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고온에서 Pd 전극의 형태가 수소 센서의 감도에 미치는 영향
Effect on the Sensitivity of a Hydrogen Sensor by Pd Electrode Patterns at High Temperature 원문보기

전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.22 no.2, 2018년, pp.356 - 361  

김성진 (Dept. of Electronics Engineering, Kyungnam University)

초록
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고온에서 이용 가능한 수소 센서에 관해 연구하였다. 센서는 $Pd/Ta_2O_5/SiC$으로 구성된 MOS 구조로 제작되었으며, $Ta_2O_5$ 박막은 급속 열 산화법(RTO)법으로 형성하였다. 본 연구에서는 3가지 다른 패턴의 팔라듐(Pd) 전극으로 만든 센서를 제작하여, Pd 전극의 형태응답 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 그 결과, 센서는 Pd 전극의 채워진 면적이 클수록, 정전용량의 응답특성이 개선됨을 확인하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We investigated a hydrogen gas sensor which is available in a high temperature atmosphere. The hydrogen sensors were fabricated into a metal-oxide-semiconductor (MOS) structure made of $Pd/Ta_2O_5/SiC$, and the thin tantalum oxide ($Ta_2O_5$) layer was fabricated by rapid therm...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 향후 연료전지형 수소 자동차의 보급 확대와 함께 이에 따른 수소저장소의 설치 확대로 인해, 수소 센서에 대한 수요가 급증할 것으로 기대된다.본 연구는 고온의 환경에서도 동작할 수 있는 수소센서를 개발하기 위한 목적으로, 수소 센서에서 중요한 매질인 팔라듐(Pd) 전극의 역할을 평가하였다. 이를 위해 고온에 적합한 SiC를 이용하여 센서를 제작하였다.
  • 팔라듐(Pd) 전극은 상온과 대기압에서 수소를 선택적으로 흡수할 수 있는 촉매 금속으로, 수소 검지용으로 백금(Pt)과 함께 널리 사용하고 있다. 본 연구에서는 다양한 형태의 팔라듐(Pd) 전극이 수소 센서의 응답특성에 미치는 영향을 평가하기 위해, 3 가지 패턴을 설계하여 MOS 구조의 수소 센서를 제작하였으며, 최고 2,000 ppm의 수소농도 범위에 대해 센서의 정전용량 응답특성을 고찰하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
수소의 대기중 분포 상황은? 수소는 대기중에 0.5 ppm 정도로 아주 미약하게 분포하고 있다. 무독성의 무색, 무취의 기체로서 가볍기 때문에 대기 중에 쉽게 확산하는 특성을 가지고 있다.
고온에서 사용가능한 반도체에는 무엇이 있는가? 고온에서 사용가능한 반도체로는 상대적으로 밴드갭 에너지가 큰 SiC, GaP와 GaN 등이 해당된다. 그 중에서 SiC를 기판으로 사용한 센서 연구가 활발히 진행되고 있으며, 주로 MOS 구조로 된 센서에 대해 연구가 활발히 진행되어 왔다.
무독성의 무색, 무취의 기체로서 가볍기 때문에 대기 중에 쉽게 확산하는 특성을 갖고 있는 기체는? 수소는 대기중에 0.5 ppm 정도로 아주 미약하게 분포하고 있다.
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참고문헌 (5)

  1. C. Loa, S. W. Tan, C. Y. Wei, J. H. Tsai, and W. S. Lour, "Sensing properties of resistive-type hydrogen sensors with a $Pd-SiO_2$ thin-film mixture," Int. J . Hydrog. Energy, vol. 38, pp. 313-318, 2013.DOI:10.1016/j.ijhydene.2012.10.051 

  2. C. Lu and Z. Chen, "High-temperature resistive hydrogen sensor based on thin nanoporous rutile $TiO_2$ film on anodic aluminum oxide," Sens. Actuator B., vol. 140, pp. 109-115, 2009.DOI:10.1016/j.snb.2009.04.004 

  3. K. Shimizu, I Chinzei, H. Nishiyama, S. Kakimoto, S. Sugaya, H. Yokoi, and A. Satsuma, "Hydrogen sensor based on $WO_3$ subnano-clusters and Pt co-loaded on $ZrO_2$ ," Sens. Actuators B., vol. 134, pp. 2618-2624, 2008.DOI:10.1016/j.snb.2008.06.004 

  4. W. M. Tang, C. H. Leung, and P. T. Lai. "Effect of $N_2$ -annealing conditions on the sensing properties of $Pt/HfO_2/SiC$ Schottky- diode hydrogen sensor," Thin Solid Films, vol. 519, pp. 505-511, 2010.DOI:10.1016/j.tsf.2010.08.090 

  5. S. J. Joo, J. H. Choi, S. J. Kim, and S. C. Kim, " $Pd/Ta_2O_5/SiC$ Schottky-diode hydrogen sensors formed by using rapid thermal oxidation of a Ta thin films," J. Korean Phys. Soc., vol. 63, pp. 1794-1798, 2013.DOI:10.3938/jkps.63.1794 

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