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NTIS 바로가기주관연구기관 | 전북대학교 Chonbuk National University |
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연구책임자 | 심규환 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2016-06 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201700013790 |
과제고유번호 | 1345238682 |
사업명 | 이공학개인기초연구지원 |
DB 구축일자 | 2017-11-18 |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201700013790 |
1) Ge on Si 성장 기술 연구
- RT-CVD 장비 개조를 통하여 대면적 8인치 에피 성장 기술 시스템을 확보함.
- 0.24 nm의 표면 거칠기 및 9.8 X 10⁴/cm² 표면 결함밀도를 갖는 1.6 ㎛ 두께의 매우 우수한 품질의 Ge 에피 성장 기술을 확보함.
- 1,850 cm²‧V-1‧s-1 의 홀 이동도 특성은 소자 제작에 매우 유용하며 그래핀 전극을 적용하기에 최적의 조건을 갖는 Ge on Si 하이브리드 기판 성장 기술을 확보함.
2) 그래핀 합성법
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