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이류체 노즐을 이용한 FPD 세정시스템 및 공정 개발
Optimization of FPD Cleaning System and Processing by Using a Two-Phase Flow Nozzle 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.24 no.8, 2014년, pp.429 - 433  

김민수 (한양대학교 바이오나노학과) ,  김향란 (한양대학교 바이오나노학과) ,  김현태 (한양대학교 바이오나노학과) ,  박진구 (한양대학교 바이오나노학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

As the fabrication technology used in FPDs(flat-panel displays) advances, the size of these panels is increasing and the pattern size is decreasing to the um range. Accordingly, a cleaning process during the FPD fabrication process is becoming more important to prevent yield reductions. The purpose ...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 FPD 고속 세정 시스템의 이류체 노즐을 이용한 오염입자 제거효율 평가 및 에어나이프의 건조 효율 평가를 진행하였다. 에어나이프의 분사 각도가 높을수록 건조효율이 높은 것으로 나타났으며 에어나이프와 기판사이의 간격이 좁을수록 에어나이프의 분사력이 강한 것으로 나타났다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
세정공정이 전체 FPD 제조 공정에서 차지하는 비율은? 현재 FPD 제조 공정에서 사용되는 패턴 선폭은 수 µm 수준까지 감소하였으며, µm 크기의 오염 입자들은 수율 감소에 영향을 주는 요인으로 작용한다. 이러한 오염입자를 제거하는 세정공정은 전체 FPD 제조 공정의 약 20~30 %를 차지하는 중요한 공정임에도 불구하고 기초적인 FPD 세정공정에 대한 연구가 부족한 상태이다.1) 일반적인 FPD 세정공정에서 사용되고 있는 세정설비는 롤브러쉬, 버블제트, 초음파 등의 여러 가지 세정공정이 미세 입자 제거를 위해 적용되고 있으며, 이로인해 세정장비의 크기는 대형화 되어 지고 있다.
세정 장비의 대형화 원인은 무엇인가? 이러한 오염입자를 제거하는 세정공정은 전체 FPD 제조 공정의 약 20~30 %를 차지하는 중요한 공정임에도 불구하고 기초적인 FPD 세정공정에 대한 연구가 부족한 상태이다.1) 일반적인 FPD 세정공정에서 사용되고 있는 세정설비는 롤브러쉬, 버블제트, 초음파 등의 여러 가지 세정공정이 미세 입자 제거를 위해 적용되고 있으며, 이로인해 세정장비의 크기는 대형화 되어 지고 있다.2) 따라서 장비의 대형화로 인하여 청정도 유지를 위한 클린룸 설비 비용이 증가하고 세정공정에 많은 양의 초순수가 사용되며, 화학액 사용량 또한 급격히 증가하여 폐수 처리 비용에 따른 공정비용 증가로 인해 비용적인 측면과 환경적인 측면에서 많은 문제점을 야기시키고 있다.
TFT(Thin Film Transistor)-array 공정에서 발생되는 무기, 유기 오염원들의 영향은? FPD(Flat Panel Display) 제조 공정 중 TFT(Thin Film Transistor)-array 공정에서 발생되는 무기, 유기 오염원들은 생산 수율에 직접적인 영향을 주는 위험 요소이다. FPD 기판의 크기는 급격하게 대형화 되어 현재 8세대로 기판의 크기는 2200 mm × 2500 mm에 이르고 있으며, 11세대 LCD 유리 기판의 크기는 3000 mm × 3320 mm로 예정되어 있다.
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참고문헌 (8)

  1. J. Y. Jeong, M. J. Lee and J. H. Bae, Clean Tech., 16(2), 103 (2010). 

  2. C. -B. Park, S. Yi and I. -S. Chang, J. Kor. Acad. Indus. Soc., 11(3), 795 (2010). 

  3. R. Gouk, J. Papanu, F. Li, J. Jeon, T. Liu and R. Yalamanchili, Proc. of SPIE, 7122, 712211-8 (2008). 

  4. Y. Hirota, I. Kanno, K. Fujiwara, H. Natayasu and S. Shimose, in proceeding of Semiconductor Manufacturing, 2005. ISSM 2005, IEEE International Symposium on 13- 15 Sept. 2005, 219. 

  5. K. Masui, T. Takemoto, K. Otsubo, M. Sakai, T. Higaki, H. Watanabe, T. Kikuchi and Y. Kurokawa, Proc. of SPIE 7028, 702809-1 (2008). 

  6. M. Watanabe, T. Sanada, A. Hayashida and Y. Isago, Solid State Phenome. 145-146, 43 (2009). 

  7. H. Hirano, K. Sato, T. Osaka, H. Kuniyasu and T. Hattori, ECS. Solid State Lett., 9(2), G62 (2006). 

  8. S. E. Bybee and C. A. Foster, US Patent No. 6,260,231 B1 (1999). 

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