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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.26 no.12, 2013년, pp.882 - 887
최제훈 (경남대학교 전자공학과) , 김성진 (경남대학교 전자공학과)
We investigated a SiC-based hydrogen gas sensor with metal-insulator-semiconductor (MIS) structure for high temperature process monitoring and leak detection applications. The sensor was fabricated by Pd/
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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실리콘이 250℃ 이상의 온도에서 사용이 제한되는 이유는? | 한편 실리콘은 반도체 산업에서 널리 사용되는 소재이지만 상대적으로 1.1 eV의 작은 밴드 갭으로 인해 250℃ 이상의 온도에서는 큰 누설 전류의 발생으로 사용이 제한된다. 이에 따라 실리콘을 대신할 고온용 반도체 [5-7]에 관한 연구가 활발히 진행되어왔으며, 주로 전력용반도체 소자에 이용되고 있는 SiC 반도체가 그 대상이 되고 있다. | |
기존의 수소 가스센서는 저온용으로 제한이 있으며 감도 개선이 필요하기 때문에 어떤 물질을 이용한 센서를 제작해 보았는가? | 비교적 안정된 특성과 양호한 감도를 보여주고 있지만, 주로 저온용으로 제한될 뿐만 아니라 여전히 감도 개선이 필요한 실정이다. 이에 따라 본 연구에서는 유전율이 매우 높은 탄탈륨 산화 (Ta2O5)막 [16]을 이용하여 정전용량 (capacitive)형으로 센서를 제작하여 그 특성을 고찰해 보고자 한다. 이를 위해 SiC 반도체 기판을 이용한 금속-산화막-반도체 (MIS) 구조의 수소가스 센서를 제작하였다. | |
수소가스 취급 시 가스 누출 검지 센서가 필요한 이유는? | 더욱이 수소는 지구상에 무한정한 물을 분해하여 생산할수 있으며, 수소의 사용 후에 생기는 생성물은 다시 물로 재순환되므로 친환경적이다. 하지만 수소 가스가 대기 중에 4% 이상 누출되면 폭발 위험성이 높고, 금속의 부식에도 주요 원인으로 작용하고 있어, 수소가스를 취급할 때 가스 누출을 검지할 수 있는 센서가 필요하다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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