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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.23 no.6, 2013년, pp.322 - 328
김준우 (금오공과대학교 신소재시스템공학부) , 강동수 (금오공과대학교 신소재시스템공학부) , 이현용 (금오공과대학교 신소재시스템공학부) , 이상현 ((주)eCONY) , 고성우 ((주)eCONY) , 노재승 (금오공과대학교 신소재시스템공학부)
The relationship the between electrical properties and surface roughness (Ra) of a wet-etched silicon wafer were studied. Ra was measured by an alpha-step process and atomic force microscopy (AFM) while varying the measuring range
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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슬림화 식각 기술의 목적은? | 슬림화 식각 기술은 웨이퍼의 두께 감소 및 표면거칠기의 향상을 목적으로 한다. 실리콘 웨이퍼는 식각용액에 따라서 표면형상과 표면거칠기가 다르게 나타난다. | |
반도체용 웨이퍼의 전기적 특성검사는 무슨 방법을 이용하는가? | 한편 반도체용 웨이퍼의 중요 특성은 전기적 특성이다. 웨이퍼는 얇고 비파괴 방법으로 검사해야 하기 때문에 전기적 특성검사는 4개의 프로브가 일정한 간격으로 일렬 배열된 표면저항 측정법을 이용한다. 프로브를 실리콘 웨이퍼의 표면에 접촉시켜 비저항을 측정하며, 프로브 배열방법에 따라 단일 배열8-12)과 이중배열 측정기술이 이용되고 있다. | |
실리콘 웨이퍼의 식각용액이 달라지면 어떻게 되는가? | 슬림화 식각 기술은 웨이퍼의 두께 감소 및 표면거칠기의 향상을 목적으로 한다. 실리콘 웨이퍼는 식각용액에 따라서 표면형상과 표면거칠기가 다르게 나타난다.1) 표면거칠기는 내마모성, 마찰계수, 접촉저항에 영향을 미치며 각 특성들을 이용하여 gear, shaft, CAM, clutch, switching 그리고 connector 등에 사용되게 된다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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