[논문]원자층증착 기술: 개요 및 응용분야

신석윤; 함기열; 전희영; 박진규; 장우출; 전형탁

doi:10.3740/mrsk.2013.23.8.405

원자층증착 기술: 개요 및 응용분야
Atomic Layer Deposition: Overview and Applications 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.23 no.8, 2013년, pp.405 - 422

신석윤 (한양대학교 신소재공학과) , 함기열 (한양대학교 신소재공학과) , 전희영 (한양대학교 나노반도체공학과) , 박진규 (한양대학교 나노반도체공학과) , 장우출 (한양대학교 신소재공학과) , 전형탁 (한양대학교 신소재공학과)

Abstract ▼ AI-Helper

Atomic layer deposition(ALD) is a promising deposition method and has been studied and used in many different areas, such as displays, semiconductors, batteries, and solar cells. This method, which is based on a self-limiting growth mechanism, facilitates precise control of film thickness at an atomic level and enables deposition on large and three dimensionally complex surfaces. For instance, ALD technology is very useful for 3D and high aspect ratio structures such as dynamic random access memory(DRAM) and other non-volatile memories(NVMs). In addition, a variety of materials can be deposited using ALD, oxides, nitrides, sulfides, metals, and so on. In conventional ALD, the source and reactant are pulsed into the reaction chamber alternately, one at a time, separated by purging or evacuation periods. Thermal ALD and metal organic ALD are also used, but these have their own advantages and disadvantages. Furthermore, plasma-enhanced ALD has come into the spotlight because it has more freedom in processing conditions; it uses highly reactive radicals and ions and for a wider range of material properties than the conventional thermal ALD, which uses $H_2O$ and $O_3$ as an oxygen reactant. However, the throughput is still a challenge for a current time divided ALD system. Therefore, a new concept of ALD, fast ALD or spatial ALD, which separate half-reactions spatially, has been extensively under development. In this paper, we reviewed these various kinds of ALD equipment, possible materials using ALD, and recent ALD research applications mainly focused on materials required in microelectronics.

주제어

질의응답

핵심어	질문	논문에서 추출한 답변
	화학기상증착법과 원자층증착 기술사이의 차이는?	원자층증착 기술은 박막 형성을 위하여 2개의 표면반응이 교대로 일어나는 하나의 화학기상증착법(CVD: Chemical Vapor Deposition)이다. 그러나 화학기상증착법과 달리 원자층증착 기술은 기판 표면을 전구체(precursor)와 반응체(reactant)에 순차적으로 노출시키며 2개의 표면반응을 불활성 기체인 아르곤(Ar) 또는 질소(N2) 가스 등을 이용하여 분리한다. 기판의 표면은 전구체(또는 반응체) 노출 단계에 의하여 각각의 반응이 포화되면 더 이상 반응이 일어나지 않는다.
	원자층증착 기술이 최초로 적용된 분야는?	원자층증착 기술(ALD: Atomic Layer Deposition)은 1970년대 중반 핀란드의 Suntola 그룹에 의하여 원자층 에피택시(ALE: Atomic Layer Epitaxy)라는 이름으로 제안되었으며 이후 비약적인 발전을 거듭해 왔다.1,2) 최초로 적용된 원자층증착 기술의 응용분야는 박막의 전기 발광(TFEL: Thin film Electro-Luminescent) 평판 디스플레이에 사용되는 고품위 절연막의 필요에 의해서였으며 대면적 기판에 높은 절연 내력과 적은 결함 밀도를 지닌 균일한 절연층의 성공적인 형성이 가능하였다. 그래서 1980년대 초 박막의 전기발광 평판 디스플레이 산업에 원자층증착 기술이 도입되게 되었다.
	원자층증착 기술의 순환 방식의 네 단계는 어떻게 되는가?	또한 원자층증착 기술은 순환(cycle) 방식으로 진행되며 일반적으로 하나의 성장 사이클은 4개의 단계(2개의 전구체와 반응체를 지닌 원자층증착 기술의 경우)로 이루어져 있다. 첫 번째 단계는 전구체의 주입과 노출이며 두 번째 단계에서는 과잉 공급된 전구체와 부산물 제거를 위한 퍼지 및 배출이다. 세 번째 단계는 반응체의 주입과 노출이며 마지막 단계는 과잉 공급된 반응체와 부산물 제거를 위한 기상반응으로부터의 퍼지 및 배출이다. 이 4개의 단계가 박막성장을 위한 기본 한 사이클이며 박막 형성 시 원자층증착 기술의 사이클은 요구되는 두께 증착을 위해서 반복된다.

