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NTIS 바로가기한국전자통신학회 논문지 = The Journal of the Korea Institute of Electronic Communication Sciences, v.9 no.5, 2014년, pp.555 - 560
이준명 (원광대학교 정보통신공학과) , 강은영 (원광대학교 정보통신공학과) , 박건준 (원광대학교 정보통신공학과) , 김용갑 (원광대학교 정보통신공학과)
In order to improve spectrum sensitivity of photodiode for detection of the laser wavelength at 850 nm ~ 1000 nm of near-infrared band, this study has produced silicon-based photodiode whose area is
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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포토다이오드(Photodiode)는 어떻게 사용되는가? | 포토다이오드(Photodiode)는 광 통신, 컴퓨터, 군사 및 전자 시스템 등을 위한 적외선 센서등으로 널리 사용되고 있다. PIN 포토다이오드는 동작 파장대역과 높은 응답 속도, 낮은 노이즈를 갖기 때문에 광 애플리케이션에 가장 많이 사용되는 검출기이다[1]. | |
대표적인 반도체 소재로 사용되는 것은 무엇인가? | 대표적인 반도체 소재는 단결정 실리콘(Si), 게르마늄(Ge)뿐 아니라 갈륨비소(GaAs), 탄화실리콘(SiC) 등의 혼합물과 유기물이 사용된다. 특히 재료적인 측면을 고려할 때, 저비용 대량생산측면에서 유기물재료에 대한 관심이 집중되고 있는 시점이지만 전기적 특성을 고려하면 혼합물에 비하여 전기적특성이 저하되는 단점이 있다[3]. | |
PIN 포토다이오드가 광 애플리케이션에 검출기로 많이 사용되는 이유는 무엇인가? | PIN 포토다이오드는 동작 파장대역과 높은 응답 속도, 낮은 노이즈를 갖기 때문에 광 애플리케이션에 가장 많이 사용되는 검출기이다[1]. 이는 공핍영역(진성층)에서 양자효율 및 과도응답, 주파수 응답을 최적화하기에 적절하기 때문이다[2]. |
P. S. Menon, S. K. Tasirin, I. Ahmad, and S. F. Abdullah, "Optimization of Process Parameters for Si Lateral PIN Photodiode," J. of World Applied Sciences, vol. 8, no. 1, 2013, pp. 98-103.
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices. New Jersey : Wiley, 2007.
B.-J. Lee and H.-Y. Shin, "Water Vapor Permeability of SiO2 Oxidative Thin Film by CVD," J. of The Korea Institute of Electronic Communication Sciences, vol. 5, no. 1, 2010, pp. 81-87.
C. Z. Zhou and W. K. Warburton, "Noise analysis of low noise, high count rate, PIN diode X-ray detectors," IEEE Trans. Nuclear Science, vol. 43, no. 3, June 1996, pp. 1385-1390.
C. R. Tull, J. S. Iwanczyk, B. E. Patt, G. Vilkelis, V. Eremin, E. Verbitskaya, N. Strokan, I. I1'yashenko, A. Ivanov, A. Sidorov, N. Egorov, S. Golubkov, and K. Kon'kov, "New High Sensitivity Silicon Photodetectors for Medical Imaging Application," IEEE Trans. Nuclear Science, vol. 50, no. 4, Aug. 2003, pp. 1225-1228.
G. F. D. Betta, G. U. Pignatel, G. Verzellesi, and M. Boscardin, "Si-PIN X-ray detector technology," Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, vol. 395, no. 3, Aug. 1997, pp. 344-348.
E.-S. Kim, "Small Particle Detection System by Optical Scattering Effect," J. of The Korea Institute of Electronic Communication Sciences, vol. 7, no. 3, 2012, pp. 579-583.
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