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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.24 no.12, 2014년, pp.663 - 670
장대환 (고등기술연구원 신소재공정센터) , 이재은 (한양대학교 융합화학공학과) , 좌용호 (한양대학교 융합화학공학과) , 이영인 (서울과학기술대학교 신소재공학과)
Diameter-controlled tin oxide nanofibers have been successfully prepared using electrospinning and a subsequent calcination process; their diameters, morphologies, and crystal structures have been characterized. The diameters of the as-spun nanofibers can be decreased by lowering the concentration o...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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주석 산화물이 상대적으로 높은 전기 저항을 나타내는 이유는? | 주석 산화물(SnO2)은 반도체용 가스센서의 반도체 소재로서 활용되고 있으며, 접점용 페이스트, 투명전도막 및 이차전지, 연료전지의 전극재료 등으로 광범위하게 사용되고 있다.1-3) SnO2는 n형 반도체로서 산소가 부족한 상태로 존재하는 비화학양론적 화합물이며, 표면에 열역학적인 평형을 이루기 위한 산소가 흡착되어 있다. 이로 인해 SnO2의 표면에는 전자공핍층(electron depletion layer)이 형성되고, 이는 입계에서 전위장벽층(potential barrier)의 역할을 하여 SnO2는 상대적으로 높은 전기 저항을 나타낸다. 이와 같은 전위장벽층은 환원성 가스 또는 산화성 가스와 흡착산소의 화학반응에 의해 장벽의 고저가 변화할 수 있으며, 화학반응의 결과는 SnO2의 저항감소 또는 증가로 확인할 수 있다. | |
나노입자를 이용한 가스센서 제작 시 발생하는 문제는? | 현재 SnO2 나노입자를 다양한 공정으로 합성하여, 이를 가스센서로 응용하는 연구가 진행되고 있다.4-6) 하지만 나노입자를 이용하여 가스센서를 제작할 때, 나노입자의 미세한 크기 및 작은 종횡비로 인해, 저항 변화를 계측하기 위한 전극을 개별 입자에 형성하기가 매우 어렵다. 일반적으로 나노입자와 분산제 및 바인더가 혼합된 페이스트(paste)를 제조하고, 스크린 프린팅(screen printing)과 하소를 통해 박막 형태의 전극을 형성하여 센서를 제작한다. | |
나노입자와 분산제 및 바인더가 혼합된 페이스트를 제조하고, 스크린 프린팅과 하소를 통해 박막 형태의 전극을 형성하여 제작된 센서의 문제는? | 일반적으로 나노입자와 분산제 및 바인더가 혼합된 페이스트(paste)를 제조하고, 스크린 프린팅(screen printing)과 하소를 통해 박막 형태의 전극을 형성하여 센서를 제작한다. 이러한 센서는 비록 비표면적이 매우 큰 나노입자로 구성되어 있지만, 감지가 가능한 전체 면적은 일반적으로 수십 마이크로미터 이상으로 극미량의 가스에는 저항의 변화가 크지 않아 검출이 불가능하다. 또한 입자의 응집과 센서 동작온도에서의 안정성 등의 문제를 가지고 있다. |
X. W. Lou, Y. Wang, C. Yuan, J. Y. Lee and L. A. Archer, Adv. Mater., 18, 2325 (2006).
A. Kolmakov, D. O. Klenov, Y. Lilach, S. Stemmer and M. Moskovits, Nano Lett., 5, 667 (2005).
J. Qian, P. Liu, Y. Xiao, Y. Jiang, Y. Cao, X. Ai and H. Yang, Adv. Mater. 21, 3663 (2009).
E. R. Leite, I. T. Weber, E. Longo and J. A. Varela, 12, 965 (2000).
H. Song, L. Zhang, C. He, Y. Qu, Y. Tian and Y. Lv, 21, 5972 (2011).
H. -C. Chiu and C. -S. Yeh, 111, 7256 (2007).
Y. -J. Choi, I. -S. Hwang, J. -G. Park, K. J. Choi, J. -H. Park and J. -H. Lee, Nanotechnology, 19, 095508 (2008).
B. Wang, L. F. Zhu, Y. H. Yang, N. S. Xu and G. W. Yang, J. Phys. Chem. C, 112, 6643 (2008).
V. V. Sysoev, J. Goschnick, T. Schneider, E. Strelcov and A. Kolmakov, Nano Lett., 7, 3182 (2007).
D. -J. Yang, I. Kamienchick, D. Y. Youn, A. Rothschild and I. -D. Kim, Adv. Func. Mater., 20, 4258 (2010).
Z. Wang, Z. Li, L. Liu, X. Xu, H. Zhang, W. Wang, W. Zheng and C. Wang, J. Am. Ceram. Soc., 93, 634 (2010).
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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