참고문헌 (144)

T. Suntola, Thin Solid Films, 216, 84 (1992).

상세보기
T. Suntola, Mater. Sci. Rep., 4, 261 (1989).

상세보기
M. A. Tischler and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett., 49, 274 (1986).

상세보기
B. T. McDermott, N. A. El-Masry, M. A. Tischler and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett., 51, 1830 (1987).

상세보기
Y. Horikoshi, M. Kawashima and H. Yamaguchi, Appl. Phys. Lett., 50, 1686 (1987).

상세보기
D. H. Triyoso, R. I. Hedge, J. Grant, P. Fejes, R. Liu, D. Roan, M. Ramon, D. Werho, R. Rai, B. La, J. Baker, C. Garza, T. Gurnther, B. E. White and P. J. Tobin, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 2121 (2004).

상세보기
G. H. Lee, K. R. Kim, H. J. Yang, S. K. Park, G. S. Cho, E. S. Choi and Y. H. Song, Jpn. J. Appl. Phys., 51, 116501 (2012).

상세보기
P. Poodt, D. C. Cameron, E. Dickey, S. M. George, V. Kuznetsov, G. N. Parsons, F. Roozeboom, G. Sundram and A. Vermeer, J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 010802 (2012).

상세보기
M. Leskela and M. Ritala, Angew. Chem. Int. Ed., 42, 5548 (2003).

상세보기
H. Kim, Thin Solid Films, 519, 6639 (2011).

상세보기
B. H. Kim, W.S. Jeon, S. H. Jung and B. T. Ahn, Electrochem. Solid-State Lett., 8, G294 (2005).

상세보기
J. Y. Kim, D. Y. Kim, H. O. Park and H, Jeon, J. Electrochem. Soc., 151, G29 (2005).
H. C. M. Knoops, A. J. M. Mackus, M. E. Donders, M. C. van de Sanden, P. H. L. Notten and W. M. M. Kessels, Electrochem. Solid-State Lett., 12, G34 (2009).

상세보기
X. Liu, S. Ramanathan, A. Longdergan, A. Srivastava, E. Lee, T. E. Seidel, J. T. Barton, D. Pand and R. G. Gordon, J. Electrochem. Soc., 152, G213 (2005).

상세보기
D. Ma, S. Park, B. S. Seo, S. Choi, N. Lee and J. H. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 80 (2005).

상세보기
M. Nieminen, M. Putkonen and L. Niinisto, Appl. Surf. Sci., 174, 155 (2001).

상세보기
J. Kostamo, V. Saanila, M. Tuominen, S. Haukka, K.-E. Elers, M. Soininen, W. M. Li, M. Leinikka, S. Kaipio and H. Huotari, Paper presented at AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition 2002, Aug 19-21, 2002.
M. Leskela and M. Ritala, J. Phys. IV, 5, 937 (1995).
L. Niinisto, M. Ritala and M. Leskela, Mater. Sci. Eng. B, 41, 23 (1996).

상세보기
S. M. George, A. W. Ott and J. W. Klaus, J. Phys. Chem., 100, 13121, (1996).

상세보기
A. W. Ott, J. M. Johnson, J. W. Klaus and S. M. George, Appl. Surf. Sci., 112, 205 (1997).

상세보기
A. W. Ott, Klaus, J. W. Klaus, J. M. Johnson and S. M. George, Thin Solid Films, 292, 135 (1997).

