다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
세라미스트 = Ceramist, v.16 no.4, 2013년, pp.7 - 16
강인호 (한국전기연구원) , 방욱 (한국전기연구원) , 문정현 (한국전기연구원) , 나문경 (한국전기연구원)
초록이 없습니다.
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| SiC의 장점은? | SiC (silicon carbide, 탄화규소)는 실리콘에 비하여 밴드갭이 넓은 이른바 와이드밴드갭 반도체 (wide bandgap semiconductor)이다. 전력반도체에사용될물질로거론되는 와이드밴드갭 소재로는 SiC, GaN, 다이아몬드 등 여러 반도체 재료들이 있으나 에피탁시 및 반도체 단결정 성장 등 재료기술의 성숙도, 소자 제조공정 상의 용이성 면에서 SiC가 여타 재료들을 압도하고 있으므로 현재 실리콘을 대체할 수 있는 가장 유력한 전력반도체 재료로 간주되고 있다. | |
| 절연게이트바이폴라트랜지스터 소자는 무엇의 장점을 결합시켰는가? | 이후 MOS 계열의 소자가 전력용으로 개발되었으나 고전압 동작에서 높은 온-저항으로 인해 낮은 전압영역에서 응용분야를 개척하였다. 1980년대 중반 금속산화막 반도체전계효과트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)의 장점과 BJT의 장점을결합시킨절연게이트바이폴라트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT) 소자가 개발된 이후 전력반도체 소자의 비약적인 발전이 이루어졌다. IGBT의 발전을 통해 소자의 전류밀도 측면에서 매 10년간 5~6배의 전류밀도 향상 등의 특성 향상이 이루어졌다. | |
| IGBT 등 기존 실리콘 기반 재료의 물성적 한계를 극복하기 위해 무엇을 이용하여 전력반도체소자를 개발하고 있는가? | 이러한 발전으로 전력반도체 시장은 전체 반도체 시장의 약 10%에 달하는 거대 시장을 형성하였으나 기존 실리콘 기반 재료의 물성적 한계로 인해 최근 발전 속도가 떨어지고 있는 추세이고 더 이상의 성능향상을 기대하기 어려운 실정이다. 이러한 기술적 한계를 극복하기 위해 선진 전력반도체 업계는 실리콘보다 우수한 물성을 가진 탄화규소 (SiC) 및 질화갈륨 (GaN)을 이용하여 전력반도체소자를 개발하고 있다. 뿐만 아니라 최근에는 기후 변화 및 화석자원 고갈 그리고 일본의 원전사고 등으로 기존의 전기시스템에서 전기에너지를 효율적으로 사용할 수 있게 만드는 저손실 전력반도체에 대한 관심이 더욱 증폭되는 추세이다. |
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.