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NTIS 바로가기대한화학회지 = Journal of the Korean Chemical Society, v.57 no.1, 2013년, pp.159 - 164
김솔 (한남대학교 화학과) , 김선태 (한남대학교 화학과) , 강동영 (연세대학교 공동기기원) , 이승호 (한남대학교 화학과)
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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CMP 공정의 정의는 무엇인가? | 반도체 생산 과정에서의 단계 중의 하나로 Chemical mechanical polishing (CMP) 공정이 있는데, 1−3 이 공정은 화학적, 기계적 방법을 이용하여 불필요한 박막층을 고효율적으로 연마/제거하는 과정이다.4 | |
다양한 크기 및 모양을 가지는 입자들의 크기분포를 측정하는데 사용하는 방법 중 OM과 동적광산란법의 장 단점은? | 다양한 크기 및 모양을 가지는 입자들의 크기분포를 측정하는데 사용하는 방법으로는 sieving, optical microscopy (OM), photon correlation spectroscopy (PCS, 동적광산란법 (dynamic light scattering, DLS)이라고도 함)5 등이 있다. 이들은 각각 장점과 단점을 가지는데, OM의 경우 각 입자의 모양과 크기를 사람의 눈으로 직접 관찰 할 수 있다는 장점은 있으나, 입자크기를 하나 하나 측정해야 하므로 시간이 오래 걸리고 특히 넓은 크기 분포를 가지는 시료의 입자크기 분포를 정확히 결정하기에는 어려움이 있다. DLS의 경우 측정이 간편하고 빨라 널리 사용되고 있으나 입자크기 분포가 넓거나 multimodal 인 경우 정확한 크기 분포를 제공하지 못하는 단점이 있다.6 | |
다층화된 층에서 평탄화 공정이 필수적인 이유는? | 각 층의 표면에 미세한 요철이 존재한다면 회로패턴을 노광(exposure)할 수 없으며, 표면의 요철은 층이 높아질수록 점차 커지므로, 다층화된 층에서는 노광 영역내의 평탄화 공정이 필수적이다. 각 단차 제거 속도에 따라 연마제의 입자크기를 선택하는데, 일반적으로 높은 단차의 공정에서는 비교적 큰 입자를 사용한다. |
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