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제안 방법
- ZnO 박막은 150 nm 두께의 실리콘 산화막 위에 성장된 것이며, p+ Si 기판을 gate로 사용하였다. ZnO 박막 위에 텅스텐 선을 고정시키고 그 위에 shadow mask를 덮고 200 nm 두께의 Al을 증착하여 source와 drain 전극을 제작하였다. 텅스텐 선의 직경은 25 μm이며 이는 TFT 채널 길이 (L)가 되고 채널의 폭 (W)은 500 μm이다.
- 진공 어닐링은 furnace에서 mechanical pump를 사용하여 36 mTorr 압력에서 300℃ 또는 400℃ 조건에서 30분간 진행하였다. 또한 공기 중에서도 각각의 온도로 30분간 어닐링을 진행하였다. 전류 측정에 사용된 장비는 Keithley 2400 Source Meter이다.
- 그러나 InGaZnO의 제조방법이 복잡하고 생산원가가 높다는 점이 상용화에 장애가 되고 있다. 본 연구에서는 스퍼터링으로 성장된 ZnO TFT를 진공과 공기 조건에서 300℃ ~ 400℃까지 어닐링하여 off 전류 변화와 전기적 특성 변화를 살펴보고 원인을 분석하였다.
대상 데이터
- 샘플 A, B는 이산화탄소를 산화제로 사용하였고 샘플 C는 산소를 산화제로 사용하였다. ZnO 박막은 150 nm 두께의 실리콘 산화막 위에 성장된 것이며, p+ Si 기판을 gate로 사용하였다. ZnO 박막 위에 텅스텐 선을 고정시키고 그 위에 shadow mask를 덮고 200 nm 두께의 Al을 증착하여 source와 drain 전극을 제작하였다.
- 스퍼터링의 고진공은 diffusion pump로 만들어졌고 성장중의 압력은 7 mTorr 였다. 박막성장에는 ZnO 타겟이 사용되었다. 샘플 A, B는 이산화탄소를 산화제로 사용하였고 샘플 C는 산소를 산화제로 사용하였다.
- 박막성장에는 ZnO 타겟이 사용되었다. 샘플 A, B는 이산화탄소를 산화제로 사용하였고 샘플 C는 산소를 산화제로 사용하였다. ZnO 박막은 150 nm 두께의 실리콘 산화막 위에 성장된 것이며, p+ Si 기판을 gate로 사용하였다.
- 이 연구에 사용된 ZnO 박막은 rf 스퍼터링으로 성장된 것으로서 자세한 성장조건은 Table 1에 나와있다. 스퍼터링의 고진공은 diffusion pump로 만들어졌고 성장중의 압력은 7 mTorr 였다.
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