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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.26 no.3, 2013년, pp.190 - 193
심관필 (극동대학교 에너지반도체학과) , 안병섭 (극동대학교 에너지반도체학과) , 강예환 (극동대학교 에너지반도체학과) , 홍영성 (극동대학교 에너지반도체학과) , 강이구 (극동대학교 에너지반도체학과)
Power MOSFET and Power IGBT is develop in power savings, high efficiency, small size, high reliability, fast switching, low noise. Power MOSFET can be used high-speed switching transistors devices. Power MOSFET is devices the voltage-driven approach switching devices are design to handle on large po...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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Power MOSFET란? | Power MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor)는 전압 구동 방식으로 동작하는 소자이며, 고전압, 고전류를 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스로서 전원 공급 장치, 변환기 등에 널리 사용된다. 모터 구동에 사용되는 power MOSFET는 낮은 온 저항을 가지기 때문에 동작 상태에서 전력 전달 손실을 줄여줌으로써 효율을 높일 수 있으며, 결과적으로 저전력 구현을 가능하게 한다. | |
Power MOSFET은 어디에 사용되는가? | Power MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor)는 전압 구동 방식으로 동작하는 소자이며, 고전압, 고전류를 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스로서 전원 공급 장치, 변환기 등에 널리 사용된다. 모터 구동에 사용되는 power MOSFET는 낮은 온 저항을 가지기 때문에 동작 상태에서 전력 전달 손실을 줄여줌으로써 효율을 높일 수 있으며, 결과적으로 저전력 구현을 가능하게 한다. | |
planer gate MOSFET의 항복전압에 가장 큰 영향을 주는 것은 무엇인가? | 이번 연구를 위하여 기본적인 구조의 MOSFET를 설계하였고, planer 구조를 완성한 후에 planer의 특성과 같은 항복전압과 작은 cell size의 낮은 온-상태 전압 강하를 갖는 구조의 trench gate MOSFET를 설계하였다. Planer 타입의 설계하기 위해서 항복전압을 위해서 항복전압의 가장 큰 영향을 주는 Epi 층의 크기와 Epi의 농도의 따른 시뮬레이션을 진행하여 항복전압과 온-상태 전압강하의 트레이드 오프관계를 확인하였고, P-base 의 크기와 농도의 따른 문턱전압 특성을 확인하였다. |
B. J. Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 279
B. J. Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 737
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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