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NTIS 바로가기공업화학 = Applied chemistry for engineering, v.25 no.4, 2014년, pp.414 - 417
박경수 (고등기술연구원 신소재공정센터) , (고등기술연구원 신소재공정센터) , 강이승 (고등기술연구원 신소재공정센터) , 이찬기 (고등기술연구원 신소재공정센터) , 엄성현 (고등기술연구원 신소재공정센터) , 홍현선 (고등기술연구원 신소재공정센터) , 심종길 ((주)엔코) , 박정진 ((주)엔코)
LED scraps consisting of highly crystalline GaN and their leaching behavior are comprehensively investigated for hydro-metallurgical recovery of rare metals. Highly stable GaN renders the leaching of the LED scraps extremely difficult in ordinary acidic and basic media. More favorable state can be o...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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Ga의 화합물 형태에는 무엇이 있는가? | Ga은 GaN, GaAs, Indium-Gallium-Zinc-Oxide (IGZO), Copper-Indium-Gallium-Sselenide (CIGS)와 같은 화합물 형태로 LED, 태양전지, 반도체, 디스플레이와 같은 국가 핵심 산업에 이용되는 필수 소재로 자리매김 하였다[1-4]. 그중에서도 GaN는 3. | |
GaN의 밴드갭은 얼마인가? | Ga은 GaN, GaAs, Indium-Gallium-Zinc-Oxide (IGZO), Copper-Indium-Gallium-Sselenide (CIGS)와 같은 화합물 형태로 LED, 태양전지, 반도체, 디스플레이와 같은 국가 핵심 산업에 이용되는 필수 소재로 자리매김 하였다[1-4]. 그중에서도 GaN는 3.4 eV의 직접천이형 밴드갭을 가지고 있는 반도체 물질로써 LED 산업의 발광물질로 가장 많이 이용되고 있다[5-7]. GaN을 대체할 수 있는 물질이 개발되기 전까지는 LED 산업의 성장과 더불어 Ga의 사용량이 증가할 것임은 분명한 사실이지만, 현재 국내 Ga 생산은 거의 없는 실정이어서 대부분 수입에 의존을 하고 있다. | |
GaN의 상변화를 유도하기 위해 Na2CO3를 넣을 때, 900℃ 이상에서 열처리 시 실시해야 하는 공정은 무엇인가? | 일단, 원료와 Na2CO3를 1:1 wt%로 유발을 이용해서 섞은 후 열처리를 하게 되면, 900 ℃ 이상에서 NNa2CO3가 원료와는 반응하지 않고 스스로 녹았다가 굳어지게 되어 샘플을 채취할 수 없는 상태가 된다. 따라서, 원료의 크기를 줄여서 반응할 수 있는 표면적을 증가시키고 Na2CO3와도 잘 섞일 수 있는 볼밀링 공정(원료 : Na2CO3 = 1 : 1 wt%)을 48 h 동안 수행한 후 열처리를 실시하였다. Figure 3(b)는 볼 밀링된 원료-Na2CO3 분말의 열처리에 따른 상변화 거동을 XRD 패턴을 통해 보여주고 있다. |
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