상세보기
M. Ritala, T. Asikainen and M. Leskela, Electrochem. Solid-State Lett., 1, 156 (1998).
M. Lindblad, S. Haukka, A. Kytokivi, E. Lakomaa, A. Rautiainen and T. Suntola, Appl. Surf. Sci., 121/122, 286 (1997).

상세보기
S. Haukka, E. Lakomaa and A. Root., J. Phys. Chem., 97, 5085 (1993).

상세보기
S. Haukka, E. Lakomaa, O. Jylha, J. Vilhunen and S. Hornytzkyj, Langmuir, 9, 3497 (1993).

상세보기
A. Kytokivi, E. Lakomaa, A. Root, H. Osterholm, J. Jacobs and H. H. Brongersma, Langmuir, 13, 2717 (1997).

상세보기
R. Matero, Thin Solid Films, 368, 1 (2000).

상세보기
M. D. Groner, F. H. Fabreguette, J. W. Elam and S. M. George, Chem. Mater., 16, 639 (2004).

상세보기
J. D. Ferguson,,A. W. Weimer and S. M. George, J. Vac. Sci. Technol. A, 23, 118 (2005).

상세보기
A. Yamada, B. S. Sang and M. Konagai, Appl. Surf. Sci., 112, 216 (1997).

상세보기
A. W. Ott and R. P. H. Chang, Mater. Chem. Phys., 58, 132 (1999).

상세보기
E. B. Yousfi, J. Fouache and D. Lincot, Appl. Surf. Sci., 153, 223 (2000).

상세보기
A. Kowalik, E. Guziewicz, K. Kopalko, S. Yatsunenko, A. Wojcik-G odowska, M. Godlewski, P. D u ewski, E. usakowska and W. Paszkowicz, J. Cryst. Growth, 311, 1096 (2009).

상세보기
R. J. Roy, Solid State Chem., 111, 11 (1994).

상세보기
J. W. Elam, M. Schuisky, J. D. Ferguson and S. M. George, Thin Solid Films, 436, 145 (2003).

상세보기
H. Tiznado, M. Bouman, B. C. Kang, K. Lee and F. Zaera, J. Mol. Catal. A: Chem., 281, 35 (2008).

상세보기
P. Caubet, J. P. Gonchond, M. Juhel, P. Bouvet, M. Gros- Jean, J. Michailos, C. Richard and B. Iteprat, J. Electrochem. Soc., 155, H625 (2008).

상세보기
S. Consiglio, W. X. Zeng, N. Berliner and E. T. Eisenbraun, J. Electrochem. Soc., 155, H196 (2008).

상세보기
H. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 2231 (2003).

상세보기
M. Ritala, P. Kalsi, D. Riihela, K. Kukli, M. Leskela and J. Jokinen, Chem. Mater., 11, 1712 (1999).

상세보기
M. Leskela and M. Ritala, J. Phys. IV, 9, 837 (1999).
J. S. Park, M. J. Lee, C. S. Lee and S. W. Kang, Electrochem. Solid-State Lett., 4, C17 (2001).

상세보기
H. B. Profijt, S. E. Potts, M. C. M. van de Sanden and W. M. M. Kessels, J. Vac. Sci. Technol. A, 29, 050801 (2011).
M. Hiltunen, M. Leskela, L. Makela, E. Niinisto, E. Nykanen and P. Soininen, Thin Solid Films, 166, 149 (1988).

상세보기
H. Jeon, J. W. Lee, Y. D. Kim, D. S. Kim and K. S. Yi, J. Vac. Sci. Technol. A, 18, 1595 (2000).

상세보기
C. H. Ahn, S. G. Cho, H. J. Lee, K. H. Park and S. H. Jeong, Met. Mater. Int., 7, 621 (2001).

상세보기
J. Uhm and H. Jeon, Jpn. J. Appl. Phys., 40, 4657 (2001).

상세보기
K. Choi, P. Lysaght, H. Alshareef, C. Huffman, H. C. Wen, R. Harris, H. Luan, P. Y. Hung, C. Sparks, M. Cruz, K. Matthews, P. Majhi and B. H. Lee, Thin Solid Films, 486, 141 (2005).

