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The Short Channel Effect Immunity of Silicon Nanowire SONOS Flash Memory Using TCAD Simulation 원문보기

Transactions on electrical and electronic materials, v.14 no.3, 2013년, pp.139 - 142  

Yang, Seung-Dong (Department of Electronics Engineering, Chungnam National University) ,  Oh, Jae-Sub (Department of Electronics Engineering, Chungnam National University) ,  Yun, Ho-Jin (Department of Electronics Engineering, Chungnam National University) ,  Jeong, Kwang-Seok (Department of Electronics Engineering, Chungnam National University) ,  Kim, Yu-Mi (Department of Electronics Engineering, Chungnam National University) ,  Lee, Sang Youl (Department of Electronics Engineering, Chungnam National University) ,  Lee, Hi-Deok (Department of Electronics Engineering, Chungnam National University) ,  Lee, Ga-Won (Department of Electronics Engineering, Chungnam National University)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Silicon nanowire (SiNW) silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) flash memory devices were fabricated and their electrical characteristics were analyzed. Compared to planar SONOS devices, these SiNW SONOS devices have good program/erase (P/E) characteristics and a large threshold voltage ($V...

주제어

#SiNW   #SONOS flash memory   #DIBL   #TCAD simulation  

AI 본문요약
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문제 정의

  • Nanowire transistors, which are basically gate-all-around devices, offer superior electrostatic control of the channel to suppress SCEs. This paper reports the fabrication of SiNW and planar SONOS flash memories, and and analysis of the electrical characteristics. To uncover the reason for good SCE immunity in SiNW SONOS devices, both devices were examined with 3D TCAD simulations.
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참고문헌 (11)

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