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NTIS 바로가기전력전자학회 논문지 = The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics, v.18 no.6, 2013년, pp.593 - 600
추대혁 (Dept. of Electrical Eng., Incheon National University) , 유성환 (Dept. of Electrical Eng., Incheon National University) , 김준석 (Dept. of Electrical Eng., Incheon National University) , 한기준 (Power-Soft Inc.)
The asymmetric pulsed DC reactive magnetron sputtering system is widely used for the high quality plasma sputtering process such as a thin film deposition. In asymmetric pulsed DC power supply a reverse voltage is applied to the target periodically to minimize arc discharging effect. When sputtering...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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반응성 스퍼터링법이란? | 이러한 기술로서 펄스 반응성 마그네트론 스퍼터링법이 크게 주목받고 있다. 반응성 스퍼터링법은 진공챔버 내에 반응성 기체를 유입하여 스퍼터된 전도성 타겟물질과 반응성 기체의 화합물을 기판 위에 증착시키는 방법으로 타겟에 가해지는 전원에 따라 DC 반응성 스퍼터링법과 RF 반응성 스퍼터링법으로 나뉘어진다. 이러한 방식의 한가지 문제점으로 진공 챔버 내에 유입된 반응성 기체가 타겟 표면과 반응하거나 스퍼터링 과정에서 생성된 화합물이 타겟 표면 위에 증착되어 전도성 타겟 표면 위에 국부적으로 절연막을 형성하게 되는 타겟 포이즈닝 효과 때문에 증착율 감소와 아킹과 같은 불안정한 성장거동이 나타날 수 있다[1,2]. | |
코팅막을 제작하기 위한 공정에는 어떤 방법이 있는가? | 스퍼터링(sputtering)은 진공을 이용하여 이루어지는 대표적인 물리증착(Physical Vapor Deposition; PVD) 기술의 하나이며 재현성이 우수하며 사용이 편리하여 그 응용이 점차 확대되고 있다. 코팅막을 제작하기 위한 공정에는 CAD (Cathodic Arc Deposition), EB (Electron Beam)법과 반응성 스퍼터링 등의 다양한 방법이 있다 [1,2] . 그중 반응성 스퍼터링 방식은 높은 증착율을 가지면서 박막 특성을 우수하게 제어할 수 있기 때문에 반도체 및 전지분야에서의 응용에 많이 사용되고 있다. | |
반응성 스퍼터링법의 문제점은? | 반응성 스퍼터링법은 진공챔버 내에 반응성 기체를 유입하여 스퍼터된 전도성 타겟물질과 반응성 기체의 화합물을 기판 위에 증착시키는 방법으로 타겟에 가해지는 전원에 따라 DC 반응성 스퍼터링법과 RF 반응성 스퍼터링법으로 나뉘어진다. 이러한 방식의 한가지 문제점으로 진공 챔버 내에 유입된 반응성 기체가 타겟 표면과 반응하거나 스퍼터링 과정에서 생성된 화합물이 타겟 표면 위에 증착되어 전도성 타겟 표면 위에 국부적으로 절연막을 형성하게 되는 타겟 포이즈닝 효과 때문에 증착율 감소와 아킹과 같은 불안정한 성장거동이 나타날 수 있다[1,2]. |
Y. S. Kim, H. Jone, and Y. D. Kim, "Atomic Layer Chemical Vapor Deposition of TiN Thin Films on Si(100) and Si(111)," Journal of the Korea Physics Society, Vol. 37, No. 6, pp. 1045-1050, 2000.
C. Corbella, "Plasma Parameters of Pulsed-dc discharges in methane used to deposit diamondlike carbon films," Journal of Applied Physics, Vol. 106, 03302, 2009.
Jeff C. Sellers, "Etch Process Employing Asymmetric Bipolar Pulsed DC," U.S. Patent, 5,770,023, Jun. 23, 1998.
Geoffrey N. Drummond, Richard A.Scholl, "Enhavced Rractive DC Sputtering System," U.S. Patent, 5,718,813, Feb. 17, 1998.
Noborn Kuriyama, Yutaka Yatsu, "Power Supply Unit For Sputtering Device," U.S. Patent, 6,416,638 B1, Jul, 9, 2002.
J. Sellers, "Asymmetric bipolar pulsed DC: Theenabling technology for reactive PVD," Surface and Coatings Technology, Vol. 98, No. 1, pp. 1245-1250, 1998.
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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