상세보기
H. E. Cheng, W. J. Lee and C. M. Hsu, Thin Solid Films, 485, 59 (2005).

상세보기
M. Ritala, M. Leskela, E. Rauhala and P. Haussalo, J. Electrochem. Soc., 142, 2731 (1995).

상세보기
M. Ritala, T. Asikainen, M. Leskela, J. Jokinen, R. Lappalainen, M. Utriainen, L. Niinisto and E. Ristolainen, Appl. Surf. Sci., 120, 199 (1997).

상세보기
M. Bosund, A. Aierken, J. Tiilikainen, T. Hakkarainen and H. Lipsanen, Appl. Surf. Sci., 254, 5385 (2008).

상세보기
M. Juppo, M. Ritala and M. Leskela, J. Electrochem. Soc., 147, 3377 (2000).

상세보기
M. Juppo, P. Alen, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen and M. Leskela, Electrochem. Solid-State Lett., 5, C4 (2002).

상세보기
J. S. Park and S. W. Kang, Electrochem. Solid-State Lett., 7, C87 (2004).

상세보기
S. B. S. Heil, E. Langereis, F. Roozeboom, M. C. M. van de Sanden and W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc., 153, G956 (2006).

상세보기
J. S. Park, S. W. Kang and H. Kim, J. Vac. Sci. Technol., B, 24, 1327 (2006).
S. B. S. Heil, J. L. van Hemmen, C. J. Hodson, N. Singh, J. H. Klootwijk, F. Roozeboom, M. C. M. van de Sanden and W. M. M. Kessels, J. Vac. Sci. Technol. A, 25, 1357 (2007).

상세보기
K. E. Elers, V. Saanila, P. J. Soininen, J. T. Kostamo, S. Haukka, J. Juhanoja and W. F. A. Besling, Chem. Vap. Deposition, 8, 149 (2002).
J. H. Yun, E. S. Choi, C. M. Jang and C. S. Lee, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2, 41, L418 (2002).
H. K. Kim, J. Y. Kim, J. Y. Park, Y. Kim, Y. D. Kim, H. Jeon and W. M. Kim, J. Korean Phys. Soc., 41, 739 (2002).

상세보기
F. Fillot, T. Morel, S. Minoret, I. Matko, S. Maitrejean, B. Guillaumot, B. Chenevier and T. Billon, Microelectron. Eng., 82, 248 (2005).

상세보기
J. S. Min, Y. W. Son, W. G. Kang, S. S. Chun and S. W. Kang, Jpn. J.Appl. Phys., 37, 4999 (1998).

상세보기
J. W. Elam, M. Schuisky, J. D. Ferguson and S. M. George, Thin Solid Films, 436, 145 (2003).

상세보기
K. E. Elers, J. Winkler, K. Weeks and S. Marcus, J. Electrochem. Soc., 152, G589 (2005).

상세보기
J. W. Klaus, S. J. Ferro and S. M. George, Thin Solid Films, 360, 145 (2000).

상세보기
HSC Chemistry, 5.11 edition; Outokumpu Research Oy : Pori, Finland. Values are given at $0^{\circ}C$ .
R. K. Grubbs, N. J. Steinmetz and S. M. George, J. Vac. Sci. Technol., B, 22, 1811 (2004).

상세보기
F. H. Fabreguette, Z. A. Sechrist, J. W. Elam and S. M. George, Thin Solid Films, 488, 103 (2005).

상세보기
J. W. Elam, C. E. Nelson, R. K. Grubbs and S. M. George, Appl. Surf. Sci., 479, 121 (2001).

상세보기
T. Luoh, C. T. Su, T. H. Yang, K. C. Chem and C. Y. Lu, Microelectron. Eng., 85, 1739 (2008).

상세보기
S. D. Elliott, Langmuir, 26, 9179 (2010).

상세보기
T. Y. Park, J. S. Lee, J. G. Park, H. Y. Jeon and H. Jeon, J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 01A139 (2012).

