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화학적 박리법으로 제조된 산화그래핀 분말의 건조방법에 따른 물성 비교
Effect of Drying Methods on the Production of Graphenes Oxide Powder Prepared by Chemical Exfoliation 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.23 no.10, 2013년, pp.592 - 598  

노상균 (한국세라믹기술원 그린세라믹본부 에코복합소재센터) ,  노경훈 (한국세라믹기술원 그린세라믹본부 에코복합소재센터) ,  엄성훈 ,  허승현 (울산대학교 화학공학과) ,  임형미 (한국세라믹기술원 그린세라믹본부 에코복합소재센터)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Graphene oxide powders prepared by two different drying processes, freeze drying and spray drying, were studied to compare the effect of the drying method on the physical properties of graphene oxide powder. The graphene oxide dispersion was prepared from graphite by chemical delamination with the a...

주제어

AI 본문요약
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제안 방법

  • 측정 조건은 40 kV, 100 mA, 측정범위는 3~80o 로 측정하였다. FE-SEM(Field Emission Scanning Electron Microscope, Supra 35, Carlzeiss) 과 TEM(Transmission Electron Microscopy, JEM-2000, JEOL)을 사용하여 시료의 형상과 크기를 관찰하였다. 원소분석(Elemental Analyzer, Scientific FLASH EA-2000, Finnigan FLASH EA-1112, Thermo)을 사용하여 수득한 산화그래핀의 C, O, H 함량을 확인하였다.
  • S-GO와 F-GO에 있어 겉보기 밀도가 차이나는 원인을 알아보기 위해 그래핀 시트 사이의 층간거리를 측정할수 있는 XRD 분석을 실시하여 Fig. 3에 나타내었다. 그래핀의 산화가 많이 진행되면 층간거리도 증가하게 된다.
  • 본 연구에서 얻어진 분무건조로 건조된 산화그래핀(SGO)과 동결건조로 건조된 산화그래핀(F-GO)은 라만분광법(Raman spertroscopy, DXR-Raman microscope, Thermo) 을 사용하여 산화정도를 관찰하였다. XRD(X-Ray diffraction, D/Max 2500-v/PC, Rigaku)를 사용하여 S-GO와 F-GO의 면간 거리를 비교하였다. 측정 조건은 40 kV, 100 mA, 측정범위는 3~80o 로 측정하였다.
  • 건조온도는 −40 ℃, 압력은 0.66 mbar 로 유지하여, 72~120 시간 동결건조를 진행하였다.
  • 본 연구에서는 물과 알코올 혼합용액에 분산되어있는 산화그래핀 전구체용액을 분무건조와 동결건조로 건조하여 산화그래핀 분말을 얻었다. 분무건조는 용액을 미립자로 분무하여 짧은 순간에 건조하는 방법이며 동결건조는 시간이 많이 걸리지만 시료에 미치는 물리적 손상을 최소화하며 용액을 제거하는 방법이다.
  • 본 연구에서는 흑연의 산화로 제조된 산화그래핀을 분무건조와 동결건조로 건조하여 산화그래핀 분말을 제조하고 환원열처리를 통해 환원형 산화그래핀을 얻고, 건조공정이 산화그래핀과 그 환원체인 환원형 산화그래핀의 물성에 미치는 영향을 비교하였다.
  • 5 wt% 분산상을 10분간 초음파처리 하였다. 분무건조를 하는 동안 용액 내의 분산을 유지하기위해 지속적으로 교반하며 진행하였다. 분무건조의 내부는 질소 분위기로 유지하였고, 내부압력은 −15 mbar로 유지하였다.
  • 1에 나타내었다. 분무건조에 사용된 전구체 용액은 앞서 제조한 산화 그래핀 0.5 wt% 분산상을 10분간 초음파처리 하였다. 분무건조를 하는 동안 용액 내의 분산을 유지하기위해 지속적으로 교반하며 진행하였다.
  • 결과로 흑연황산 슬러리를 얻는다. 얻어진 흑연황산 슬러리를 10분간 초음파 처리하고 흑연 황산 슬러리에 증류수를 흑연대비 1:100의 비율로 추가하고 30분동안 반응을 진행하였다. 반응을 종료시키기 위해 과산화수소 수용액을 1 ml/min의 속도로 과량 첨가하였다.
  • 용매에 분산되어있는 산화그래핀을 건조하는 단계에서 분무건조와 동결건조방법, 두 가지 방법으로 산화그래핀 분말을 얻었다. 방법의 특성상, 설정온도와 압력, 시간이 매우 다르다.
  • FE-SEM(Field Emission Scanning Electron Microscope, Supra 35, Carlzeiss) 과 TEM(Transmission Electron Microscopy, JEM-2000, JEOL)을 사용하여 시료의 형상과 크기를 관찰하였다. 원소분석(Elemental Analyzer, Scientific FLASH EA-2000, Finnigan FLASH EA-1112, Thermo)을 사용하여 수득한 산화그래핀의 C, O, H 함량을 확인하였다.

