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표면결함식각 및 반사방지막 열처리에 따른 태양전지의 효율 개선
Silicon Solar Cell Efficiency Improvement with surface Damage Removal Etching and Anti-reflection Coating Process 원문보기

반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.13 no.2, 2014년, pp.29 - 35  

조찬섭 (경북대학교 산업전자공학부) ,  오정화 (삼성전자) ,  이병렬 (한국기술교육대학교 메카트로닉스공학부) ,  김봉환 (대구가톨릭대학교 전자공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this study general solar cell production process was complemented, with research on improvement of solar cell efficiency through surface structure and thermal annealing process. Firstly, to form the pyramid structure, the saw damage removal (SDR) processed surface was undergone texturing process ...

주제어

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문제 정의

  • 본 논문에서는 태양전지의 변환 효율을 개선시키기 위해 표면 구조와 반사방지막의 열처리 공정에 대한 연구를 하였다. 피라미드 구조를 식각하여 균일한 도핑 및 전극 형성이 용이하게 하였다.
  • RIE 텍스쳐링 공정된 태양전지와 태양전지의 표면 구조 및 반사방지막 열처리 공정으로 효율을 개선한 태양전지를 제작하여 특성을 비교 분석하였다. 본 논문에서는, RIE 텍스쳐링 을 이용한 태양전지 제작 공정을 보완하여 태양전지의 표면 구조 및 열처리 공정으로 효율을 개선하기 위한 연구를 하였다. RIE 텍스쳐링으로 형성된 피라미드 구조를 식각하여 균일한 도핑 및 전극 형성이 용이하게 하였다.
  • 본 논문에서는, 일반적인 태양전지 제작 공정을 보완하여 태양전지의 표면구조 및 열처리 공정으로 효율을 개선하기 위한 연구를 하였다. 먼저 피라미드 구조를 형성하기 위해 SDR된 표면에 RIE로 텍스쳐링을 하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
최근 RIE를 이용한 건식 식각 공정에 관한 연구가 많이 진행되는 이유는? 최근에는 기존의 습식 식각 공정에 벗어난 RIE를 이용한 건식 식각 공정에 관한 연구가 많이 진행되고 있다[5-9]. 플라즈마를 이용하는 건식 식각 공정은 최근 화두로 떠오르는 환경 오염문제에서 습식 식각 공정 보다 자유롭고, 공정의 개연성이 높기 때문에 많은 주목을 받고 있다[6-9].
습식 식각 공정으로 진행되는 텍스쳐링 공정의 문제점은? 마지막으로 형성된 전극을 고온에서 소성공정으로 에미터와 접촉시켜 일반적인 결정형 실리콘 태양전지를 제작한다[1]. 습식 식각 공정으로 진행되는 텍스쳐링 공정은 기판의 두께가 점차 얇아지고, 기판의 종류가 다양해지고 있는 현재의 태양전지 시장을 충족하기에는 한계에 도달하였다. 최근에는 기존의 습식 식각 공정에 벗어난 RIE를 이용한 건식 식각 공정에 관한 연구가 많이 진행되고 있다[5-9].
일반적인 결정형 실리콘 태양전지에서 태양광의 표면 반사율을 감소시키고, 흡수율을 증가시키는 방법은? 현재 태양전지 시장의 대부분을 차지하는 결정형 실리콘 태양전지는 이론적인 변환 효율에 도달하기 위한 연구가 진행되고 있다[1,2]. 일반적인 결정형 실리콘 태양전지 제작은 먼저 실리콘 습식 식각 용액으로 기판의 절삭 손상된 부분을 식각한 후 텍스쳐링 공정으로 표면에 요철을 형성하여 입사하는 태양광의 표면 반사율을 감소시키고, 흡수율을 증가시킨다[3,4]. 도핑 공정으로 에미터를 형성하고 반사방지막을 증착한 후, 기판의 전면과 후면에 금속 페이스트를 이용하여 스크린인쇄법으로 전극을 형성한다.
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참고문헌 (16)

