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NTIS 바로가기한국전자통신학회 논문지 = The Journal of the Korea Institute of Electronic Communication Sciences, v.8 no.2, 2013년, pp.207 - 212
A novel pixel circuit that uses only n-type low-temperature polycrystalline silicon (poly-Si) thin-film transistors (LTPS-TFTs) to compensate the threshold voltage variation of a OLED driving TFT is proposed. The proposed 6T1C pixel circuit consists of 5 switching TFTs, 1 OLED driving TFT and 1 capa...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 전기적 특성이 위치에 따라 다른 이유는 무엇인가? | 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 엑시머 레이저를 사용하여 비정질 실리콘 박막을 다결정 실리콘 박막으로 결정화하기 때문에 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 전기적 특성이 위치에 따라 다르다. 이로 인해 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 적용한 AMOLED 패널은 위치에 따라 휘도가 불균일한 고질적 불량이 발생된다[6, 7]. | |
2T1C 화소회로는 어떤 문제점을 갖는가? | 정전용량에 저장된 전압은 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 인가되어 OLED 양극의 전압을 결정하며 이에 따라 OLED 전류가 흐른다. 만약 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압이 변동하면 OLED 양극의 전압도 따라 변동하여 동일 데이터 전압을 인가했음에도 불구하고 다른 OLED 전류가 흐르게 되어 휘도 불균일이 발생하는 문제점을 가지고 있다[11]. 이런 문제점을 해결하기 위해 그림 2와 같은 새로운 전압 기입 AMOLED 화소회로를 제안하였다. | |
AMOLED 디스플레이는 화소에 OLED 전류를 제어하기 위해 화소 내에 어떤 것이 사용될 수 있는가? | AMOLED 디스플레이는 화소에 OLED 전류를 제어하기 위해 화소 내에 구동 트랜지스터가 존재하며 비정질 실리콘 박막 트랜지스터[8], 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터[9], 산화물 박막 트랜지스터[10] 등이 사용될 수 있다. 다른 박막 트랜지스터에 비해 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 전류 구동 능력이 좋고 신뢰성이 우수하여 현재 판매되고 있는 소형 AMOLED 제품에는 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터가 사용되고 있다. |
Soon-Kwang Hong, Du-Hwan Oh, Seok-Hee Jeong, Young-Ju Park, Byeong-Koo Kim, Yong-Min Ha, and Jin Jang, "Source Driver Channel Reduction Schemes Employing Corresponding Pixel Alignments for Current Programming Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode Displays", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 47, No. 3, pp. 1901-1905, 2008.
James L. Sanford and Frank R. Libsch, "TFT AMOLED pixel circuits and driving methods", SID 03 Digest, pp. 10-13, 2003.
Y. He, R. Hattori, and J. Kanicki, "Current- Source a.Si:H Thin-Film Transistor Circuit for Active-Matrix Organic Light-Emitting Displays", IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Vol. 21, No. 12, pp. 590-592, 2000.
Tohru Saitoh, Tomohiko Oda, Arinobu Kanegae, Yoshiharu Hidaka and Kazunori Komori, "Backplane Process Technology for AMOLEDs with Bottom-Gate TFTs and Laser Annealing", SID 2012 Digest, pp. 191-194, 2012.
AMOLED 디스플레이는 화소에 OLED 전류를 제어하기 위해 화소 내에 구동 트랜지스터가 존재하며 비정질 실리콘 박막 트랜지스터[8], 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터[9], 산화물 박막 트랜지스터[10] 등이 사용될 수 있다.
Toru Tanabe, Seiko Amano, Hiroyuki Miyake, Akio Suzuki, Ryu Komatsu, Jun Koyama, Shunpei Yamazaki, Kenichi Okazaki, Masahiro Katayama, Hiroshi Matsukizono, Yohsuke Kanhhzaki and Takuya Matsuo, "New Threshold Voltage Compensation Pixel Circuits in 13.5-inch Quad Full High Definition OLED Display of Crystalline In-Ga-Zn-Oxide FETs", SID 2012 Digest, pp. 88-91, 2012.
AMOLED 디스플레이는 화소에 OLED 전류를 제어하기 위해 화소 내에 구동 트랜지스터가 존재하며 비정질 실리콘 박막 트랜지스터[8], 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터[9], 산화물 박막 트랜지스터[10] 등이 사용될 수 있다.
C. L. Fan, Y. Y. Lin, B. S. Lin, J. Y. Chang, C. L. Fan and H. C. Chang, "New Pixel Circuit Compensating Poly-si TFT Thresholdvoltage Shift for a Driving AMOLED", Journal of the Korean Physical Society, Vol. 56, No. 4, pp. 1185-1189, 2010.
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