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전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.28 no.12, 2015년, pp.776 - 780
김진원 (한국세라믹기술원 광디스플레이소재팀) , 손호기 (한국세라믹기술원 광디스플레이소재팀) , 임태영 (한국세라믹기술원 광디스플레이소재팀) , 이미재 (한국세라믹기술원 광디스플레이소재팀) , 김진호 (한국세라믹기술원 광디스플레이소재팀) , 전대우 (한국세라믹기술원 광디스플레이소재팀) , 황종희 (한국세라믹기술원 광디스플레이소재팀) , 정정영 (루미지엔테크) , 오해곤 (루미지엔테크) , 김진훈 (루미지엔테크) , 최영준 (루미지엔테크) , 이혜용 (루미지엔테크) , 윤대호 (성균관대학교 신소재공학부)
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In this paper, we have studied the effect of mechanical polishing to Ga-polar face for reducing the wafer bowing and strain in free-standing GaN. After the mechanical polishing to Ga-polar face, the bowing of the free-standing GaN substrate significantly decreased with increasing the size of diamond...
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| GaN의 문제점은? | GaN 기반의 III족 질화물 반도체는 고온 및 고출력 광전자 기기에 적합하여 청색 발광 다이오드 (blue LEDs)와 청색 레이저 다이오드(LDs) 시장의 대부분을 차지하고 있다 [1]. GaN은 높은 녹는점과 N2 평형증기압 때문에 큰 부피를 갖는 단결정으로 성장시키기 어려운 문제가 있어 homo-epitaxy를 위한 GaN 기판의 개발은 여전히 어렵다 [2]. 현재 이런 문제의 대안으로 사파이어(Al2O3)와 같은 이종기판 위에 후막 GaN를 수소화물기 상증착법(hydride vapor phase epibaxy, HVPE)으로 성장하고, 이를 LLO (laser-lift off)법을 이용한 기판 분리 방법으로 사파이어 기판을 제거하여 homo-epitaxial 성장을 위한 free-standing GaN 기판을 얻는 방법이 대안으로 제시되고 있다 [3]. | |
| 본 연구에서 free-standing GaN 기판이 기계적 연마 후 불투명해진 이유는? | 기계적 연마 후에 3개 샘플 모두 연마 전보다 불투명해지는 현상을 확인하였다. 이는 기계적 연마에 의해 Ga-polar 면에 표면 거칠기 변화에 따른 결과로 판단된다. | |
| HVPE법을 이용한 사파이어기판에 GaN층을 성장시킨 후 나타나는 문제점은? | 현재 이런 문제의 대안으로 사파이어(Al2O3)와 같은 이종기판 위에 후막 GaN를 수소화물기 상증착법(hydride vapor phase epibaxy, HVPE)으로 성장하고, 이를 LLO (laser-lift off)법을 이용한 기판 분리 방법으로 사파이어 기판을 제거하여 homo-epitaxial 성장을 위한 free-standing GaN 기판을 얻는 방법이 대안으로 제시되고 있다 [3]. 그러나 HVPE법을 이용한 사파이어기판에 GaN층을 성장 시에는 후막 GaN층과 사파이어기판의 열팽창계수 차이로 인하여 치명적인 bowing이 발생된다 [4]. 가장 큰 문제는 LLO 공정을 통해 만들어진 free-standing GaN 기판에 발생하는 bowing이다. 일반적으로 GaN 박막을 사파이어 기판에 성장 후에 냉각 중에는 열팽창계수 차이로 인하여 convex bowing을 갖는다 [5]. 그리고 lift-off되면 GaN 층은 사파이어 기판의 구속에서 해방되면서 일반적으로 수백 μm 정도의 concave bowing (2 inch wafer) 을 가진다 [6]. 이렇게 만들어진 free-standing GaN 기판은 concave bowing에 의해 homo-epitaxy 방법으로 성장함에도 불구하고 결함이 발생하고 재성장 중에 깨지는 문제도 발생하게 된다. |
S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senon, Appl. Phys. Lett., 64, 1687 (1994). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.111832]
C. D. Thurmond and R. A. Rogan, J. Electrochem. Soc., 119, 622 (1972). [DOI: http://dx.doi.org/10.1149/1.2404274]
C. R. Miskys, M. K. Kelly, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Phys. Stat. Sol. C, 0, 1627 (2003). [DOI: http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200303140]
M. Mynbaeva, A. Sitnikova, A. Tregubova, and K. Mynbaev, J. Cryst. Growth, 303, 472 (2007). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.12.041]
E. M. Goldys, T. Paskova, I. G. Ivanov, B. Arnaudov, and B. Monemar, Appl. Phys. Lett., 73, 3583 (1998). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.122831]
B. Monemar, H. Larsson, C. Hemmingsson, I. G. Ivanov, and D. Gogova, J. Cryst. Growth, 281, 17 (2005). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.03.040]
D. L. Rousseau and J. Raman, Spectrosc., 10, 94 (1981). [DOI: http://dx.doi.org/10.1002/jrs.1250100116]
P. Perlin, C. Jauberbie-Carillon, J. P. Itie, A. S. Miguel, I. Grzegory, and A. Polian, Phys. Rev. B, 45, 83 (1992). [DOI: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.45.83]
C. Kisielowski, J. Krueger, S. Ravimov, T. Suski, J. W. Ager III, E. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin, E. R. Weber, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. B, 54, 17745 (1996). [DOI: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.54.17745]
M. Seon, T. Prokfyeva, M. Holtz, S. A. Nikishin, N. N. Fleev, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett., 76, 1842 (2000). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.126186]
T. Prokofyeva, M. Seon, J. Vanbuskirk, M. Holtz, S. A. Nikishin, N. N. Fleev, H. Temkin, and S. Zollner, Phys. Lett., 76, 1842 (2000).
Y. J. Choi, H. K Oh, J. G. Kim, H. H. Hwang, H. Y. Lee, W. J. Lee, B. C. Shin, and J. H. Hwang, Phys. Status Solidi, C, 7, 1770 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200983632]
C. Nootz, A. Schulte, and L. Chernyak, Appl. Phys. Lett., 80, 1355 (2002). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1449523]
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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