상세보기
H. T. Wang, R. G. Gordon, R. Alvis and R. M. Ulfig, Chem. Vap. Deposition, 15, 312 (2009).
T. Aaltonen, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen and M. Leskeaa, Chem. Mater., 15, 1924 (2003).

상세보기
J. Hamalainen, F. Munnik, M. Ritala and M. Leskela, Chem. Mater., 20, 6840 (2008).

상세보기
T. Aaltonen, M. Ritala and M. Leskela, Electrochem. Solid-State Lett., 8, C99 (2005)..

상세보기
T. Aaltonen, M. Ritala, V. Sammelselg and M. Leskela, J. Electrochem. Soc., 151, G489 (2004).

상세보기
T. Aaltonen, A. Rahtu, M. Ritala and M. Leskela, Electrochem. Solid-State Lett., 6, C130 (2003).

상세보기
K. J. Park, D. B. Terry, S. M. Stewart and G. N. Parsons, Langmuir, 23, 6106 (2007).

상세보기
K. Knapas and M. Ritala, Chem. Mater., 20, 5698 (2008).

상세보기
B. S. Lim, A. Rahtu and R. G. Gordon, Nat. Mater., 2, 749 (2003).

상세보기
R. Solanki and B. Pathangey, Electrochem. Solid-State Lett., 3, 479 (2000).

상세보기
T. Y. Park, J. S. Lee, J. G. Park, H. Y. Jeon, H. Jeon, J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 01A139 (2012).

상세보기
H. J. Kim, Micro. Eng. 106, 69 (2013).

상세보기
J. W. Elam, A. Zinovev, C. Y. Han, H. H. Wang, U. Welp, J. N. Hyrn and M. J. Pellin, Thin Solid Films, 515, 1664 (2006).

상세보기
H. Liu, K. Xu, X. Zhang and P. D. Ye, Appl. Phys. Lett. 100, 152115 (2012).

상세보기
A. B. F. Martinson, S. C. Riha, E. Thimsen, J. W. Elam and M. J. Pellin, Energy Environ. Sci., 6, 1868 (2013).

상세보기
A. Short, L. Jewell, S. Doshay, C. Church, T. Keiber, F. Bridges, S. Carter and G. Alers, J. Vac. Sci. Technol. A, 31, 01A138 (2013).

상세보기
J. Y. Kim and S. M. George, J. Phys. Chem. C, 114, 17597 (2010).

상세보기
S. K. Sarkar, J. Y. Kim, D. N. Goldstein, N. R. Neale, K. Zhu, C. M. Elliott, A. J. Frank and S. M. George, J. Phys. Chem. C, 114, 8032 (2010).

상세보기
H. Wedemeyer, J. Michels, R. Chmielowski, S. Bourdais, T. Muto, M. Sugiura, G. Dennler and J. Bachmann, Energy Environ. Sci., 6, 67 (2013).

상세보기
V. Pore, M. Ritala and M. Leskela, Chem. Vap. Deposition, 13, 163 (2007).

상세보기
W. S. Choi, J. Korean Phys. Soc., 57, 1472 (2010).

상세보기
Y. H. Shin and Y. Kim, J. Korean Phys. Soc., 61, 594 (2012).

상세보기
S. Jeon, S. Bang, S. Lee, S. Kwon, W. Jeong and H. Jeon, J. Korean Phys. Soc., 53, 3287 (2008).

상세보기
Z. Y. Ye, H. L. Lu, Y. G. Gu, Z. Y. Xie, Y. Zhang, Q. Q. Sun, S. J. Ding and D. W. Zhang, Nanoscale Res. Lett., 9, 108 (2013).
R. G. Gordon, D. Hausmann, E. Kim and J. Sherpard, Chem. Vap. Dep., 9, 73 (2003).

상세보기
S. C. Witczak, M. Gaitan, J. S. Suehle, M. C. Peckerar, D. I. Ma, Solid-State Electron., 37, 10, (1994).
J. W. Lim, S. J. Yun and J. H. Lee, Electrochem Solid- State Lett., 73, F73 (2004).
S. K. Kim, W. D. Kim, K. M. Kim and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 85, 4112 (2004).

