최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.22 no.2, 2018년, pp.356 - 361
We investigated a hydrogen gas sensor which is available in a high temperature atmosphere. The hydrogen sensors were fabricated into a metal-oxide-semiconductor (MOS) structure made of
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
수소의 대기중 분포 상황은? | 수소는 대기중에 0.5 ppm 정도로 아주 미약하게 분포하고 있다. 무독성의 무색, 무취의 기체로서 가볍기 때문에 대기 중에 쉽게 확산하는 특성을 가지고 있다. | |
고온에서 사용가능한 반도체에는 무엇이 있는가? | 고온에서 사용가능한 반도체로는 상대적으로 밴드갭 에너지가 큰 SiC, GaP와 GaN 등이 해당된다. 그 중에서 SiC를 기판으로 사용한 센서 연구가 활발히 진행되고 있으며, 주로 MOS 구조로 된 센서에 대해 연구가 활발히 진행되어 왔다. | |
무독성의 무색, 무취의 기체로서 가볍기 때문에 대기 중에 쉽게 확산하는 특성을 갖고 있는 기체는? | 수소는 대기중에 0.5 ppm 정도로 아주 미약하게 분포하고 있다. |
C. Loa, S. W. Tan, C. Y. Wei, J. H. Tsai, and W. S. Lour, "Sensing properties of resistive-type hydrogen sensors with a $Pd-SiO_2$ thin-film mixture," Int. J . Hydrog. Energy, vol. 38, pp. 313-318, 2013.DOI:10.1016/j.ijhydene.2012.10.051
C. Lu and Z. Chen, "High-temperature resistive hydrogen sensor based on thin nanoporous rutile $TiO_2$ film on anodic aluminum oxide," Sens. Actuator B., vol. 140, pp. 109-115, 2009.DOI:10.1016/j.snb.2009.04.004
K. Shimizu, I Chinzei, H. Nishiyama, S. Kakimoto, S. Sugaya, H. Yokoi, and A. Satsuma, "Hydrogen sensor based on $WO_3$ subnano-clusters and Pt co-loaded on $ZrO_2$ ," Sens. Actuators B., vol. 134, pp. 2618-2624, 2008.DOI:10.1016/j.snb.2008.06.004
W. M. Tang, C. H. Leung, and P. T. Lai. "Effect of $N_2$ -annealing conditions on the sensing properties of $Pt/HfO_2/SiC$ Schottky- diode hydrogen sensor," Thin Solid Films, vol. 519, pp. 505-511, 2010.DOI:10.1016/j.tsf.2010.08.090
S. J. Joo, J. H. Choi, S. J. Kim, and S. C. Kim, " $Pd/Ta_2O_5/SiC$ Schottky-diode hydrogen sensors formed by using rapid thermal oxidation of a Ta thin films," J. Korean Phys. Soc., vol. 63, pp. 1794-1798, 2013.DOI:10.3938/jkps.63.1794
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.