  1. Jha, A. R., "Solar cell Technology and Applications", Auerbach Publications, 2009. 

  2. Dimroth, F., Kurtz, S., "High-efficiency Multi Junction Solar Cells," MRS BULLETIN, Vol. 32, pp. 230-235, 2007. 

  3. Vazsonyi, E., De Clercq, K., Einhaus, E., Kerschaver, V., Said, K., Poortmans, J., Szlufcik, J., Nijs, J., "Improved anisotropic etching process for industrial texturing of silicon solar cells", Sol. Energy Mater. Sol. Cells, Vol. 57 pp. 179-188, 1999. 

  4. Iencinella, D. , Centurioni, E., Rizzoli, R., Zignani, F., "An optimized texturing process for silicon solar cell substrates using TMAH", Sol. Energy Mater. Sol. Cells, Vol. 87, pp. 725-732, 2005. 

  5. Dekkers, H. F. W., Duerinckx, F., Szlufcik, J., Nijs, J., "Silicon surface texturing by reactive ion etching", OPTO-Electronics review Vol. 8, pp. 311-316, 2000. 

  6. Yoo, J.S., Parm, I.O., Gangopadhyay, U., Kim, K., Dhungel, S. K., Mangalaraj, D., Yi, J., "Black silicon layer formation for application in solar cells", Solar Energy Materials & Solar Cells Vol. 90, pp. 3085-3093, 2006. 

  7. Yoo, J. Kim, K., Thamilselvan, M., Lakshminarayn, N., Kim, Y., Lee, J., Yoo, K., Yi, J., "RIE texturing optimization for thin c-Si solar cells in $SF_{6}/O_{2}$ plasma", Journal of Physics D: applied physics, Vol. 41, pp. 125205, 2008. 

  8. Mehran, M., Sanaee, Z., Abdolahad, M., Mohajerzadeh, S., "Controllable silicon nano-grass formation using a hydrogenation assisted deep reactive ion etching". Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 14, pp. 199-206, 2011. 

  9. Jansen, H.V., Boer, de M.J., Ma, K., Girones, M., Unnikrishnan, S., Louwerse, M.C., Elwenspoek, M.C., "Black silicon method XI: oxygen pulses in $SF_{6}$ plasma", journal of micromechnics and microengineering, Vol. 20, pp. 1-12, 2010. 

  10. Park, H., Lee, J. S., Kwon, S., Yoon, S., Kim, D., "Effect of surface morphology on screen printed solar cells", Current Applied Physics, Vol. 10, pp.113-118, 2010. 

  11. Santbergen, R., van Zolingen, R. J. C., "The absorption factor of crystalline silicon PV cells:A numerical and experimental study", Solar Energy Materials & Solar Cells Vol. 92, pp. 432-444, 2008. 

  12. Jo, J., Kong, D., Cho, C., Kim, B., Bae, Y., Lee, J., "Black Silicon of Pyramid Structure Formation According to the RIE Process Condition", Journal of Sensor Science and Technology, Vol. 20, No. 3 pp. 207-212, 2011. 

  13. Dixit, P., Miao, J., "Effect of $SF_{6}$ flow rate on the etched surface profile and bottom grass formation in deep reactive ion etching process", Journal of Physics: Conference Series Vol. 34, pp. 577-582, 2006. 

  14. Burtsev, A., Li, Y. X., Zeijl, H. W., Beenakker, C. I. M, "An anisotropic U-shaped $SF_{6}$ -based plasma silicon trench etching investigation", Microelectronic Engineering Vol. 40, pp. 85-97, 1998. 

  15. Jansen, H., de Boer, M., Burger, J., Legtenberg, R., Elwenspoek, M., "The black silicon method II: The effect of mask material and loading on the reactive ion etching of deep silicon trenches", Microelectronic Engineering Vol. 27, pp. 475-480, 1995 

  16. Robbins, H., Schwartz, B., "Chemical etching of silicon 1", Journal of the Electrochemical Society, Vol.106, pp.505 -508, 1961. 

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