상세보기
R. Rios and N. D. Arora, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 613 (1994).
M. Cao, P. V. Voorde, M. Cos and W. Green, IEEE Electron Device Lett., 19, 291 (1998).

상세보기
J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol., B, 18, 1785 (2000).

상세보기
K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res., 11, 2757 (1996).

상세보기
J. H. Koo, S. H. Kim, S. M. Jeon, H. Jeon, J. Korean Phys. Soc., 48, 1(2006).

상세보기
H. C. Kim, S. H. Woo, J. S. Lee, H. G. Kim, Y. C. Kim, H. R. Lee, and H. Jeon, J. Electrochem. Soc., 157(4), H479 (2010).

상세보기
S. H. Kim, S. H. Woo, H. S. Hong, H. C. Kim, H. Jeon, and C. H. Bae, J. Electrochem. Soc., 154(2), H97 (2007).

상세보기
J. H. Lee, J. H. Koo, H. S. Sim, and H. Jeon, J. Korean Phys. Soc., 44, 4 (2004).
S. K. Kim, S. W. Lee, J. H. Han, B. R. Lee, S. W. Han, and C. S. Hwang, Adv. Funct. Mater., 20, 2989 (2010).

상세보기
S. W. Lee, J. H. Han, S. R. Han, W. G. Lee, J. H. Jang, M. H. Se, S. K. Kim, C. Dussarrat, J. Gatineau, Y. S. Min, and C. S. Hwang, Chem. Mat., 23, 2227 (2011).

상세보기
K. H. Ahn, S. G. Baik, and S. S. Kim, J. Appl. Phys., 92, 2651 (2002).

상세보기
R. Bez, E. Camerlenghi, A. Modelli and A. Visconti, Proc. IEEE, 91, 489 (2003).

상세보기
F. Irrera, I. Piccoli, G. Puzzilli, M. Rossini and T. Vali, Microelectron. Reliab., 49, 135 (2009).

상세보기
J. D. Lee, S. H. Hur and J. D. Choi, IEEE Electron Device Lett., 23, 264 (2002).

상세보기
G. Atwood, IEEE Trans. Device Mater. Reliab., 4, 301 (2004).

상세보기
G. Van den Bosch, G. S. Kar, P. Blomme, A. Arreghini, A. Cacciato, L. Breuil, A. De Keersgieter, V. Paraschiv, C. Vrancken, B. Douhard, O. Richard, S. Van Aerde, I. Debusschere, and J. Van Houdt, IEEE Electron Device Lett., 32, 1501 (2011).

상세보기
S. Yokoyama, Y. Nakashima and K. Ooba, J. Korean Phys. Soc., 35, S71 (1999).
I. G. Baek, C. J. Park, H. Ju, D. J. Seong, H. S. Ahn, J. H. Kim, M. K. Yang, S. H. Song, E. M. Kim, S. O. Park, C. H. Park, C. W. Song, G. T. Jeong, S. Choi, H. K. Kang and C. Chung, IEEE Int. Electron Devices Meet., 31, 737 (2011).
Y. Lu, B. Gao, Y. Fu, B. Chen, L. Liu, X. Liu and J. Kang, IEEE Electron Device Lett., 33, 306 (2012).

상세보기
Z. Wang, W. G. Zhu, A. Y. Du, L. Wu, Z. Fang, X. A. Tran, W. J. Liu, K. L. Zhang and H. Y. Yu, IEEE Trans. Electron Devices, 59, 1203 (2012).

상세보기
H. Y. Jeong, Y. I. Kim, J. Y. Lee and S. Y. Choi, Nanotechnology, 120, 115203 (2010).
Y. Y. Chen, G. Pourtois, S. Clima, B. Govoreanu, L. Goux, A. Fantini, R. Degreave, G. Groeseneken, D. Wouters and M. Jurczak, Pac. Rim Int. Conf. Adv. Mater. Process., Proc. Meet., 2806 (2012).
Y. Wu, B. Lee and H. S. P. Wong, Int. Symp. VLSI Technol., Syst., Appl. (VLSI-TSA), Proc. Tech. Pap., 136 (2010).
H. Kondo, M. Arita, T. Fujii, H. Kaji, M. Moniwa, T. Yamaguchi, I. Fujiwara, M. Yoshimaru,and Y. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys., 50, 081101 (2011).

