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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.13 no.1, 2014년, pp.63 - 66
유덕연 (아주대학교 정보통신대학 전자공학과) , 김형주 (아주대학교 정보통신대학 전자공학과) , 김준영 (아주대학교 정보통신대학 전자공학과) , 조중열 (아주대학교 정보통신대학 전자공학과)
ZnO is a wide bandgap (3.3 eV) semiconductor with high mobility and good optical transparency. However, off-current characteristics of ZnO thin-film transistor (TFT) need improvements. In this work we studied the variation in ZnO TFT current under different annealing conditions. Annealing usually mo...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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ZnO thin-film transistor의 문제점은? | 또한 화학적 안정성과 좋은 광 투과율 등으로 인하여 디스 플레이 장치의 신호처리 회로와 발광소자의 투명 전극으로 많은 관심을 받고 있다. 생산 원가도 낮다는 장점이 있으나 ZnO thin-film transistor (TFT)는 off 전류와 on/off ratio를 개선할 필요성이 있다[1,2]. 최근의 연구에서 어닐링을 통해 결정구조의 결함을 제거하고, 개스 흡착을 변화시켜서 on/off ratio와 전기적 특성을 변화 시키는 연구가 있었다[3,4]. | |
최근 ZnO thin-film transistor의 off 전류와 on/off ratio를 개선을 위해 어떤 연구가 있었는가? | 생산 원가도 낮다는 장점이 있으나 ZnO thin-film transistor (TFT)는 off 전류와 on/off ratio를 개선할 필요성이 있다[1,2]. 최근의 연구에서 어닐링을 통해 결정구조의 결함을 제거하고, 개스 흡착을 변화시켜서 on/off ratio와 전기적 특성을 변화 시키는 연구가 있었다[3,4]. InGaZnO는 박막이 비정질 이기 때문에 특성이 균일하며 다결정인 ZnO 보다 더 우수한 TFT 특성을 보인다[5]. | |
ZnO의 장점은? | ZnO는 넓은 밴드갭 (3.3 eV)을 가지고 있으며, 비정질 실리콘보다 높은 전자이동도를 가지고 있다. 또한 화학적 안정성과 좋은 광 투과율 등으로 인하여 디스 플레이 장치의 신호처리 회로와 발광소자의 투명 전극으로 많은 관심을 받고 있다. 생산 원가도 낮다는 장점이 있으나 ZnO thin-film transistor (TFT)는 off 전류와 on/off ratio를 개선할 필요성이 있다[1,2]. 최근의 연구에서 어닐링을 통해 결정구조의 결함을 제거하고, 개스 흡착을 변화시켜서 on/off ratio와 전기적 특성을 변화 시키는 연구가 있었다[3,4]. |
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Adamopoulos, G., Bashir, A., Thomas, S., Gillin, W.P., Georgakopoulos, Shkunov, M., Baklar, M.A., Stingelin, N., Maher, R.C., and Cohen, L.F., "Spray-Deposited Li-Doped ZnO Transistors with Electron Mobility Exceeding $50cm^{2}$ /Vs," Advanced Materials, Vol. 22, 4764 , 2010.
Jo, J., Choi, H., Yun, J., Kim, H., Seo, O., and Lee, B.,"Improvement of on/off ratio in ZnO thin-film transistor by using growth interruptions during metalorganic chemical vapor deposition," Thin Solid Films, Vol. 517, 6337, 2009.
Chu, M.C., Meena, J.S., Liu, P.T., Shieh, H.D., You, H.C., Tu, Y.W., Chang, F.C., and Ko, F.H., "Oxygen Plasma Functioning of Charge Carrier Density in Zinc Oxide Thin-Film Transistors," Applied Physics Express, Vol. 6, 076501, 2013.
Nomura, K., Ohta, H., Takagi, A., Kamiya, T., Hirano, M., and Hosono, H., "Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors," Nature, Vol. 432, 488, 2004.
Erhart, P., Klein, A., and Albe, K., "First-principles study on the structure and stability of oxygen related point defects in zinc oxide," Phys. Rev. B, Vol. 72, 085213, 2005.
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