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APS로 표면 처리한 Fe 나노 입자 촉매를 이용한 CNT의 직경제어
Diameter Control of Carbon Nanotubes Using Surface Modified Fe Nano-Particle Catalysts with APS 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.26 no.6, 2013년, pp.478 - 481  

이선우 (인하공업전문대학 전기정보과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Diameter controlled carbon nanotubes (CNTs) were grown using surface modified iron nano-particle catalysts with aminpropyltriethoxysilane (APS). Iron nano-particles were synthesized by thermal decomposition of iron pentacarbonyl-oleic acid complex. Subsequently, APS modification was done using the i...

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문제 정의

  • 뭉침 현상을 효과적으로 방지함으로써 나노 입자의 크기에 상당하는 직경의 탄소나노튜브를 성장할 수 있다는 것을 확인하였다. APS를 이용한 표면 처리에 의한 Fe 나노 입자의 뭉침 현상을 방지하는 메커니즘에 대해 고찰한다. 나노 크기의 촉매 입자는 탄소나노튜브의 합성을 위해 필요한 고온의 환경에서 서로 뭉침으로써 큰 나노 입자를 형성하여 결과적으로 성장하는 탄소나노튜브의 직경이 커지는 결과를 초래한다.
  • 본 논문에서는 촉매 나노 입자의 표면을 APS로 처리함으로써 고온에서 APS가 나노 입자의 표면에 실리카 물질을 형성하여 탄소나노튜브의 성장을 위해 필요한 고온의 환경에서도 나노 입자의 뭉침 현상을 방지할 수 있는 방법에 대해 보고하고 메커니즘에 대해 고찰한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
탄소나노튜브의 전기적인 특성은 무엇에 의해 결정되는가? 이와 같이 응용분야에 따라서로 다른 특성의 탄소나노튜브가 요구되고 있다. 탄소나노튜브의 전기적인 특성은 직경에 따라 달라지는 에너지 밴드갭에 의해 결정되기 때문에, 동일한 특성의 소자를 제작하기 위해서는 균일한 직경의 탄소나노튜브의 합성이 필수적이다 [10]. 탄소나노튜브의 직경은 촉매로 사용되는 금속 입자의 크기에 의해 결정되기 때문에, 금속 입자를 형성하는 금속 막의 두께를 조절하여 직경을 제어하는 방법이 일반적으로 사용되고 있다 [11].
금속 입자를 형성하는 금속 막의 경우 탄소 나노튜브의 징경에도 산포가 발생하는 이유는? 탄소나노튜브의 직경은 촉매로 사용되는 금속 입자의 크기에 의해 결정되기 때문에, 금속 입자를 형성하는 금속 막의 두께를 조절하여 직경을 제어하는 방법이 일반적으로 사용되고 있다 [11]. 금속 막은 탄소나노튜브를 성장하기 위해 필요한 600℃ 이상의 고온의 환경에서 나노입자를 형성하여 촉매의 역할을 수행하는데, 형성되는 나노 입자의 크기가 각각 다르기 때문에 합성된 탄소나노튜브의 직경에도 산포가 발생하게 된다 [12]. 이러한 문제를 극복하기 위해 촉매 금속 막으로부터 나노 입자를 형성하는 방법 대신에 촉매의 나노 입자를 미리 형성하여 기판에 분산시켜 촉매로서 사용하고자 하는 시도가 이루어져 왔다 [13].
탄소나노튜브의 특성은? Iijima에 의해 발견된 이래 [1], 지난 20여 년간 전기, 전자, 재료, 화학, 기계 분야 등의 여러 분야에서 많은 관심을 받으며 연구가 진행되었다. 특히, 탄소나노튜브는 화학적, 기계적, 전기적인 특성이 매우 우수하여 FET와 배선 등의 반도체 분야 [2,3], FED와 같은 전자 분야 [4], 바이오 센서와 같은 화학 분야 [5], 복합재료와 같은 소재 분야에서 차세대 소자를 위한 최적의 재료로써 각광을 받아왔다 [6]. 응용 분야에 적합한 탄소나노튜브를 합성하는 방법 역시 동시에 발전을 거듭해 왔다[7-9].
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참고문헌 (14)

  1. S. Iijima, Nature, 354, 56 (1991). 

  2. S. J. Tans, A.R.M. Verschueren, and C. Dekker, Nature, 393, 49 (1998). 

  3. J. Li, Q. Ye, A. Cassell, H. T. Ng, R. Stevens, J. Han, and M. Meyyappan, Appl. Phys. Lett., 82, 2491 (2003). 

  4. T. W. Ebbesen, Carbon Nanotubes, (CRC Press, Boca Raton, 1997). 

  5. J. J. Davis, K. S. Coleman, B. R. Azamian, C. B. Bagshaw, and M.L.H. Green, Chem. Eur. J., 9, 3732 (2003). 

  6. S.A.C. Carabineiro, M.F.R. Pereira, J. N. Pereira, C. Caparros, V. Sencadas, and S. Lanceros-Mendez, Nanoscale Research Letters, 6, 1 (2011). 

  7. T. Guo, P. Nikolaev, A. Thess, D. T. Colbert, and R. E. Smalley, Chem. Phys. Lett., 243, 49 (1995). 

  8. Z. F. Ren, Z. P. Huang, J. W. Xu, J. H. Wang, P. Bush, M. P. Siegal, and P. N. Provencio, Science, 282, 1105 (1998). 

  9. S. H. Jeong, J. H. Ko, J. B. Park, and W. Park, J. Am. Chem. Soc., 126, 15982 (2004). 

  10. M. S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, and P. C. Eklund, Science of Fullerenes and Carbon Nanotubes, (Academic Press, San Diego, 1996). 

  11. H. Dai, A. G. Rinzler, P. Nikolaef, A. Thess, D. T. Colbert, and R. E. Smalley, Chem. Phys. Lett., 260, 471 (1996). 

  12. V. F. Puntes, K. M. Krishnan, and A. P. Alivisatos, Science, 291, 2115 (2001). 

  13. H. Ago, T. Komatsu, S. Ohshima, Y. Kuriki, and M. Yumura, Appl. Phys. Lett., 77, 79 (2000). 

  14. M. Mizuno, Y. Sasaki, A.C.C. Yu, and M. Inoue, Langmuir, 20, 11305 (2004). 

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