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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.27 no.3, 2014년, pp.167 - 171
방정주 (인하대학교 전기공학과) , 허창수 (인하대학교 전기공학과) , 이종원 (국방과학연구소)
This paper examines the destruction behavior of NPN BJT (bipolar junction transistor) by repetition pulse. The injected pulse has a rise time of 1 ns and the maximum peak voltage of 2 kV. Pulse was injected into the base of transistor. Transistor was destroyed, current flows even when the base power...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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트랜지스터의 활용과 기능은? | 실험에 사용된 소자는 NPN형 BJT로 사양은 표 1과 같다. 트랜지스터는 전자회로에서 저항, 인덕터, 콘덴서 등의 다른 전자부품과 함께 증폭 및 스위치 기능으로 다양하게 사용되고 있으며 베이스의 전압으로 콜렉터에서 에미터로 흐르는 전류의 양을 조절 가능하다. | |
고출력 전자기파 발생장치에 의해 발생된 고출력 전자기파가 전기전자시스템에 미치는 부정적 영향은? | 현재 연구 개발하고 있는 고출력 전자기파 발생장치들은 짧은 상승 시간의 펄스 (∼100 nsec)를 Giga Watts 수준의 전자파를 발생시킬 수 있다. 이러한 고출력 전자기파 발생장치에 의해 발생된 고출력 전자기파는 전기전자시스템들의 안테나나 장비를 구성하는 전선 등에 커플링되고 시스템 전자회로의 부품들에 영향을 주어 오동작이나 파괴가 발생한다. 현대 전기전자시스템들의 전자회로는 저항, 트랜지스터, 다이오드, IC 등 수많은 부품으로 구성되며 그중 반도체 기술 기반의 부품들은 고출력 전자기파에 특히 민감하다. | |
현대 전기전자시스템의 반도체 부품들은 고출력 전자기파에 특히 민감한데 그 이유는? | 고출력 전자파로 인하여 발생되는 소자의 열적 손상은 전기전자 시스템의 오동작이나 파괴를 발생시킬 수 있다. 반도체의 PN 접합에 항복전압이상의 역 전압이 인가될 경우 PN 접합 부분으로 과도한 전류가 흐르며 이 전류로 인한 발열이 반도체소자의 파손을 발생시킨다 [1-6]. |
J. I. Hong, S. M. Hwang, and C. S. Huh, Journal of Electromagnetic Waves and Applications, 23, 571 (2009).
S. M. Han, C. S. Huh, and J. S. Choi, Journal of Electromagnetic Waves and Applications, 23, 1991 (2009).
S. M. Hwang, J. I. Hong, S. M. Han, C. S. Huh, and J. S. Choi, Journal of Electromagnetic Waves and Applications, 24, 1059 (2010).
H. Xie, J. Wang, D. Sun, R. Fan, and Y. Liu, Journal of Electromagnetic Waves and Applications, 23, 2313 (2009).
M. G. Backstrom, 3rd European Survivability Workshop, 16 (2006).
M. G. Backstrom, IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 46, 396 (2004).
S. Korte and H. Garbe, Adv. Radio Sci., 4, 10 (2006).
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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