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NTIS 바로가기Transactions on electrical and electronic materials, v.16 no.6, 2015년, pp.346 - 350
Woo, Jong-Chang (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University) , Joo, Young-Hee (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University) , Kim, Chang-Il (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University)
In this study, we carried out an investigation of the etch characteristics of TiO2 thin films and the selectivity of TiO2 to SiO2 in adaptive coupled C12/Ar plasma. The maximum etch rate of the TiO2 thin film was 136±5 nm/min at a gas mixing ratio of C12/Ar (75%:25%). The X-ray photoelectron sp...
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