대상 데이터

  • 산화그래핀의 제조는 흑연(graphite, 삼정C&G), 황산(H2SO4, OCI, 95 %), 과망간산칼륨(KMnO4, JUNSEI, 99.3%(m/m)), 과산화수소(H2O2, OCI, 30 %)를 사용하였다.

이론/모형

  • 1의 방법으로 제조된 용액을 동결시켜 사용하였다. 동결건조 장비는 Lyoph-Pride 10을 사용하였다. 건조온도는 −40 ℃, 압력은 0.
  • 본 연구에서 얻어진 분무건조로 건조된 산화그래핀(SGO)과 동결건조로 건조된 산화그래핀(F-GO)은 라만분광법(Raman spertroscopy, DXR-Raman microscope, Thermo) 을 사용하여 산화정도를 관찰하였다. XRD(X-Ray diffraction, D/Max 2500-v/PC, Rigaku)를 사용하여 S-GO와 F-GO의 면간 거리를 비교하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
그래핀의 구조는 어떻게 되는가? 나노크기의 탄소 물질은 대표적으로, 단일/다중벽 탄소나노튜브, 흑연, 다이아몬드, 그래핀으로 구분된다. 이 중에서 그래핀은 탄소원자가 sp2 혼성궤도로 연결되어 컨쥬게이션 되어 있는 벌집 모양의 평면 구조를 가진다. 단일층 그래핀은 두께가 원자 한 층에 불과하지만 안정된 구조를 가지고 있으며 전기적 성질도 뛰어나다.
bottom-up 방법으로 그래핀을 제조할 시 어떤 단점이 존재하는가? bottom-up 방법으로 제조된 그래핀은 모두 공유결합으로 연결되어 있는 순도 높은 그래핀을 얻을 수 있다. 하지만 공정이 까다롭고, 가격이 비싸다는 단점이 있다. 최근에는 bottomup 방식의 대표적인 화학 기상 증착법(CVD, chemical vapor deposition)을 이용한 대량생산 기술도 보고된 바 있다.
나노크기의 탄소물질은 어떻게 구분되는가? 최근 탄소 물질을 원료로 한 나노구조의 연구가 활발히 진행되고 있다. 나노크기의 탄소 물질은 대표적으로, 단일/다중벽 탄소나노튜브, 흑연, 다이아몬드, 그래핀으로 구분된다. 이 중에서 그래핀은 탄소원자가 sp2 혼성궤도로 연결되어 컨쥬게이션 되어 있는 벌집 모양의 평면 구조를 가진다.
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참고문헌 (11)

  1. T. Ohta, A. Bostwick, T. Seyller, K. Horn and E. Rotenberg. Science 313, 951 (2006). 

  2. A. K. Geim and K. S. Novoselov, Nat. Materials, 6, 183 (2007). 

  3. A. H. Castro Neto, F. Guinea, N. M. R. Peres, K. S. Novoselov and A. K. Geim, Rev. Mod. Phys., 81, 109 (2009). 

  4. S. Stankovich, D. A. Dikin, R. D. Piner, K. A. Kohlhaas, A. Kleinhammes, Y. Jia, Y. Wu, S. T. Nguyen and R. S. Ruoff. Carbon., 45, 1558 (2007). 

  5. K. S. Kim, Y. Zhao, H Jang, S. Y. Lee, J. M. kim, K. S. Kim, J. H. Ahn, P. Kim, J. Y. Choi and B. H. Hong. Nature, 457, 706 (2009). 

  6. Y. Zhang, J. P. Small, W. V. Pontius and P. Kim, Appl. Phys. Lett. 86, 073104 (2005). 

  7. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang. S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004). 

  8. G. Eda, G. Fanchini and M.Chhowalla, Nature Nanotechnology., 3, 270 (2008). 

  9. S. Park and R. S Ruoff, Nature Nanotechnology., 4, 217 (2009). 

  10. W. S. Hummers, R. E. Offemen, J. Am. Chem. Soc. 80, 1339, (1958). 

  11. D. Yoon, H. Moon and H. Cheong, J. Kor. Phys. Soc. 55(3), 1299 (2009). 

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