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NTIS 바로가기電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 = The Proceedings of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, v.25 no.4, 2014년, pp.73 - 78
안도열 (서울시립대학교 전자전기컴퓨터공학부)
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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초연결 사회로의 진입으로 인해 각광받는 기술은? | 초연결 사회로의 진입과 함께 ICT 인프라에 대한 사회 의존도가 기하급수적으로 높아지면서, 퀀텀 테크놀로지로 대변되는 양자 정보 기술은 완벽한 보안, 천문학적인 정보 처리 속도의 향상 그리고 기존의 IT로는 불가능한 물질의 직접 전송 등을 가능하게 할, 미래 산업을 이끌 핵심 기술 중 하나로 각광받고 있다[1]. 비근한 예로 미국은 2008년 오바마 행정부에서 양자 정보 기술의 중요성을 인식하고, 연방 정부 차원에서 국가적인 프로그램을 수립하여 연 10억 달러 이상을 R&D에 투자하고 있으며, 아시아의경우, 일본, 중국, 싱가포르 등이 연 1천억 원 이상을 투자하고 있어, 양자 정보 기술은 미래 산업을 이끌 차세대 IT 기술의 화두로 전 세계적인 주목을 받고 있다[2]. | |
양자 정보 기술을 활용한 성과를 통해 노벨상을 수상한 사람은? | 비근한 예로 미국은 2008년 오바마 행정부에서 양자 정보 기술의 중요성을 인식하고, 연방 정부 차원에서 국가적인 프로그램을 수립하여 연 10억 달러 이상을 R&D에 투자하고 있으며, 아시아의경우, 일본, 중국, 싱가포르 등이 연 1천억 원 이상을 투자하고 있어, 양자 정보 기술은 미래 산업을 이끌 차세대 IT 기술의 화두로 전 세계적인 주목을 받고 있다[2]. 또한, 2012년도 노벨 물리학상은 양자 컴퓨터의 개발에 필요 불가결한 개별 양자계의 측정 및 조작을 가능하게 한 프랑스의 세르주 아로슈와 미국의 데이비드 와인렌드에게 돌아갔다. 노벨상이 양자 컴퓨팅 분야에 돌아간 것은 양자 컴퓨터와 양자 암호로 대변되는 양자 정보 통신 기술이 중요한 미래 기술임을 시사해 준다고 할 수 있다. | |
양자 정보 기술은 무엇을 가능하게 하는가? | 초연결 사회로의 진입과 함께 ICT 인프라에 대한 사회 의존도가 기하급수적으로 높아지면서, 퀀텀 테크놀로지로 대변되는 양자 정보 기술은 완벽한 보안, 천문학적인 정보 처리 속도의 향상 그리고 기존의 IT로는 불가능한 물질의 직접 전송 등을 가능하게 할, 미래 산업을 이끌 핵심 기술 중 하나로 각광받고 있다[1]. 비근한 예로 미국은 2008년 오바마 행정부에서 양자 정보 기술의 중요성을 인식하고, 연방 정부 차원에서 국가적인 프로그램을 수립하여 연 10억 달러 이상을 R&D에 투자하고 있으며, 아시아의경우, 일본, 중국, 싱가포르 등이 연 1천억 원 이상을 투자하고 있어, 양자 정보 기술은 미래 산업을 이끌 차세대 IT 기술의 화두로 전 세계적인 주목을 받고 있다[2]. |
http://qeurope.eu;QUIE2T
안도열, 양자정보통신의 기술동향 및 시장전망, 하얀출판, 2012년.
A. Perdomo-Ortiz et al., "Finding low-energy conformations of lattice protein models by quantum annealing", Scientific Report 2, p. 571, 2012.
R. Brunner et al., "Two-qubit gate of combined singlespin rotation and interdot spin exchange in a double quantum dot", Phys. Rev. Lett. p. 107, 146801, 2011.
D. Ahn, "Intervalley interactions in Si quantum dots", J. Appl. Phys. p. 98, 033709, 2005.
K. Takashina et al., "Valley polarization in Si(100) at zero magnetic field", Phys. Rev. Lett. 96, 236801, 2011.
D. Ahn, "Universal quantum gate", US Patent 7,655, 850, 2010.
M. Fuechsle et al, "A single-atom transistor", Nature Nanotechnology 7, p. 242, 2012.
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