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[국내논문] 나노 ZnO:CNT를 이용한 후막 가스센서의 특성연구
Characteristics of Thick Film Gas Sensors Using Nano ZnO:CNT 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.24 no.8, 2014년, pp.413 - 416  

윤소진 (동의대학교 물리학과) ,  유일 (동의대학교 물리학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The effects of an addition of CNT on the sensing properties of nano ZnO:CNT-based gas sensors were studied for $H_2S$ gas. The nano ZnO sensing materials were grown by a hydrothermal reaction method. The nano ZnO:CNT was prepared by ball-milling method. The weight range of the CNT additio...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • S 가스에 대한 감응 특성을 연구하기 위하여 나노 ZnO와 탄소나노튜브를 ball-mill을 통해 혼합한 후, 나노 ZnO: CNT 가스센서를 후막공정으로 제작하였다. 나노 ZnO: CNT의 입자크기와 CNT의 농도 변화에 따른 H2S 가스의 가스감응 특성을 연구하였다.
  • 본 연구에서는 구형 나노 ZnO를 이용하여 H2S 가스에 대한 감응 특성을 연구하기 위하여 나노 ZnO와 탄소나노튜브를 ball-mill을 통해 혼합한 후, 나노 ZnO: CNT 가스센서를 후막공정으로 제작하였다. 나노 ZnO: CNT의 입자크기와 CNT의 농도 변화에 따른 H2S 가스의 가스감응 특성을 연구하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
나노 소재가 무슨 장점이 있어서 가스 센서에 응용되고 있는가? 나노 소재는 고집적도와 고감도, 고선택성의 장점을 가지고 간단한 구조로 소자 구현이 가능하며 특히, 비표면적이 크므로 작은 감지 면적으로도 고감도 특성이 기대되어 가스 센서 응용 부분에 대해 많은 연구가 진행 되고 있다.6-7) 현재 보고된 나노 ZnO계 후막 가스 센서의 반응 시간 및 회복 시간은 각각 약 10초 ~ 30초 정도로 SnO2계 가스 센서와 비슷한 결과를 나타낸다.
금속 산화물 반도체 센서의 장점은? 현재, 가스 센서는 사용 목적과 감지 대상에 따라 다양한 종류가 개발되고 있다.1)여러 방식 중 금속 산화물 반도체 센서는 기체 성분이 금속 산화물 표면에 흡착하여 화학반응을 일으킴으로써 전기저항이 변화하는 원리를 이용하며, 다른 가스 센서에 비해 감도, 응답속도, 장기 안정성, 경제성 등 가스 감지 특성이 우수하다. 금속 산화물 센서 물질으로 열적, 화학적으로 안정한 ZnO, WO3, SnO2, TiO2 등이 많이 연구되고 있다.
금속 산화물 반도체 가스센서는 무슨 원리를 이용하는가? 현재, 가스 센서는 사용 목적과 감지 대상에 따라 다양한 종류가 개발되고 있다.1)여러 방식 중 금속 산화물 반도체 센서는 기체 성분이 금속 산화물 표면에 흡착하여 화학반응을 일으킴으로써 전기저항이 변화하는 원리를 이용하며, 다른 가스 센서에 비해 감도, 응답속도, 장기 안정성, 경제성 등 가스 감지 특성이 우수하다. 금속 산화물 센서 물질으로 열적, 화학적으로 안정한 ZnO, WO3, SnO2, TiO2 등이 많이 연구되고 있다.
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참고문헌 (9)

  1. H. S. Moon, S. H. Park, S. E. Kim and Y. S. Yu, J. Kor. Sens. Soc., 19, 462 (2010) (in Korean). 

  2. C. Y. Jo, K. C. Park and J. G. Kim, J. Kor. Sens. Soc., 18(1) 54 (2009) (in Korean). 

  3. I, Yu and J. Y, Lee, J. Mater. Res., 20(8), 408 (2010) (in Korean). 

  4. D. J. Shin, Y. S. Yu, S. H. Park and I, Yu, J. Mater. Res., 21(6), 299(2011) (in Korean). 

  5. J. H. Jong and I, Yu, J. Mater. Res., 21(4), 232 (2011) (in Korean). 

  6. J. H. Jong, Y. S. Yu and I, Yu, J. Mater. Res., 21(9), 486 (2011) (in Korean). 

  7. J. Y. Lee, Y. S. Yu and I, Yu, J. Mater. Res., 21(10), 546 (2011) (in Korean). 

  8. S. J, Yoon and I, Yu, J. Mater. Res., 23(4), 211 (2013) (in Korean). 

  9. S. J. Kim and J. H. Lee, Kor. J. Mater. Res., 18(11), 628 (2008) (in Korean). 

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