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전극 구조에 따른 유기 트랜지스터 특성
Organic Transistor Characteristics with Electrode Structures 원문보기

한국전자통신학회 논문지 = The Journal of the Korea Institute of Electronic Communication Sciences, v.8 no.1, 2013년, pp.93 - 98  

이붕주 (남서울대학교 전자공학과)

초록
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본 논문에서는 유기박막트랜지스터용 절연막에 활용코자 플라즈마 중합방법을 이용하여 PMMA 절연막을 제작하였다. 유기트랜지스터 성능향상을 위해 전극구조에 따른 특성을 파악하고자 트랜지스터의 이동도 및 출력특성을 본결과, 상부전극구조의 경우 최대 이동도는 $8{\times}10^{-3}[cm^2V^{-1}s^{-1}]$을 보이고 하부전극구조의 경우 $2{\times}10^{-4}[cm^2V^{-1}s^{-1}]$의 낮은 이동도 값을 얻었으며, 하부전극구조의 경우 off current값이 증가되는 특성을 볼 수 있다. 그러므로 유기트랜지스터의 전극구조는 상부전극 방식이 좋은 것 알 수 있었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, We have fabricated PMMA thin films by plasma polymerization method for organic thin film transistor's insulator layer. For improving the characteristics of organic transistor, we tested transistor's mobility and output values with organic transistor's electrode structures. As a result...

주제어

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문제 정의

  • 본 연구에서는 유기트랜지스터 소오스와 드레인 전극형성후 펜타센 박막을 증착하는 하부전극 구조와 박막증착후 전극을 성형하는 상부전극 구조의 유기트랜지스터 소자를 제작하고 이에 대한 성능을 비교하여 각각의 전극구조에 대한 특성을 파악하고자 한다.
  • 본 연구에서는 전극의 위치변화에 따른 특성을 보고자 한다. 일반적으로 유기전자 트랜지스터의 소스와 드레인의 전극은 Au를 사용하는데, 이것은 Au의 일함수(5.
  • 2eV)가 유사하여 사용되고 있다. 하지만 상부전극 및 하부전극의 구조적인 차이에 대한 명확한 연구가 필요할 것으로 생각되어 그림 2와 같은 구조의 트랜지스터에 대해 연구하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
초고집적화시대를 맞이해 재료적인 측면에서 유기물 재료에 대한 관심이 집중되는 이유는? 여러 전자소자의 중요성이 커지고 있고 이를 집적화 하기 위한 박막소자에 대한 연구가 진행되고 있다[1-3]. 특히 재료적인 측면을 고려할 때, 저비용 대량생산측면에서 유기물재료에 대한 관심이 집중되고 있는 시점이다[4,5].
건식공정 중 플라즈마 중합기법의 특징은? 유기전자소자는 일반적으로 습식방식에 의해 연구되어지고 있으나, 향후 소자특성향상 및 제조공정개발을 고려할 때, 건식법의 중요성이 대두되고 있는 상황이다. 건식공정 중 플라즈마 중합기법(plasma polymerization deposition)은 통상적인 화학적 중합법에 의한 박막과 비교하여 내열성, 내마모성 및 내약품성등 우수한 특성을 가지고 있어, 층간 절연막, 반도체 보호막, 고분자 특수코팅 소재 등 기능성 박막 응용 개발에 관심이 집중되는 분야이다. 플라즈마 중합은 유기물 및 유기 금속의 가스 상태 모노머들이 플라즈마 방전 상태에서 반응하여 기판 표면에 가교밀도가 매우 높은 박막형태로 합성되는 공정을 이야기 한다.
플라즈마 중합이란? 건식공정 중 플라즈마 중합기법(plasma polymerization deposition)은 통상적인 화학적 중합법에 의한 박막과 비교하여 내열성, 내마모성 및 내약품성등 우수한 특성을 가지고 있어, 층간 절연막, 반도체 보호막, 고분자 특수코팅 소재 등 기능성 박막 응용 개발에 관심이 집중되는 분야이다. 플라즈마 중합은 유기물 및 유기 금속의 가스 상태 모노머들이 플라즈마 방전 상태에서 반응하여 기판 표면에 가교밀도가 매우 높은 박막형태로 합성되는 공정을 이야기 한다. 플라즈마 상태에 주입되는 단량체 분자들은 플라즈마 에너지에 의해 활성화 입자 상태로 존재하며 주입 단량체의 부분적인 화학적 구조만 보존되고 강력한 가교결합특성과 불규칙적인 구조를 가지게 된다.
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참고문헌 (12)

  1. 최병상, "Pt 나노입자와 Hybrid Pt-SiO2 나노입 자의 합성과 활용 및 입자박막 제어", 한국전자통신학회논문지, 4권, 4호, pp. 302-305, 2009. 

  2. 박용욱, "집중 소자를 이용한 다이플렉서 설계 및 제작", 한국전자통신학회논문지, 7권, 1호, pp. 9-14, 2012. 

  3. 박용욱, 나상엽, "탄소나노튜브 트랜지스터 특성 연구", 한국전자통신학회논문지, 5권, 1호, pp. 88-92, 2010. 

  4. H. Y. Choi, S. H. Kim, J. Jang, "Self-Organized Organic Thin-Film Transistors on Plasic", Advanced materials, Vol. 16, No. 8, pp. 732, 2004. 

  5. C. Zhang, J. Wyatt, D.H, "Carbon dioxide sorption in conventional and plasma polymerized methyl methacrylate thin films", Polymer, Vol. 45, No. 22, pp. 7665-7671, 2004. 

  6. Y. Vickie Pan, Ernesto Z. Barrios, Denice D. Denton, "In situ FTIR investigation of MMA plasmas, plama-polymerized films, and reaction mechani는", Polym. Sci., Part A : Polym. Chem. Vol. 36, pp. 587-602, 1998. 

  7. S. Morita, J. Tamano, S. Hattori, M. Ieda, "Plasma polymerized methyl-methacrylate as an electron-beam resist", J. Appl. Phys. Vol. 51, No. 7, pp. 3938-3941, 1980. 

  8. 이붕주, 신현용 "CVD로 제작된 $SiO_2$ 산화막의 투습특성", 한국전자통신학회논문지, 5권, 1호, pp. 81-87, 2010. 

  9. 이붕주, "공정압력 및 기판바이어스 인가유무에 따른 PMMA 플라즈마 중합박막의 전기적 특성", 한국전자통신학회논문지, 6권, 5호, pp. 697-702, 2011. 

  10. Se-hyun Lee, Boong-Joo Lee, Young-taek Lim, Jae-Sung Lim, Sunwoo Lee, Shizuyasu Ochial, Jun-Sin Yi and Paik-kyun Shin, "Process condition considered preparation and characterization of plasma polymerized methacrylate thin films for organic thin film transistor application", Japanese journal of applied physics, Vol. 51, No. 2, pp. 021602, 2012. 

  11. I.Kymissis, C.D.Dimitrakopoulos, and S.Purushothaman, "High-performance bottom electrodeorganic thin-film transistors" IEEE Tran. Elect. Dev., Vol. 48, p. 1060, 2001. 

  12. R.B.Campbell, J.M.Robertson, and J.Trotter, "The crystal and molecular structure of pentacene" Acta Crystal, Vol. 14, Part 7, pp. 705, 1961. 

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