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A 2D Analytical Modeling of Single Halo Triple Material Surrounding Gate (SHTMSG) MOSFET 원문보기

Journal of electrical engineering & technology, v.9 no.4, 2014년, pp.1355 - 1359  

Dhanaselvam, P. Suveetha (Dept. of Electronics and Communication Engineering, Velammal College of Engg & Technology) ,  Balamurugan, N.B. (Dept. of Electronics and Communication Engineering, Thiagarajar College of Engineering) ,  Chakaravarthi, G.C. Vivek (Dept. of Electronics and Communication Engineering, Velammal College of Engg & Technology) ,  Ramesh, R.P. (Dept. of Electronics and Communication Engineering, Velammal College of Engg & Technology) ,  Kumar, B.R. Sathish (Dept. of Electronics and Communication Engineering, Velammal College of Engg & Technology)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In the proposed work a 2D analytical modeling of single halo Triple material Surrounding Gate (SH-TMSG) MOSFET is developed. The Surface potential and Electric Field has been derived using parabolic approximation method and the simulation results are analyzed. The essential substantive is provided w...

주제어

#Electric field   #Halo   #Short channel effects   #Surface potential  

AI 본문요약
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제안 방법

  • The lengths of the gate materials are L2, L3 − L2 and L4 − L3 respectively. The model considers single halo doping in the channel near the source and triple material gate. The length L1 is halo doped with doping concentration Nh whereas the other regions are doped with Nc, assuming Nh is greater than Nc.

이론/모형

  • The surface potential and the electric field is derived by solving the Poisson equation. Neglecting the influence of the charge carriers and fixed oxide charges on the electrostatics of the channel, the 2D Poisson equation of potential distribution in the silicon pillar can be given as
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참고문헌 (13)

  1. J. P. Colinge, "Multiple-gate SOI MOSFETs," Solid State Electron. vol. 48, no. 6, pp. 897-905, Jun. 2004. 

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  3. T. K. Chiang, "A new two-dimensional analytical model for threshold voltage in undoped surrounding-gate MOSFETs," IEEE Trans. Electron Devices, 2006 

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  11. P. Suveetha Dhanaselvam, N. B. Balamurugan, V. N. Ramakrishnan, "A 2D transconductance and subthreshold behavior model for Triple Material Surrounding gate (TMSG) MOSFET", Microelectronics Journal,Vol. 44(12), December 2013. 

  12. Zun-ChaoLi, Rui-Zhi Zhang, and Yao-LinJiang," Analytical modeling and Simulation of Dual-material Surrounding gate Metal-oxide-semiconductor Field effect transistors with single Halo doping", Japanese Journal of Applied Physics, 48, 2009. 

  13. LiZun Chao, "Dual-material Surrounding gate metal oxide semiconductor field effect transistors with Asymmetric Halo", Chinese Physics Letter, Vol. 26, No. 1, 2009. 

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