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Sub-0.1㎛ MOSFET의 게이트전압 종속 캐리어 속도를 위한 정확한 RF 추출 방법
Accurate RF Extraction Method for Gate Voltage-Dependent Carrier Velocity of Sub-0.1㎛ MOSFETs in the Saturation Region 원문보기

Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea = 전자공학회논문지, v.50 no.9, 2013년, pp.55 - 59  

이성현 (한국외국어대학교 전자공학과)

초록
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Sub-$0.1{\mu}m$로 스케일이 감소함에 따라 기생 저항 효과가 크게 발생되는 dc Ids 측정 데이터 없이 측정 S-파라미터로부터 얻어진 RF Ids를 사용하여 벌크 MOSFET의 포화영역에서 게이트 전압 종속 유효 캐리어 속도를 추출하는 새로운 방법이 개발되었다. 이 방법은 바이어스 종속 기생 게이트-소스 캐패시턴스와 유효 채널 길이의 복잡한 추출 없이 포화영역의 유효 캐리어 속도를 추출할 수 있게 한다. 이러한 RF 기술을 사용하여 벌크 포화 속도를 초과하는 전자 속도 overshoot 현상이 $0.065{\mu}m$ 게이트 길이의 벌크 N-MOSFET에서 관찰되었다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

A new method using RF Ids determined from measured S-parameters is proposed to extract the gate-voltage dependent effective carrier velocity of bulk MOSFETs in the saturation region without additional dc Ids measurement data suffering parasitic resistance effect that becomes larger with continuous d...

주제어

#MOSFET   #CMOS   #RF   #carrier velocity   #device modeling   #S-parameter   #parameter extraction  

AI 본문요약
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제안 방법

  • 5, the linear increase of veff at low Vgs–Vth is primary due to the rise of lateral field, but the reduction of the increasing rate at high Vgs–Vth is due to velocity saturation and the rise of vertical field. This analysis will be very helpful to understand the gate-voltage dependent behavior of the cutoff frequency fT and the maximum oscillation frequency fmax for deep sub-0.1- ㎛ devices in the saturation region.
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참고문헌 (8)

  1. A. Lochtefeld and D. A. Antoniadis, "On experimental determination of carrier velocity in deeply scaled NMOS: How close to the thermal limit ?," IEEE Electron Device Lett., vol. 22, no. 2, pp. 95-97, 2001. 

    상세보기 crossref

  2. R. Ohba and T. Mizuno, "Nonstationary electron/hole transport in sub-0.1 ${\mu}m$ MOS devices: correlation with mobility and low-power CMOS application," IEEE Trans. Electron Device, vol. 48, no. 2, pp. 338-343, 2001. 

    상세보기 crossref

  3. S. Lee, "A new method to extract carrier velocity in sub-0.1 $\mu{m}$ MOSFETs using RF measurements," IEEE Trans. Nanotechnology, vol. 5, no. 3, pp. 163-166, 2006. 

    상세보기 crossref

  4. J. Cha, J. Cha, and S. Lee, "Uncertainty analysis of two-step and three-step methods for deembedding on-wafer RF transistor measurements," IEEE Trans. Electron Device, Vol. 55, pp. 2195-2201, 2008. 

    상세보기 crossref

  5. S. Lee, "An accurate RF extraction method for resistances and inductances of sub-0.1 ${\mu}m$ CMOS transistors", Electronics Letters, Vol. 41, No. 24, pp. 1325-1327, 2005. 

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  6. 김종혁, 이용택, 최문성, 구자남, 이성현, "Nano-Scale MOSFET의 게이트길이 종속 차단주 파수 추출," 전자공학회 논문지 제 42권 SD편 제12호, pp. 1-8, 2005. 

  7. 이성현, ""나노 스케일 벌크 MOSFET을 위한 새로운 RF 엠피리컬 비선형 모델링," 전자공학회 논문지 제 43권 SD편 제 12호, pp. 33-39, 2006. 

  8. B. Cheng, V. R. Rao, and J. C. S. Woo, "Exploration of velocity overshoot in a high-performance deep sub-0.1-mm SOI MOSFET with asymmetric channel profile," IEEE Electron Device Lett., vol. 20, pp. 538-540, Oct. 1999. 

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