상세보기
L. Chen, W. Yang, Y. Li, Q. Q. Sun, P. Zhou, H. L. Lu, S. J. Ding and D. W. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 01A148 (2012).

상세보기
F. Nardi, S. Balatti, S. Larentis, D. C. Gilmer and D. Ielmini, IEEE Trans. Electron Devices., 60, 70 (2013).

상세보기
S. Yu, H. Y. Chen, B. Gao, J. Kang and H. S. P. Wong, ACS Nano, 7, 2320 (2013).

상세보기
S. R. Ovshinsky, Phy. Rev. Lett., 21, 1450 (1968).

상세보기
H. Horii, J. H. Yi, J. H. Park, Y. H. Ha, I. G. Baek, S. O. Park, Y. N. Hwang, S. H. Lee, Y. T. Kim, K. H. Lee, U. I. Chug and J. T. Moon, Symp. VLSI Technol., Dig. Tech. Pap., 177 (2003).
A. Pirovano, A. L. Lacaita, A. Benvenuti, F. Pellizzer, and R. Bez, IEEE Int. Electron Devices Meet., 29.6.1 (2003).
S. J. Ahn, Y. N. Hwang, Y. J. Song, S. H. Lee, S. Y. Lee, J. H. Park, C. W. Jeong, K. C. Ryoo, J. M. Shin, J. H. Park, Y. Fai, J. H. Oh, G. H. Koh, G. T. Jeong, S. H. Joo, S. H. Choi, Y. H. Son, J. C. Shin, Y. T. Kim, H. S. Jeong and K. Kim, Dig. Tech. Pap. Symp. VLSI Technol., 98 (2005).
S. L. Cho, J. H. Yi, Y. H. Ha, B. J. Kuh, C. M. Lee, J. H. Park, S. D. Nam, H. Horii, B. O. Cho, K. C. Ryoo, S. O. Park, H. S. Kim, U. I. Chung, J. T. Moon and B. I. Ryu, Dig. Tech. Pap. Symp. VLSI Technol., 96 (2005).
A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga and S. R. Ovshinsky, Phys. Rev. B, 87, 165206 (2013).

상세보기
F. A. Al-Agel, E. A. Al-Arfaj, F. M. Al-Marzouki, S. A. Khan, Z. H. Khan and A. A. Al-Ghamdi, Mater. Sci. Semicond. Process., 16, 884 (2013).

상세보기
S. L. Cho, Dig. Tech. Pap. Symp. VLSI Technol., 6B- 1, 96 (2005).
B. J. Choi, S. Choi, Y. C. Shin, C. S. Hwang, J. W. Lee, J. Jeong, Y. J. Kim, S. Y. Hwang and S. K. Hong, J. Electrochem. Soc., 154, H318 (2007).

상세보기
R. Y. Kim, H. G. Kim and S. G. Yoon, Appl. Phys. Lett., 89, 10 (2006).
J. Lee, S. Choi, C. Lee, Y. Kang and D. Kim, Appl. Surf. Sci., 253, 3969 (2007).

상세보기
D. J. Milliron, S. Raoux, R. Shelby and J. Jordan-Sweet, Nat. Mater., 6, 352 (2007).

상세보기
V. Venkatasamy, I. Shao, Q. Huang and J. L. Stickney, J. Electrochem. Soc., 155, D693 (2008).

상세보기
I. Shao, Q. Huang, J. L. Stickney and V. Venkatasamy, US Patent 20090011577 (2009).
T. Eom, S. Choi, B. J. Choi, M. H. Lee, T. Gwon, S. H. Rha, W. Lee, M. S. Kim, M. Xiao, I. Buchanan, D. Y. Cho and C. S. Hwang, Chem. Mater., 24, 2099 (2013).

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표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

용어 설명 출처 목록 (6)

용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

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