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나노 텅스텐 카바이드 재료 내 입성장 억제제와 코발트의 영향
Influence of Grain Growth Inhibitors and Co in Nano WC Materials 원문보기

한국세라믹학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society, v.51 no.5, 2014년, pp.442 - 446  

임형섭 (성균관대학교 신소재공학과) ,  허만규 (성균관대학교 태양광시스템협동과정) ,  김득중 (성균관대학교 신소재공학과) ,  윤대호 (성균관대학교 신소재공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Influences of Co and inhibitors from nano-sized WC materials were observed in the sintering process. VC and $Cr_3C_2$ were used as inhibitors. The crystal structure and surface images of sintered nano-sized WC materials, as functions of Co and inhibitors, were evaluated by XRD and FE-SEM ...

주제어

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문제 정의

  • 11) 이와 같이 입자 성장 억제제는 그 함량에 따라 물성에 크게 영향을 미치기 때문에 함량 조절이 아주 중요한 요소가 된다. 본 실험에서는 나노 크기의 텅스텐 카바이드에 코발트 함량을 변화시켜 코발트 함량에 따른 물성 변화를 관찰하였다. 또한 소결 온도 변화를 통해 최적의 텅스텐 카바이드 물성을 확인하려 시도하였다.

가설 설정

  • 9,10) 또한 크롬 카바이드의 경우 미세 조직을 개선하는 효과를 가지고 있지만 M7C3, M3C2와 같은 중간상을 형성하여 밀도나 강도 등의 성질을 악화시킬 수 있다.11) 이와 같이 입자 성장 억제제는 그 함량에 따라 물성에 크게 영향을 미치기 때문에 함량 조절이 아주 중요한 요소가 된다. 본 실험에서는 나노 크기의 텅스텐 카바이드에 코발트 함량을 변화시켜 코발트 함량에 따른 물성 변화를 관찰하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
1 μm의 텅스텐 카바이드에서 입성장 억제제는 어떤 것이 있는가? 이미 기존 크기인 1 μm의 텅스텐 카바이드에서는 바나듐 카바이드, 크롬 카바이드, 니오비움 카바이드, 그리고 탄탈 카바이드 등 다양한 종류의 입성장 억제제를 사용하여 기계적인 물성을 개선해 왔었다.3-6) 그 중 바나듐 카바이드와 크롬 카바이드는 저온에서 코발트상에 높은 고용도를 갖기 때문에 가장 효과적인 입자 성장 억제제로 알려져 있다.
바나듐 카바이드는 과잉 투입 시 어떤 문제가 발생할 수 있는가? 7,8) 또한 바나듐 카바이드는 크롬 카바이드에 비해 비정상 입자 성장을 억제하는데 아주 효과적이다. 하지만 바나듐 카바이드는 과잉으로 투입되었을 경우 η(Co3W3C)와 같은 준 안정상을 형성할 수 있고 결과적으로 제품의 밀도나 강도 등의 물성에 악영향을 끼칠 수 있다.9,10) 또한 크롬 카바이드의 경우 미세 조직을 개선하는 효과를 가지고 있지만 M7C3, M3C2와 같은 중간상을 형성하여 밀도나 강도 등의 성질을 악화시킬 수 있다.
나노 텅스텐 카바이드는 코발트 함량이 증가하거나 소결 온도가 증가하여도 상대 밀도에 큰 차이가 없는데 그 이유는? 나노 텅스텐 카바이드는 코발트 함량이 증가할수록, 그리고 소결 온도가 증가하여도 상대 밀도는 큰 차이가 없었다. 이는 액상 량이 충분하지 않은 상태에서 확산에 의한 물질 이동이 적었기 때문에 발생한 현상으로 풀이된다. 또한 성장억제제가 들어가면 확산이 늦어지면서 밀도는 더욱 감소하였다.
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참고문헌 (13)

  1. S. Hewitt, T. Laoui, and K. Kibble, "Effect of Milling Temperature on the Synthesis and Consolidation of Nanocomposit WC-10Co Powders," Int. J. Refract. Met. H., 27 [1], 66-73 (2009). 

  2. Z. Guo, J. Xiong, M. Yang, X. Song, and C. Jiang, "Effect of $Mo_2C$ on Microstructre and Properties of WC-TiC-Ni Cemented Carbide," Int. J. Refract. Met. H., 26 [6], 601-05 (2008). 

  3. A. Bock, W. D. Schubert, and B. Lux, Powder Metall; pp. 20-26, Vol. 24, 1992. 

  4. J. J. Johnson, "An Investigation of Group IV, V, VI Carbides as Grain Growth Inhibitors in Cemented Carbides(in USA)," Thesis, Grorigia Institute of Technology, 1980. 

  5. B. Wittmann, W. D. Schubert, and B. Lux, "WC Grain Growth and Grain Growth Inhibition in Nickel and Iron Binder Hardmetals," Int. J. Refract. Met. H., 20, 51-60 (2002). 

  6. G. S. Upadhyaya, "Materials Science of Cemented Carbides -An Overview," Mater. Design, 22, 483-89 (2001). 

  7. C. W. Morton, D. J. Wills, and K. Stjernberg, "The Temperature Ranges for Maximum Effectiveness of Grain Growth Inhibitors in WC-Co Alloys," Int. J. Refract. Met. H., 23 [4-6], 287-93 (2005). 

  8. W. Jonathan, J. Sven, A. Hans-Olof, and W. Goran, "Transition Metal Solubilities in WC in Cemented Carbide Materials," J. Am. Ceram. Soc., 94 [2], 605-10 (2011). 

  9. Z. Fang and J. W. Eason, "Study of Nanostructured WC-Co Composites," Int. J. Refract. Met. H., 13 [5], 297-303 (1995). 

  10. F. Arenas, I. B. de Arenas, J. Ochoa, and S. -A. Cho, "Influence of VC on the Microstructure and Mechanical Properties of WC-Co Sintered Cemented Carbides," Int. J. Refract. Met. H., 17 [1-3], 91-97 (1999). 

  11. J. Zackrisson, B. Jasson, G. S. Uphadyaya, and H. -O. Andren "WC-Co Based Cemented Carbides with Rarge $Cr_3C_2$ Additions," Int. J. Refract. Met. H., 16 [1-6], 417-22 (1998). 

  12. Y.-J. Park, N.-M. Hwang, and D. Y. Yoon, "Abnormal Growth of Faceted (WC) Grains in a (Co) Liquid Matrix," Metall. Mater. Trans., 27A, 1-11 (1996). 

  13. H. R. Lee, D. J. Kim, N. M. Hwang, and D.-Y. Kim, "Role of Vanadium Carbide Additive during Sintering of WC-Co: Mechanism of Grain Growth Inhibition," J. Am. Ceram. Soc., 86 [1], 152-54 (2003). 

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