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문제 정의
- 예를 들어, 펠리클을 사용하여 결함 물질로부터 마스크를 보호하는 역할을 하되, 높은 에너지의 흡수로 인한 펠리클의 열적 변형이 최소화되어 패터닝 및 공정 여유도 등에 큰 영향을 미치지 않아야 한다. 본 고에서는 EUVL 에 적용 가능한 펠리클에 대해 이제까지 진행되어 온 내용들에 대해 소개하고, EUVL 공정에 실제로 적용했을 경우 발생할 수 있는 문제점과 해결 방안들에 대해서 언급하려고 한다.
- 본 고에서는 극자외선 리소그래피를 이용한 반도체 소자의 양산을 위해 필수적으로 해결해야 할 오염 물질 조절을 위한 극자외선 펠리클에 대한 다양한 내용들을 설명하고자 하였다. 미래에 요구되는 패턴의 최소 크기 감소를 위해 극자외선을 이용한 노광이 가장 현실적인 리소그래피 기술이라고 할 수 있다.
- 미래에 요구되는 패턴의 최소 크기 감소를 위해 극자외선을 이용한 노광이 가장 현실적인 리소그래피 기술이라고 할 수 있다. 우리는 극자외선 광원에 적합한 펠리클을 사용하기 위해서, 여러 가지 열 적, 기계적 및 광학적인 특성들에 따른 문제점들을 파악하고 이에 대한 해결 방안들을 찾아 보았다. 더불어 극자외선 펠리클의 사용으로 마스크의 오염 및 결함을 최소화 함으로써 극 자외선 리소그래피를 이용한 소자 양산이 조만간 가능하다는 것을 보여 주었다.
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