즈마 스퍼터용 트랜스포머형 비대칭 DC전원장치에 관한 연구를 진행하였다. 기존의 트랜스포머형 비대칭 전원장치는 트랜스포머에 축적된 자기 에너지의 순환으로 인하여 역전압이 인가되는 비율에 따라 출력 전압이 승압되는 문제가 있으며 본 연구에서는 이러한 문제를 해결하기 위하여 자기 에너지 반환회로를 도입한 새로운 형태의 비대칭 DC전원 장치를 구성하였다.
  • 본 연구에서는 스퍼터용 플라즈마 증착장비의 아크방지를 위한 비대칭 펄스형 DC전원장치에 대하여 연구를 진행하였으며, 단일전원으로 비대칭 펄스를 발생시킬 수 있는 새로운 트랜스포머형 전원장치를 제안하였다. 제안된 전원장치에서 에너지 반환회로를 부가하여 주 회로의 인덕턴스를 크게 줄임으로써 제어 동특성을 높이고 안정적인 전압 제어가 가능하도록 하였으며 역전압 인가시간에 따른 비선형적인 승압 효과를 억제하였다.
  • 위에서 언급한 바와 같이 트랜스포머의 상호인덕턴스를 작게 설계하는 경우에는 Q1의 도통구간 동안 1차측에 축적된 에너지를 회수하는 회로가 필수적으로 구성되어야 한다. 본 연구에서는 트랜스포머에 축적된 에너지를 전원에 반환함으로써 안정된 출력전압을 유지하고 승압 현상을 억제할 수 있는 새로운 형태의 비대칭 펄스형 DC전원장치를 제안한다.
  • 위 축소 실험을 통하여 시뮬레이션과 동일한 형태의 전압이 출력됨을 확인할 수 있다. 축소모델로 실험한 이유는 무었보다 800V급의 고압을 학교 실험실에서 다루기 어렵기 때문에 그 구현 가능성만을 확인하고자 함이었다. 공칭전압이 800V인 실제 전원장치에서는 부하에 일정한 전력을 공급하고 아크를 억제하기 위하여 약 600∼1000V범위의 가변전압이 출력된다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
반응성 스퍼터링법이란? 이러한 기술로서 펄스 반응성 마그네트론 스퍼터링법이 크게 주목받고 있다. 반응성 스퍼터링법은 진공챔버 내에 반응성 기체를 유입하여 스퍼터된 전도성 타겟물질과 반응성 기체의 화합물을 기판 위에 증착시키는 방법으로 타겟에 가해지는 전원에 따라 DC 반응성 스퍼터링법과 RF 반응성 스퍼터링법으로 나뉘어진다. 이러한 방식의 한가지 문제점으로 진공 챔버 내에 유입된 반응성 기체가 타겟 표면과 반응하거나 스퍼터링 과정에서 생성된 화합물이 타겟 표면 위에 증착되어 전도성 타겟 표면 위에 국부적으로 절연막을 형성하게 되는 타겟 포이즈닝 효과 때문에 증착율 감소와 아킹과 같은 불안정한 성장거동이 나타날 수 있다[1,2].
코팅막을 제작하기 위한 공정에는 어떤 방법이 있는가? 스퍼터링(sputtering)은 진공을 이용하여 이루어지는 대표적인 물리증착(Physical Vapor Deposition; PVD) 기술의 하나이며 재현성이 우수하며 사용이 편리하여 그 응용이 점차 확대되고 있다. 코팅막을 제작하기 위한 공정에는 CAD (Cathodic Arc Deposition), EB (Electron Beam)법과 반응성 스퍼터링 등의 다양한 방법이 있다 [1,2] . 그중 반응성 스퍼터링 방식은 높은 증착율을 가지면서 박막 특성을 우수하게 제어할 수 있기 때문에 반도체 및 전지분야에서의 응용에 많이 사용되고 있다.
반응성 스퍼터링법의 문제점은? 반응성 스퍼터링법은 진공챔버 내에 반응성 기체를 유입하여 스퍼터된 전도성 타겟물질과 반응성 기체의 화합물을 기판 위에 증착시키는 방법으로 타겟에 가해지는 전원에 따라 DC 반응성 스퍼터링법과 RF 반응성 스퍼터링법으로 나뉘어진다. 이러한 방식의 한가지 문제점으로 진공 챔버 내에 유입된 반응성 기체가 타겟 표면과 반응하거나 스퍼터링 과정에서 생성된 화합물이 타겟 표면 위에 증착되어 전도성 타겟 표면 위에 국부적으로 절연막을 형성하게 되는 타겟 포이즈닝 효과 때문에 증착율 감소와 아킹과 같은 불안정한 성장거동이 나타날 수 있다[1,2].
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참고문헌 (7)

  1. Y. S. Kim, H. Jone, and Y. D. Kim, "Atomic Layer Chemical Vapor Deposition of TiN Thin Films on Si(100) and Si(111)," Journal of the Korea Physics Society, Vol. 37, No. 6, pp. 1045-1050, 2000. 

  2. M.G Han and S.Y. Chun, "Growing Behavior of Nanocrystalline TiN Films by Asymmetric Pulsed DC Reactive Magnetron Sputtering," Journal of the Korean Ceramic Society, Vol. 48, No. 5, pp. 342-347, 2011. 

  3. C. Corbella, "Plasma Parameters of Pulsed-dc discharges in methane used to deposit diamondlike carbon films," Journal of Applied Physics, Vol. 106, 03302, 2009. 

  4. Jeff C. Sellers, "Etch Process Employing Asymmetric Bipolar Pulsed DC," U.S. Patent, 5,770,023, Jun. 23, 1998. 

  5. Geoffrey N. Drummond, Richard A.Scholl, "Enhavced Rractive DC Sputtering System," U.S. Patent, 5,718,813, Feb. 17, 1998. 

  6. Noborn Kuriyama, Yutaka Yatsu, "Power Supply Unit For Sputtering Device," U.S. Patent, 6,416,638 B1, Jul, 9, 2002. 

  7. J. Sellers, "Asymmetric bipolar pulsed DC: Theenabling technology for reactive PVD," Surface and Coatings Technology, Vol. 98, No. 1, pp. 1245-1250, 1998. 

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