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문제 정의
- 승화법을 개조하여 두꺼운 GaN를 사파이어위에 성장 연구되고 있다. 고품질 GaN 에피층에 대한 격자정합을 이루는 기판의 개발인, 이 연구는 전형적인 RF 유도가열 화학기상증착반응기에서 금속갈륨과 활성화된 암모니아의 직접반응에 의해 사파이어위에 두꺼운 GaN의 성장에 중점을 두고 있다. 이 성장방법은 단일 반응단계를 포함하는 전형적인 화학기상증착의 모든 특성을 가지고 있다.
- 본 고에서 GaAs 더불어 차세대 화합물 반도체 플랫폼으로 각광을 받고 있는 GaN 전자소자 글로벌 연구개발 동향에 관하여 기술하고자 한다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭(Eg=3.
- 본 고에서 GaN의 기본적 물리적 특성, 결정성장 방법, 소자구조, 패키지, 사회전반 파급효과에 대하여 간략하게 알아보았다. 전 세계적으로 차세대 에너지 절감형 반도체인 넓은 밴드갭 반도체, 특히 GaN 전력반도체는 현재 기술인 실리콘 전력반도체의 대체 기술로 활발한 연구개발이 진행 중이다.
- GaN 전자소자 기술동향에서는 먼저 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구프로젝트 분석을 통한 RF 전력증폭기 연구개발 방향을 살펴보고, 후반부에서는 이동통신 기지국, 선박 및 군용 레이더 트랜시버용 고출력 RF 전력증폭기의 응용 분야에 관하여 알아본다. 이러한 총체적인 동향분석을 통하여 차세대 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 GaN 전자소자의 연구개발 방향과 조기상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.
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